| 1 |
1
반도체 칩; 및 상기 반도체 칩 상에 서로 이격되어 배치되고, 신호를 송수신하는 복수의 안테나;상기 복수의 안테나의 일단들과 전기적으로 각각 연결된 복수의 증폭기;상기 복수의 증폭기와 연결된 스위치소자; 그리고상기 스위치소자에 의해 상기 복수의 증폭기와 연결된 송수신부를 포함하는 통신 모듈
|
| 2 |
2
제1 항에 있어서, 상기 복수의 안테나 각각의 일단 및 타단은 상기 반도체 칩과 연결되고, 상기 복수의 안테나 각각의 상기 일단 및 상기 타단을 제외한 부분 중 적어도 일부는 상기 반도체 칩으로부터 이격된 통신 모듈
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
제1 항에 있어서,상기 복수의 증폭기는 파워 증폭기(Power Amplifier) 및 저잡음 증폭기(Low Noise Amplifier) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 통신 모듈
|
| 5 |
5
제4 항에 있어서,상기 복수의 증폭기 중에서 적어도 어느 하나의 증폭기는 CMOS 공정을 이용하여 제공되는 통신 모듈
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
제1 항에 있어서,상기 복수의 안테나는 일정한 간격으로 서로 이격되어 배치되고, 상기 송수신부에서 상기 복수의 증폭기로 입력되는 각각의 신호들은 위상의 차이를 가지고, 상기 복수의 안테나는 빔포밍(beamforming)에 사용되는 통신 모듈
|
| 8 |
8
삭제
|
| 9 |
9
제1 항에 있어서,상기 복수의 안테나는 동일한 위상을 갖는 신호를 출력하는 통신 모듈
|
| 10 |
10
제9 항에 있어서,상기 복수의 안테나에서 출력되는 신호들은 하나의 광역 신호를 구성하는 통신 모듈
|
| 11 |
11
제 10항에 있어서,상기 복수의 증폭기 각각의 동작 여부는, 상기 광역 신호의 출력파워에 따라서 조절되는 통신 모듈
|
| 12 |
12
제1 항에 있어서,상기 안테나의 길이는 0
|
| 13 |
13
제2 항에 있어서,상기 반도체 칩 상에 배치된 본딩 패드;상기 반도체 칩이 배치되는 기판;상기 기판 상의 접속 패드; 그리고 상기 본딩 패드 및 상기 접속 패드를 연결하는 본딩 와이어를 더 포함하는 통신 모듈
|
| 14 |
14
제2 항에 있어서,상기 반도체 칩이 배치되는 기판; 상기 기판과 연결되고, 상기 반도체 칩 및 상기 기판 사이에 배치된 접속 패드; 그리고 상기 반도체 칩을 관통하고, 상기 반도체 칩 및 상기 접속 패드를 전기적으로 연결하는 비아 콘택 플러그를 더 포함하는 통신 모듈
|
| 15 |
15
제14 항에 있어서,상기 기판 및 상기 반도체 칩 상에 배치된 복수의 추가 반도체 칩을 더 포함하되,상기 비아 콘택 플러그는 상기 추가 반도체 칩을 더 관통하는 통신 모듈
|
| 16 |
16
송수신부 및 상기 송수신부와 연결된 복수의 증폭기를 포함하는 반도체 칩; 그리고상기 반도체 칩 상에 배치되고, 신호를 각각 출력하는 복수의 안테나를 포함하되,상기 복수의 안테나 일단 각각은 상기 복수의 증폭기 각각과 연결되고, 상기 복수의 증폭기에 스위치 소자가 연결되며, 상기 복수의 안테나 각각의 상기 일단을 제외한 부분 중 적어도 일부는 상기 반도체 칩으로부터 이격되고, 상기 복수의 안테나의 출력신호들은 하나의 광역신호를 구성하는 통신모듈
|
| 17 |
17
제16 항에 있어서,상기 복수의 증폭기는 파워 증폭기(Power Amplifier)들이고, 상기 파워 증폭기들 중 적어도 어느 하나는 CMOS 공정을 이용하여 제공되는 통신 모듈
|
| 18 |
18
제16항에 있어서,상기 증폭기들 각각의 동작여부는 상기 광역신호의 출력파워에 따라 제어되는 통신모듈
|
