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3차원 구조체를 이용한 뉴런 칩 및 그 뉴런 칩에서의 신경세포 패터닝방법

  • 기술번호 : KST2015126211
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 3차원 물리적 구조를 이용하여 세포 부착성 물질없이 신경세포의 패터닝이 가능한 뉴런 칩 및 그 패터닝 방법에 관한 것이다. 이를 위하여 본 발명은, 실리콘 산화막이 코팅된 실리콘 기판의 일면에 포토리소그래피 및 벌크 마이크로머시닝 공정에 의해 신경세포의 네트워크 형성에 필요한 레인 패턴 및 그 레인 패턴으로 둘러쌓인 다수의 3차원 요홈이 형성된 실리콘 마스터 기판을 제조하는 제1공정; 상기 레인 패턴과 다수의 3차원 요홈이 형성된 실리콘 마스터 기판 위에 PDMS 혼합액을 부어 경화시켜 신경세포의 네트워크를 구성하는 레인과 다수의 3차원 구조체가 배열된 PDMS 기판을 형성하는 제2공정; 상기 실리콘 마스터 기판으로부터 PDMS 기판을 분리시켜 신경세포 패터닝을 위한 레인과 다수의 3차원 구조체가 배열된 PDMS 기판을 얻는 제3공정; 상기 레인과 3차원 구조체가 배열된 PDMS 기판에 신경세포를 배양하여 레인, 3차원 구조체, 레인과 3차원 구조체 중의 적어도 하나에 신경세포가 패터닝된 뉴런 칩을 얻는 제4공정;으로 이루어지는 방법, 및 그 방법에 의해 제조되는 뉴런칩을 제공한다.
Int. CL G01N 33/552 (2006.01) C12N 5/0793 (2010.01) G03F 7/00 (2006.01) C12Q 1/24 (2006.01)
CPC G01N 33/552(2013.01) G01N 33/552(2013.01) G01N 33/552(2013.01) G01N 33/552(2013.01)
출원번호/일자 1020110052177 (2011.05.31)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0080136 (2011.07.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2008-0082089 (2008.08.21)
관련 출원번호 1020080082089
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정효일 대한민국 서울특별시 서초구
2 김재영 대한민국 서울특별시 양천구
3 이종은 대한민국 서울특별시 서초구
4 김주한 대한민국 경기도 용인시 수지구
5 김재환 대한민국 인천광역시 부평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 민혜정 대한민국 서울특별시 송파구 오금로 **, ***호(방이동, 잠실리시온)(스텔라국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2011.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0409263-99
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
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번호 청구항
1 1
(a) 실리콘 산화막이 코팅된 실리콘 기판의 일면에 포토리소그래피 및 벌크 마이크로머시닝 공정에 의해 신경세포의 네트워크 형성에 필요한 레인 패턴 및 그 레인 패턴으로 둘러싸인 다수의 3차원 요홈이 형성된 실리콘 마스터 기판을 제조하는 제1공정;(b) 상기 레인 패턴과 다수의 3차원 요홈이 형성된 실리콘 마스터 기판 위에 PDMS 혼합액을 부어 경화시켜 신경세포의 네트워크를 구성하는 레인과 다수의 3차원 구조체가 배열된 PDMS 기판을 형성하는 제2공정;(c) 상기 실리콘 마스터 기판으로부터 PDMS 기판을 분리시켜 신경세포 패터닝을 위한 레인과 다수의 3차원 구조체가 배열된 PDMS 기판을 얻는 제3공정; (d) 상기 레인과 3차원 구조체가 배열된 PDMS 기판에 신경세포를 배양하여 레인, 3차원 구조체, 레인과 3차원 구조체 중의 적어도 하나에 신경세포가 패터닝된 뉴런 칩을 얻는 제4공정;으로 이루어지는 3차원 PDMS 구조체를 이용한 뉴런 칩에서의 신경세포 패터닝 방법에 있어서,상기 제1공정은, 실리콘 산화막이 코팅된 실리콘 기판의 일면에 포토리소그래피에 의해 신경세포의 네트워크 형성에 필요한 레인 패턴을 형성하는 단계; 상기 레인 패턴 사이로 노출된 실리콘 기판의 표면을 벌크 마이크로머시닝 공정에 의해 식각하여 레인 패턴으로 둘러쌓인 다수의 3차원 요홈을 형성하는 단계;로 이루어지며,상기 레인 패턴 형성단계는,(a1) 실리콘 기판의 표면에 형성된 실리콘 산화막에 포토레지스트를 코팅하는 단계;(a2) 신경세포의 네트워크 형성을 위한 레인 패턴을 가진 포토마스크를 이용하여 상기 포토레지스트에 빛을 조사하는 단계;(a3) 상기 포토레지스트를 현상하여 빛이 조사된 부분의 포토레지스트를 제거하는 단계;(a4) 상기 포토레지스트가 제거된 부분의 실리콘 산화막 층을 식각하여 신경세포 네트워크 패턴의 실리콘 산화막 층을 형성하는 단계;(a5) 빛이 조사되지 않은 부분의 포토레지스트를 제거하여 일면에 신경세포 네트워크 패턴의 실리콘 산화막 층이 형성된 실리콘 기판을 남기는 단계; 로 이루어지는 것을 특징으로 하는 3차원 PDMS 구조체를 이용한 뉴런 칩에서의 신경세포 패터닝 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 (a1) 포토레지스트를 코팅하는 단계는,실리콘 기판의 상부면에 형성된 실리콘 산화막에는 4000rpm/30sec, 65℃/10min, 실리콘 기판의 하부면에 형성된 실리콘 산화막에는 4000rpm/30sec, 65~95℃/5~10min의 조건으로 코팅하는 것을 특징으로 하는 3차원 PDMS 구조체를 이용한 뉴런 칩에서의 신경세포 패터닝방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 (a2) 포토레지스트에 빛을 조사하는 단계는,포토리소그래피 공정을 이용하여 60초동안 자외선 강도 16W/㎡로 실시하는 것을 특징으로 하는 3차원 PDMS 구조체를 이용한 뉴런 칩에서의 신경세포 패터닝방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 (a3) 상기 포토레지스트를 현상하는 단계는, AZ MIF300용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 3차원 PDMS 구조체를 이용한 뉴런 칩에서의 신경세포 패터닝방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 (a4) 상기 레인 패턴의 실리콘 산화막 층을 형성하는 단계는,BOE(buffered oxide etchant) 방법으로, 10분 동안 실시하고 세정하는 것을 특징으로 하는 3차원 PDMS 구조체를 이용한 뉴런 칩에서의 신경세포 패터닝방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 (a5) 빛이 조사되지 않은 부분의 포토레지스트를 제거하여 일면에 신경세포 네트워크 패턴의 실리콘 산화막 층이 형성된 실리콘 기판을 남기는 단계는,아세톤을 이용하여 포토레지스트를 제거한 후 세정하는 것을 특징으로 하는 3차원 PDMS 구조체를 이용한 뉴런 칩에서의 신경세포 패터닝방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 (a6) 상기 실리콘 기판의 노출된 표면을 식각하여 3차원 요홈을 형성하는 단계는,20%의 테트라메틸암모늄 하이드로옥사이드(tetramethylammonnium hydroxide) 용액의 식각화학조를 이용하여 80℃에서 30미크론/hr의 조건에서 이방성 습식 벌크 에칭방법으로 실시하는 것을 특징으로 하는 3차원 PDMS 구조체를 이용한 뉴런 칩에서의 신경세포 패터닝방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 (a7) 상기 실리콘 마스터 기판 위에 PDMS를 부어 경화시켜 PDMS 구조체를 형성하는 단계는,하드 베이크로, 80~100℃/1hr의 조건에서 실시하는 것을 특징으로 하는 3차원 PDMS 구조체를 이용한 뉴런 칩에서의 신경세포 패터닝방법
9 9
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에서 있어서, 상기 PDMS 혼합액은 폴리디메틸실록산(PDMS) 100 중량부에 대하여 경화제를 10 내지 20 중량부로 혼합한 것인, 3차원 PDMS 구조체를 이용한 뉴런 칩에서의 신경세포 패터닝방법
10 10
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 레인 패턴을 격자무늬로 형성한 것을 특징으로 하는 3차원 PDMS 구조체를 이용한 뉴런 칩에서의 신경세포 패터닝방법
11 11
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 3차원 구조체를 피라미드 구조체로 형성한 것을 특징으로 하는 3차원 PDMS 구조체를 이용한 뉴런 칩에서의 신경세포 패터닝방법
12 12
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 신경세포 패터닝방법에 의해 제조된 3차원 PDMS 구조체를 이용한 뉴런 칩
13 13
제9항의 신경세포 패터닝방법에 의해 제조된 3차원 PDMS 구조체를 이용한 뉴런 칩
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신경세포의 네트워크 형성에 필요한 레인이 형성되고 상기 레인으로 둘러싸여 3차원 구조체가 형성된 PDMS 기판에 신경세포가 패턴닝된 것을 특징으로 하는 3차원 PDMS 구조체를 이용한 뉴런 칩
15 15
제14항에 있어서, 상기 레인의 패턴이 격자무늬인 것을 특징으로 하는 3차원 PDMS 구조체를 이용한 뉴런 칩
16 16
제14항 또는 제15항 중 어느 한 항에 있어서,상기 3차원 구조체는 피라미드 구조체인 것을 특징으로 하는 3차원 PDMS 구조체를 이용한 뉴런 칩
17 17
제16항에 있어서,상기 3차원 구조체는 양각의 피라미드 구조체인 것을 특징으로 하는 3차원 PDMS 구조체를 이용한 뉴런 칩
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