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1
산화규소(SiOx) 박막으로 이루어지고 상기 x는 1
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2
제 1항에 있어서,상기 산화규소 박막은 평평한 표면을 갖는 것을 특징으로 하는 배향막
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3
제 2항에 있어서,상기 산화규소 박막의 표면 거칠기 제곱 평균값은 3nm 이하인 것을 특징으로 하는 배향막
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4
제 2항에 있어서,상기 x는 1
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5
제 1항에 있어서,상기 산화규소 박막의 굴절률은 1
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6
제 5항에 있어서,상기 액정의 유전율 이방성은 -3
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7
제 1항에 있어서,상기 x는 1
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8
제 1항에 있어서,상기 산화규소 박막은 50 ~ 300nm 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 배향막
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9
제 8항에 있어서,상기 산화규소 박막은 90 ~ 110nm 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 배향막
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10
산화규소(SiOx) 박막으로 이루어지고 상기 x가 1
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11
제 10항에 있어서,상기 산화규소 박막은 평평한 표면을 갖는 것을 특징으로 하는 배향막
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12
제 11항에 있어서,상기 산화규소 박막의 표면 거칠기 제곱 평균값은 3nm 이하인 것을 특징으로 하는 배향막
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13
제 10항에 있어서,상기 산화규소 박막은 50 ~ 300nm 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 배향막
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14
제 13항에 있어서,상기 산화규소 박막은 90 ~ 110nm 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 배향막
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15
공정물질을 제공하는 단계와; 상기 공정물질을 이용하여 기판상에 산화규소(SiOx) 박막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 산화규소 박막은 상기 x가 1
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16
제 15항에 있어서,상기 산화규소 박막을 형성하는 단계에서, 상기 산화규소는 상기 기판에 대해 수직한 방향으로 증착되는 것을 특징으로 하는 배향막의 제조방법
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17
제 15항에 있어서,상기 산화규소 박막을 형성하는 단계에서, 상기 산화규소는 화학기상증착법으로 증착되는 것을 특징으로 하는 배향막의 제조방법
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18
제 15항에 있어서,상기 산화규소 박막을 형성하는 단계에서, 상기 산화규소는 기화증착법으로 증착되는 것을 특징으로 하는 배향막의 제조방법
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19
제 18항에 있어서,상기 공정물질은 상기 기판의 중심으로부터 상기 기판에 수직한 방향으로 연장된 가상선 상에 위치한 공급원에서 제공되는 것을 특징으로 하는 배향막의 제조방법
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20
제 19항에 있어서,상기 공정물질은 일산화규소(SiO) 또는 이산화규소(SiO2) 분말인 것을 특징으로 하는 배향막의 제조방법
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21
서로 마주보는 두 개의 기판;상기 두 개의 기판 사이에 배열된 액정; 및상기 두 개의 기판상에 각각 형성된 배향막을 포함하며,상기 배향막은 산화규소(SiOx) 박막으로 이루어지고 상기 x가 1
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22
제 21항에 있어서,상기 산화규소 박막은 평평한 표면을 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치
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제 22항에 있어서,상기 산화규소 박막의 표면 거칠기 평균값은 3nm 이하인 것을 특징으로 하는 액정표시장치
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제 21항에 있어서,상기 산화규소 박막의 굴절률은 1
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제 24항에 있어서,상기 액정의 유전율 이방성은 -3
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제 21항에 있어서,상기 x는 1
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제 21항에 있어서,상기 산화규소 박막은 50 ~ 300nm 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치
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제 27항에 있어서,상기 산화규소 박막은 90 ~ 110nm 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치
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