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실리콘 벌크위에 적층 성장된 다수의 에피택셜층을 포함하되, 이 에피택셜층은 상층으로부터 n2-p2-n1-p1의 적층 구조를 이루는 포토다이오드에 있어서, 상기 n2-p2 접합 및 공핍영역이 제1포토다이오드층을 형성하고, 상기 p2-n1 접합 및 공핍영역이 제2포토다이오드층을 형성하고,상기 n1-p1 접합 및 공핍영역이 제3포토다이오드층을 형성하는 것을 특징으로 하는 적층형 포토다이오드
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제1항에 있어서, 상기 제1포토다이오드층은 청색 검출 영역이 되도록 도핑 프로파일이 형성되는 적층형 포토다이오드
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제1항에 있어서, 상기 제2포토다이오드층은 녹색 검출 영역이 되도록 도핑 프로파일이 형성되는 적층형 포토다이오드
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제1항에 있어서, 상기 제3포토다이오드층은 적색 검출 영역이 되도록 도핑 프로파일이 형성되는 적층형 포토다이오드
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제1항에 있어서, 상기 n2-p2-n1-p1의 최상부 층에는 산화막층이 형성되는, 적층형 포토다이오드
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제1항에 있어서, 상기 n2, p2, n1, p1의 각 층에는 전극이 형성되는, 적층형 포토다이오드
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제1~6항 중 한 항에 있어서, 상기 적층형 포토다이오드는 회로가 꾸며진 기판 위의 일부에 형성되는 것을 특징으로 하는, 적층형 포토다이오도
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8
(1) 실리콘 벌크 위에 다수의 에피택셜층을 적층 형성하여 상층으로부터 n2-p2-n1-p1층을 형성하는 단계, (2) 위의 단계에 의해 형성된 각 적층 에피택셜층을 식각한 후, 각 층에 전극을 형성하는 단계를 포함하는 적층형 포토다이오드 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 n2-p2 접합 및 공핍영역은 제1포토다이오드층을 이루고,상기 p2-n1 접합 및 공핍영역은 제2포토다이오드층을 이루고, 상기 n1-p1 접합 및 공핍영역은 제3포토다이오드층을 이루는 것을 특징으로 하는 적층형 포토다이오드 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 제1포토다이오드층은 청색 검출 영역이 되도록 도핑 프로파일을 형성하는 것을 특징으로 하는, 적층형 포토다이오드 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 제2포토다이오드층은 녹색 검출 영역이 되도록 도핑 프로파일을 형성하는 것을 특징으로 하는, 적층형 포토다이오드 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 제3포토다이오드층은 적색 검출 영역이 되도록 도핑 프로파일을 형성하는 것을 특징으로 하는, 적층형 포토다이오드 제조방법
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제8항~12항 중 한 항에 있어서, 상기 적층형 포토다이오드 제조 단계는 회로가 꾸며진 기판 위에서 이루어지는 것을 특징으로 하는, 적층형 포토다이오드 제조방법
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제8~12항중 한 항에 있어서, 상기 적층된 에피택셜층의 최상부 층 위에 산화막을 형성함으로서 적층된 에피택셜층을 하나의 독립된 픽셀로서 형성하는 단계를 포함하는 적층형 포토다이오드 제조방법
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