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아연을 포함하는 제1 금속 전구체;인듐, 주석, 갈륨, 알루미늄 및 이들의 조합에서 선택된 금속을 포함하는 제2 금속 전구체;상기 아연의 원자가보다 작은 원자가의 금속으로 리튬을 함유한 10 내지 15 몰%의 제3 금속 전구체; 그리고박막 코팅을 향상시키기 위한 포름아미드를 포함하는 산화물 박막용 조성물
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제1 항에 있어서,상기 제3 금속 전구체는 원자가 1의 알칼리 금속 전구체를 포함하는 산화물 박막용 조성물
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제1 항에 있어서,상기 제1 금속 전구체, 제2 금속 전구체 및 제3 금속 전구체는 독립적으로 금속 질화물, 금속 아세테이트, 금속 수산화물 또는 금속 염화물계 무기염인 산화물 박막용 조성물
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제1 항에 있어서,상기 아연의 원자가와 동일하거나 보다 큰 원자가의 금속을 함유한 제4 금속 전구체를 더 포함하는 산화물 박막용 조성물
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제5 항에 있어서,상기 제1 금속 전구체, 제2 금속 전구체 및 제3 금속 전구체는 독립적으로 금속 질화물, 금속 아세테이트, 금속 수산화물 또는 금속 염화물계 무기염인 산화물 박막용 조성물
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7
제6 항에 있어서,상기 제2 금속 전구체는 인듐 전구체이고 상기 제4 금속 전구체는 이트륨 전구체인 산화물 박막용 조성물
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제5 항에 있어서,상기 제4 금속 전구체는 이트륨, 지르코늄, 하프늄, 스칸듐, 란탄니움 및 이들의 조합에서 선택되는 금속을 포함하는 산화물 박막용 조성물
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제1 항 또는 제5 항에 있어서,상기 제1 금속 전구체와 상기 제2 금속 전구체는 70:30~50:50의 몰%로 포함되는 산화물 박막용 조성물
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제1 항 또는 제5 항에 있어서,상기 금속 전구체들은 2-메톡시에탄올, 이소프로판올, 에탄올, 에틸렌글리콜, 부탄에디올, 1-부탄디올, 2-부탄디올 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹에서 선택되는 용매에 용해되는 산화물 박막용 조성물
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제1 항 또는 제5 항에 있어서,에탄올아민, 디메틸아민, 트리에탄올아민, 아세틸아세톤, 아세트산 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹에서 선택되는 착화제를 더 포함하는 산화물 박막용 조성물
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전체 용액 100몰 기준으로 99
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제13 항에 있어서, 상기 각 전구체는 질화물계, 아세테이트계, 수화물계, 또는 염화물계 무기염인 산화물 박막용 조성물
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제13 항 또는 제14 항에 있어서,상기 이트륨 전구체는 0
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제1 항의 산화물 박막용 조성물을 기판에 도포하고;상기 산화물 박막용 조성물이 도포된 기판을 350℃ 이하에서 열처리를 진행함을 포함하는 산화물 박막 제조 방법
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제16 항에 있어서,상기 열처리를 진행함은 용매를 증발시키기 위해 100~350℃에서 열처리를 진행하고;유기물을 증발하고 전기적 특성을 부여하기 위해 200~350℃에서 열처리를 진행함을 포함하는 산화물 박막 제조 방법
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전자 장치에 적용되는 비정질 산화물 박막으로서,상기 비정질 산화물 박막은:아연에서 선택되는 제1 원자;인듐, 주석, 갈륨 및 알루미늄 중 적어도 하나의 제2 원자;상기 아연보다 원자가가 작은 제3 원자로 10 내지 15 원자%의 리튬; 그리고박막 코팅을 향상시키기 위한 포름아미드를 포함하는 비정질 산화물 박막
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제18 항에 있어서,상기 아연의 원자가와 동일하거나 보다 큰 원자가의 제4 원자를 더 포함하는 비정질 산화물 박막
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제20 항에 있어서,상기 제4 원자는 이트륨, 지르코늄, 하프늄, 스칸듐, 란탄니움 및 이들의 조합에서 선택되는 비정질 산화물 박막
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제20 항에 있어서,상기 제4 원자는 0
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