맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

인장응력을 이용한 단결정 열전 나노선 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015124954
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 인장응력을 이용한 단결정 열전 나노선 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 코스퍼터링(Co-sputtering) 또는 스퍼터링(sputtering)을 이용하여 증착시킨 박막에서 인장응력을 이용한 단결정 AxB1-x(A:Bi, B:Te, Sb, Se) 나노선 제조 방법에 관한 것이다.이를 위해, 본 발명은 산화물층(SiO2, Al2O3, BeO, Mg2Al4Si5O18)이 상면에 형성된 기판의 제공 단계; 상기 산화물층(SiO2, Al2O3, BeO, Mg2Al4Si5O18) 상에 코스퍼터링법 또는 스퍼터링으로 AxB1-x(A:Bi, B:Te, Sb, Se) 박막을 형성하는 단계; 10-7 Torr로 유지되는 반응로 내에서, 상기 AxB1-x(A:Bi, B:Te, Sb, Se) 박막이 산화물층(SiO2, Al2O3, BeO, Mg2Al4Si5O18) 상에 형성된 기판을 적치한 후, 열처리하는 단계; 열처리 단계 후, AxB1-x(A:Bi, B:Te, Sb, Se) 박막을 상온에서 냉각시키는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 인장응력을 이용한 단결정 열전 나노선 제조 방법을 제공한다.단결정 나노선, 압축응력, 비스무스(Bi), 비스무스 텔루라이드, 성능 지수(ZT), 열전도도, 전기 전도도, 열전 계수, 열전 소자
Int. CL H01L 35/18 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) H01L 35/16 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC H01L 35/14(2013.01) H01L 35/14(2013.01) H01L 35/14(2013.01) H01L 35/14(2013.01) H01L 35/14(2013.01) H01L 35/14(2013.01) H01L 35/14(2013.01)
출원번호/일자 1020070051236 (2007.05.28)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0872332-0000 (2008.12.01)
공개번호/일자 10-2008-0104455 (2008.12.03) 문서열기
공고번호/일자 (20081205) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.05.28)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이우영 대한민국 서울 마포구
2 함진희 대한민국 서울 양천구
3 심우영 대한민국 서울 노원구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이학수 대한민국 부산광역시 연제구 법원로 **, ****호(이학수특허법률사무소)
2 백남훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, KTB네트워크빌딩**층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0385800-27
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.02.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.03.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0011969-06
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.07.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0361135-03
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.09.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0637239-46
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2008-0637240-93
7 등록결정서
Decision to grant		 2008.11.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0566586-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산화물층이 상면에 형성된 기판의 제공 단계;상기 산화물층상에 코스퍼터링법으로 AxB1-x(A:Bi, B:Te, Sb, Se)(단, x = 0
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 열처리하는 단계중, 상기 기판과, 산화물층과, AxB1-x(A:Bi, B:Te, Sb, Se) 박막은 서로 다른 열팽창계수로 인하여, 부피 팽창이 큰 AxB1-x(A:Bi, B:Te, Sb, Se) 박막은 부피 팽창이 작은 산화물층에 의해 압축응력이 걸리게 되는 것을 특징으로 하는 인장응력을 이용한 단결정 열전 나노선 제조 방법
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 AxB1-x(A:Bi, B:Te, Sb, Se) 박막을 상온에서 냉각시키는 단계중, AxB1-x(A:Bi, B:Te, Sb, Se) 단결정 나노선이 성장되는 동시에 상기 AxB1-x(A:Bi, B:Te, Sb, Se) 박막은 냉각에 의하여 본래의 위치로 뒤돌아가려는 인장응력이 걸리게 되고, 이 인장응력은 나노선 성장을 위한 열역학적 구동력으로 작용하는 것을 특징으로 하는 인장응력을 이용한 단결정 열전 나노선 제조 방법
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 산화물층은 SiO2, Al2O3, BeO, Mg2Al4Si5O18 중 선택된 어느 하나를 사용하여 3000-5000Å 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 인장응력을 이용한 단결정 열전 나노선 제조 방법
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 AxB1-x(A:Bi, B:Te, Sb, Se) 박막의 두께는 10nm∼4㎛인 것을 특징으로 하는 인장응력을 이용한 단결정 열전 나노선 제조 방법
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 AxB1-x(A:Bi, B:Te, Sb, Se) 박막의 열처리 온도는 100~1000℃이고, 그 열처리 시간은 1~15시간인 것을 특징으로 하는 인장응력을 이용한 단결정 열전 나노선 제조 방법
7 7
청구항 1 또는 청구항 3에 있어서, 상기 AxB1-x(A:Bi, B:Te, Sb, Se) 나노선은 50~1000㎚의 직경을 가지며, 전체적으로 단일상인 것을 특징으로 하는 인장응력을 이용한 단결정 열전 나노선 제조 방법
8 8
청구항 1에 있어서, AxB1-x(A:Bi, B:Te, Sb, Se) 나노선을 이용한 소자 제작을 위하여 상기 AxB1-x(A:Bi, B:Te, Sb, Se) 나노선의 산화물층을 플라즈마 에칭법을 통하여 10~100W, 2~3mTorr, 5~10cm 거리에서 12분간 식각하여 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인장응력을 이용한 단결정 열전 나노선 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02238274 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 JP04784947 JP 일본 FAMILY
3 JP21517331 JP 일본 FAMILY
4 KR100821267 KR 대한민국 FAMILY
5 US20100221894 US 미국 FAMILY
6 WO2008082186 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2009517331 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP4784947 JP 일본 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.