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기판상에 복수의 금속 박막층이 상하 적층된 금속박막 적층구조체로서,
각 박막층의 금속들은 친화가능(compatible)한 성질을 가지며, 친화가능한 금속입자들의 상호 확산(diffusion)에 의해 하부에 적층된 박막층의 금속입자들이 상부에 적층된 박막층의 표면까지 확산되어, 표면의 접촉각이 제어가능한 것을 특징으로 하는 접촉각 제어가 가능한 금속박막 적층구조체
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제1항에 있어서,
복수의 각 박막층은 열증착(thermal evaporation), e-빔 증착(e-beam evaporation), 스퍼터링(sputtering), 화학증착(CVD), 유기금속화학기상증착법(MOCVD) 또는 분자빔 에피탁시(MBE) 중 어느 하나의 방법으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 접촉각 제어가 가능한 금속박막 적층구조체
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제1항에 있어서,
상기 복수의 금속 박막층은, 기판 상에 구비되는 제1 박막층이 은(Ag)으로 이루어지고, 제1 박막층 위에 구비되는 제2 박막층이 아연(Zn)으로 이루어진 2 층 구조로 구비되는 것을 특징으로 하는 접촉각 제어가 가능한 금속박막 적층구조체
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제3항에 있어서,
상기 아연(Zn) 박막층의 두께는 130nm ~ 170nm인 것을 특징으로 하는 접촉각 제어가 가능한 금속박막 적층구조체
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제3항에 있어서,
상기 은(Ag) 박막층의 두께는 90nm ~ 130nm인 것을 특징으로 하는 접촉각 제어가 가능한 금속박막 적층구조체
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기판상에 복수의 금속 박막층이 상하 적층된 금속박막 적층구조체의 제조방법으로서,
상호 친화가능(compatible)한 금속원소로 이루어진 각 박막층을 각각 특정 두께로 순차적으로 형성시키는 단계(S1);
금속박막이 적층된 기판을 반응조에 넣고, 각 박막층의 금속입자가 상호 확산되어 하부에 적층된 박막층의 금속입자들이 상부에 적층된 박막층의 표면까지 확산되도록 하는 단계(S2)를 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉각 제어가 가능한 금속박막 적층구조체의 제조방법
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제6항에 있어서,
상기 S1 단계는 열증착(thermal evaporation), e-빔 증착(e-beam evaporation), 스퍼터링(sputtering), 화학증착(CVD), 유기금속화학기상증착법(MOCVD) 또는 분자빔 에피탁시(MBE) 중 어느 하나의 방법으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 접촉각 제어가 가능한 금속박막 적층구조체의 제조방법
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제6항에 있어서,
상기 S2 단계는 상호 친화가능한 금속원소의 확산이 평형상태에 이르도록 진행되는 것을 포함하는 접촉각 제어가 가능한 금속박막 적층구조체의 제조방법
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제8항에 있어서,
상기 S2 단계는 상온 하에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 접촉각 제어가 가능한 금속박막 적층구조체의 제조방법
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제8항에 있어서,
상기 S2 단계는 대기압 하에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 접촉각 제어가 가능한 금속박막 적층구조체의 제조방법
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제6항에 있어서,
상기 복수의 금속 박막층은, 기판 상에 구비되는 제1 박막층이 은(Ag)으로 이루어지고, 제1 박막층 위에 구비되는 제2 박막층이 아연(Zn)으로 이루어진 2 층 구조로 구비되는 것을 특징으로 하는 접촉각 제어가 가능한 금속박막 적층구조체의 제조방법
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제11항에 있어서,
상기 아연(Zn) 박막층의 두께는 130nm ~ 170nm인 것을 특징으로 하는 접촉각 제어가 가능한 금속박막 적층구조체의 제조방법
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제11항에 있어서,
상기 은(Ag) 박막층의 두께는 90nm ~ 130nm인 것을 특징으로 하는 접촉각 제어가 가능한 금속박막 적층구조체의 제조방법
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