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말단기가 에폭시기로 치환된 다면체 구조의 반응성 실세시퀴옥산이 유기 고분자 내에 분산되어 유-무기 복합구조를 갖는 반도체용 절연막으로서,상기 반응성 실세시퀴옥산이 화학식 1로 표시되는 유-무기 복합구조를 갖는 반도체용 절연막: [화학식 1]R8[Si8O12]상기 식에서, [Si8O12]는 육면체 구조의 옥타실록산이며, R은 에폭시를 갖는 지방족 알킬 그룹이다
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제1항에 있어서, 상기 반응성 실세시퀴옥산의 함량은 유기 고분자의 함량을 기준으로 하여 1 내지 25 중량%인 것을 특징으로 하는 유-무기 복합구조를 갖는 반도체용 절연막
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제1항에 있어서, 상기 유기 고분자는 폴리이미드(polyimide), 폴리벤즈이미다졸(polybenzimidazole), 폴리퀴녹살린(polyquinoxaline), 방향족 폴리에테르케톤(aromatic polyetherketone) 및 폴리페닐렌에테르(polyphenylene ethers)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 유-무기 복합구조를 갖는 반도체용 절연막
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제4항에 있어서, 상기 폴리이미드가 피로메리틱디안하이드리드-코-4,4'-옥시디아닐린 (pyromellitic dianhydride-co-4,4'-oxydianiline:PMDA-ODA) 폴리이미드 또는 비페닐디안하이드리드-코-1,4-페닐렌디아민(biphenyl dianhydride-co-1,4-phenylene diamine:BPDA-PDA) 폴리이미드인 것을 특징으로 하는 유-무기 복합구조를 갖는 반도체용 절연막
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a) 말단기가 에폭시기로 치환된 다면체 구조를 갖는 반응성 실세시퀴옥산을 형성하는 단계;b) 유기 고분자를 유기 용매에 반응시키고, 상기 a)단계에서 형성된 반응성 실세시퀴옥산을 첨가하여 혼합액을 제조하고 혼합액을 교반하는 단계; 및c) 상기 혼합액을 질소 기류하에서 열경화하는 단계;를 포함하는 유-무기 복합구조를 갖는 반도체용 절연막의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 반응성 실세시퀴옥산은 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 유-무기 복합구조를 갖는 반도체용 절연막의 제조방법: [화학식 1]R8[Si8O12]상기 식에서, [Si8O12]는 육면체 구조의 옥타실록산이며, R은 에폭시를 갖는 지방족 알킬 그룹이다
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제6항에 있어서, 상기 반응성 실세시퀴옥산의 함량은 유기 고분자의 함량을 기준으로 하여 1 내지 25 중량%인 것을 특징으로 하는 유-무기 복합구조의 반도체용 절연막의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 반응성 실세시퀴옥산을 형성하는 공정은,a) 옥타비닐펜타사이클로-옥타실록산을 용매에 넣은 후 글리시딜 메타크릴레이트를 첨가하고 교반하는 단계; b) 1-하이드록시사이클로헥실페닐케톤 (HCPK)을 a) 단계의 용액에 넣고 교반하는 단계; c) 상기 b) 단계의 용액에 자외선을 조사하여 옥타비닐펜타사이클로-옥타실록산과 글리시딜 메타크릴레이트가 결합되도록 반응시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유-무기 복합구조를 갖는 반도체용 절연막의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 유기 고분자는 폴리이미드(polyimide), 폴리벤즈이미다졸(polybenzimidazole), 폴리퀴녹살린(polyquinoxaline), 폴리벤즈옥사졸 (polybenzoxazole), 방향족 폴리에테르케톤(aromatic polyetherketone) 및 폴리페닐렌에테르(polyphenylene ethers)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 유-무기 복합구조를 갖는 반도체용 절연막의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 폴리이미드가 피로메리틱디안하이드리드-코-4,4'-옥시디아닐린 (pyromellitic dianhydride-co-4,4'-oxydianiline:PMDA-ODA) 폴리이미드 또는 비페닐디안하이드리드-코-1,4-페닐렌디아민(biphenyl dianhydride-co-1,4-phenylene diamine:BPDA-PDA) 폴리이미드인 것을 특징으로 하는 유-무기 복합구조를 갖는 반도체용 절연막의 제조방법
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제6항 또는 제9항에 있어서, 상기 용매는 메탄올, 에탄올, 테트라히드로퓨란, 디메틸포름아미드, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 및 N-메틸피롤리돈(NMP) 로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 유-무기 복합구조를 갖는 반도체용 절연막의 제조방법
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 유-무기 복합구조를 갖는 반도체용 절연막을 채용한 것을 특징으로 하는 집적회로세트 디바이스
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