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자가정렬된 반도체 나노와이어 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015124979
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 기판 표면에 형성된 제1전극과, 상기 제1전극 상면에 형성되며, 일면에 선형의 홈이 형성되어 있는 유전체 구조물과, 상기 유전체 구조물의 선형의 홈에 자가정렬된 반도체 나노와이어 복합체와, 상기 유전체 구조물의 일면에 형성된 제2전극을 포함하는 자가정렬 반도체 나노와이어 박막 트랜지스터를 제공한다. 제1전극, 유전체 구조물, 나노와이어 복합체, 제2전극은 모두 용액 공정에 의하여 형성할 수 있다. 유전체 구조물 표면의 홈은 나노인프린팅에 의하여 형성할 수 있다. 본 발명에 따르면, 유연성 재료를 기판으로 사용할 수 있으며, 박막 트랜지스터의 제조 비용을 절감시키고 대량 생산이 가능하며, 다양한 전자소자에 응용될 수 있다. 나노와이어, 유연성 트랜지스터, 잉크젯 프린팅, 나노 인프린팅
Int. CL H01L 29/786 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01)
출원번호/일자 1020070049077 (2007.05.21)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0858223-0000 (2008.09.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080910) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.05.21)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문주호 대한민국 서울 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이익배 대한민국 제주특별자치도 서귀포시 서호남로 **, ***동 ***호 (서호동)(세광특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2007-0370036-11
2 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.05.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0371108-78
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0028796-37
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0136320-21
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0209791-55
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.03.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0209785-81
7 등록결정서
Decision to grant		 2008.09.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0460837-80
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 표면에 형성된 제1전극과, 상기 제1전극 상면에 형성되며, 일면에 선형(線型)의 홈이 형성되어 있는 유전체 구조물과,상기 유전체 구조물의 선형의 홈에 자가 정렬된 반도체 나노와이어 복합체와,상기 유전체 구조물의 일면에 형성된 제2전극을 포함하며,상기 제1전극과 제2전극은 상기 유전체 구조물에 의하여 상호 절연되는 자가정렬 반도체 나노와이어 박막 트랜지스터
2 2
제1항에 있어서, 상기 선형의 홈은 유전체 구조물의 장변(長邊)에 평행하게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 자가정렬 반도체 나노와이어 박막 트랜지스터
3 3
제1항에 있어서, 상기 기판은 유연성 재질의 기판인 자가정렬 반도체 나노와이어 박막 트랜지스터
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1전극은 게이트 전극이며, 상기 제2전극은 소스 전극 및 드레인 전극인 자가정렬 반도체 나노와이어 박막 트랜지스터
5 5
제1항에 있어서, 상기 제2전극은 게이트 전극이며, 상기 제1전극은 소스 전극 및 드레인 전극인 자가정렬 반도체 나노와이어 박막 트랜지스터
6 6
제1항에 있어서, 상기 유전체 구조물 표면은 소수성으로 개질되어 있는 자가정렬 반도체 나노와이어 박막 트랜지스터
7 7
제1항에 있어서, 상기 선형의 홈의 폭은 반도체 나노와이어 직경의 1 ~ 100 배의 범위인 자가정렬 반도체 나노와이어 박막 트랜지스터
8 8
제1항에 있어서, 상기 선형의 홈의 깊이는 반도체 나노와이어 직경의 1 ~ 100 배의 범위인 자가정렬 반도체 나노와이어 박막 트랜지스터
9 9
제1항에 있어서, 상기 선형의 홈의 바닥으로부터 상기 제1전극까지의 거리는 20nm ~ 1㎛ 의 범위인 자가정렬 반도체 나노와이어 박막 트랜지스터
10 10
표면에 복수의 홈이 선형적으로 형성되어 있는 유전체 구조물과,반도체 나노와이어를 포함하는 용액이 건조되어 상기 유전체 구조물의 복수의 홈에 자가 정렬된 반도체 나노와이어 복합체를 포함하는전자 소자용 유전체 구조물
11 11
기판 표면에 제1전극을 형성하고,상기 제1전극 상면에 유전체 박막을 형성하고,상기 유전체 박막 표면에 선형(線型)의 홈을 형성하고, 상기 유전체 박막 표면에 반도체 나노와이어를 포함하는 용액을 도포하고, 상기 용액을 건조시켜 유전체 박막 표면의 선형의 홈에 반도체 나노와이어 복합체를 자가 정렬시키고,상기 유전체 박막 상면에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하는 자가정렬 반도체 나노와이어 박막 트랜지스터 제조 방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 제1전극 및 제2전극은 금속 나노입자를 포함하는 전도성 잉크를 사용하여 잉크젯 프린팅에 의해 형성하는 자가정렬 반도체 나노와이어 박막 트랜지스터 제조 방법
13 13
제11항에 있어서, 상기 유전체 박막은 유전체 잉크를 도포하여 형성하는 자가정렬 반도체 나노와이어 박막 트랜지스터 제조 방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 유전체 잉크를 잉크젯 프린팅에 의해 선택적으로 도포하는 자가정렬 반도체 나노와이어 박막 트랜지스터 제조 방법
15 15
제13항에 있어서, 상기 유전체 잉크를 스핀 코팅 또는 슬릿 코팅에 의해 전면적으로 도포한 후, 자외선을 조사하여 선택적인 유전체 박막 패턴을 형성하는 자가정렬 반도체 나노와이어 박막 트랜지스터 제조 방법
16 16
제11항에 있어서, 상기 유전체 박막의 홈은 나노인프린팅 또는 핫엠보싱으로 형성하는 자가정렬 반도체 나노와이어 박막 트랜지스터 제조 방법
17 17
제11항에 있어서, 상기 유전체 박막의 홈은 단면이 V-형상 또는 사각 형상이며 일방향으로 길게 연장되어 있고 복수의 홈을 동일한 간격으로 배치하는 자가정렬 반도체 나노와이어 박막 트랜지스터 제조 방법
18 18
제11항에 있어서, 상기 유전체 박막은 직사각형 형태이고 상기 선형의 홈은 유전체 박막의 장변에 평행하게 형성시키는 자가정렬 반도체 나노와이어 박막 트랜지스터 제조 방법
19 19
제11항에 있어서, 상기 유전체 박막 표면을 소수성으로 개질하는 단계를 더 포함하는 자가정렬 반도체 나노와이어 박막 트랜지스터 제조 방법
20 20
제19항에 있어서, 상기 반도체 나노와이어를 포함하는 용액은 수계 또는 친수성 용매를 포함하는 자가정렬 반도체 나노와이어 박막 트랜지스터 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.