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비자성층 상에 소정의 패턴을 갖는 마스크를 배치하는 단계; 및상기 마스크가 배치된 비자성층 상에 이온을 조사하는 단계;를 포함하며,상기 비자성층은 상기 마스크 패턴에 의해 노출된 부분이 환원되어 강자성 패턴이 형성되고, 상기 강자성 패턴의 주변부는 부분환원되어 반강자성 패턴이 형성되며, 나머지 영역은 비자성을 유지하고,상기 비자성층은 산화물층, 질화물층 및 황화물층 중 어느 하나 이상인 자성 패턴층 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 마스크는 상기 조사된 이온이 전부 투과되는 제1영역과, 이온이 일부 투과되는 제2영역, 및 이온이 투과되지 않는 제3영역이 순서대로 연속 배열되는 자성 패턴층 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 마스크는 소정 간격으로 이격된 개구부가 형성되고, 상기 개구부는 상기 이온이 조사되는 방향으로 갈수록 좁아지는 테이퍼 형상을 갖는 자성 패턴층 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 마스크는 소정 간격으로 이격된 개구부가 형성되고, 상기 개구부의 측벽은 단차를 갖는 자성 패턴층 형성방법
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비자성층의 일부 영역이 환원되어 강자성 패턴이 형성되고, 상기 강자성 패턴의 주변부는 부분환원되어 반강자성 패턴이 형성되며, 나머지 영역은 비자성을 유지하되,상기 강자성 패턴과 반강자성 패턴은 서로 교환 결합(exchange coupling)하는 자성 패턴층
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제6항에 있어서, 상기 강자성 패턴은 수직 자화된 자성 패턴층
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제1 비자성층과, 상기 제1 비자성층보다 환원력이 강한 제2 비자성층을 포함하는 단위 적층체를 적어도 한 층 이상 형성하는 단계;상기 단위 적층체 상에 소정의 패턴을 갖는 마스크를 배치하는 단계; 및상기 단위 적층체 상에 이온을 조사하는 단계;를 포함하며,상기 제2 비자성층은 마스크 패턴에 의해 노출된 부분이 환원되어 강자성 패턴이 형성되고, 상기 제1 비자성층은 부분환원되어 반강자성 패턴이 형성되는 자성 패턴층 형성방법
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제9항에 있어서, 상기 제2 비자성층과 제1 비자성층은 Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Y, Zr, Nb, Mo, 및 Tc로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나 이상의 물질을 포함하는 자성 패턴층 형성방법
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비자성층의 일부 영역이 부분환원되어 반강자성 패턴이 형성된 제1자성 패턴층; 및상기 제1자성 패턴층 상에 형성되고, 비자성층의 일부 영역이 환원되어 강자성 패턴이 형성된 제2자성 패턴층;을 포함하고,상기 강자성 패턴과 상기 반강자성 패턴은 서로 대응되는 위치에 형성되고, 상기 제2 비자성층은 제1 비자성층보다 환원력이 강한 자성 패턴층
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제12항에 있어서, 상기 강자성 패턴은 수직 자화된 자성 패턴층
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제12항에 있어서, 상기 강자성 패턴과 반강자성 패턴은 서로 교환 결합(exchange coupling)하는 자성 패턴층
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환원되면 자성을 갖는 제1 비자성층과 그 위에 형성된 제2 비자성층을 포함하는 단위 적층체를 적어도 한 층 이상 형성하는 단계;상기 단위 적층체 상에 소정의 패턴을 갖는 마스크를 배치하는 단계; 및상기 단위 적층체 상에 이온을 조사하는 단계;를 포함하며,상기 마스크는 상기 조사된 이온이 전부 투과되는 제1영역과, 이온이 일부 투과되는 제2영역, 및 이온이 투과되지 않는 제3영역이 순서대로 연속 배열된 자성 패턴층 형성방법
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제15항에 있어서, 상기 마스크는 소정 간격으로 이격된 개구부가 형성되고, 상기 개구부는 상기 이온이 조사되는 방향으로 갈수록 좁아지는 테이퍼 형상을 갖는 자성 패턴층 형성방법
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제16항에 있어서, 상기 마스크는 소정 간격으로 이격된 개구부가 형성되고, 상기 개구부의 측벽은 단차를 갖는 자성 패턴층 형성방법
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제16항에 있어서, 상기 제2 비자성층은 제1 비자성층보다 환원력이 강한 자성 패턴층 형성방법
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비자성층의 일부 영역이 부분환원되어 제1반강자성 패턴이 형성되는 제1자성 패턴층; 및상기 제1자성 패턴층 상에 형성되고, 비자성층의 일부 영역이 환원되어 강자성 패턴이 형성되고, 상기 강자성 패턴의 주변부는 부분환원되어 제2반강자성 패턴이 형성되는 제2자성 패턴층;을 포함하고,상기 제1반강자성 패턴과 상기 강자성 패턴은 서로 대응되는 위치에 형성되는 자성 패턴층
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제19항에 있어서, 상기 강자성 패턴은 상기 제1반강자성 패턴, 및 제2반강자성 패턴과 각각 교환 결합(exchange coupling)하는 자성 패턴층
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제19항 또는 제20항에 따른 자성 패턴층을 포함하는 자기 저항 효과막
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