맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

하프늄나이트라이드 증착 방법 및 이를 이용한 반도체 소자

  • 기술번호 : KST2015126536
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판을 하프늄과 질소를 포함하는 전구체 소스 가스에 노출시켜 상기 기판 상에 하프늄 함유층을 형성시키는 단계; 및 수소 플라즈마를 상기 하프늄 함유층과 반응시켜 하프늄나이트라이드층을 형성하는 단계; 를 포함하는 금속 질화막 형성 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 21/205 (2006.01) H01L 21/318 (2006.01)
CPC H01L 21/02181(2013.01) H01L 21/02181(2013.01) H01L 21/02181(2013.01) H01L 21/02181(2013.01)
출원번호/일자 1020130048935 (2013.04.30)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1504548-0000 (2015.03.16)
공개번호/일자 10-2014-0129954 (2014.11.07) 문서열기
공고번호/일자 (20150320) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.04.30)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김형준 대한민국 서울 영등포구
2 오일권 대한민국 서울 관악구
3 김민규 대한민국 인천 부평구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
2 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0385171-14
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2013-0420325-15
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.12.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.02.07 수리 (Accepted) 9-1-2014-0007741-51
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.03.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0159894-96
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.05.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0429684-79
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2014-0429685-14
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0642842-29
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.11.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1133551-20
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-1133550-85
13 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-0060422-60
14 등록결정서
Decision to grant		 2015.03.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0151065-11
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
게르마늄 기판에 하프늄 및 질소를 포함하는 전구체 소스 가스와 수소 플라즈마를 제공하여 상기 게르마늄 기판에 접촉하는 하프늄나이트라이드 층을 증착하는 단계; 및상기 하프늄나이트라이드 층에 상기 전구체 소스 가스와 H20를 제공하여 상기 하프늄나이트라이드 층 상에 하프늄옥사이드 층을 증착하는 단계;를 포함하는 반도체 소자 제조 방법
12 12
삭제
13 13
제11항에 있어서,상기 하프늄나이트라이드 층을 증착하는 단계는:상기 전구체 소스 가스를 상기 게르마늄 기판 상에 증착시키는 단계; 및상기 수소 플라즈마를 상기 게르마늄 기판 상에 증착된 전구체 소스 가스와 반응시켜 상기 하프늄나이트라이드 층을 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 소자 제조 방법
14 14
제13항에 있어서,상기 하프늄옥사이드 층을 증착하는 단계는:상기 하프늄나이트라이드 층의 증착에 사용된 전구체 소스 가스와 동일한 가스를 상기 하프늄나이트라이드 층 상에 증착시키는 단계; 및물을 이용하여 상기 하프늄나이트라이드 층 상에 증착된 전구체 소스 가스와 반응시켜 상기 하프늄옥사이드 층을 증착하는 단계;를 포함하는 반도체 소자 제조 방법
15 15
제11항 및 제13항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전구체 소스 가스는 TDMAH, TEMAH 및 TDEAH 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 소자 제조 방법
16 16
제11항에 있어서,상기 하프늄옥사이드 층을 증착하는 단계 후,400℃에서 질소 분위기로 10분간 어닐링하는 단계;를 더 포함하는 반도체 소자 제조 방법
17 17
제16항에 있어서,상기 어닐링하는 단계 후,상기 하프늄옥사이드 층 상에 전극을 증착하는 단계;를 더 포함하는 반도체 소자 제조 방법
18 18
제11항에 있어서,상기 하프늄나이트라이드 층을 증착하는 단계에 앞서,상기 게르마늄 기판을 실리콘 위에 성장시키는 단계; 및상기 게르마늄 기판을 희석된 불산에 담근 후 DI Water로 클리닝 하는 단계;를 더 포함하는 반도체 소자 제조 방법
19 19
삭제
20 20
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 성균관대학교산학협력단 전자정보디바이스산업원천기술개발 초미세 반도체와 플렉서블 디스플레이 공정을 위한 무기물 박막증착용 고밀도 플라즈마 기술개발
2 교육과학기술부 연세대학교 중견연구자지원 테라헤르츠 기반 초민감 다중 분자 검지 시스템
3 교육과학기술부 연세대학교 일반연구자지원 롤투롤 원자층 증착 공정을 이용한 유연 소자용 고성능 투명 산화막 연구
4 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 신기술융합형 성장동력사업 ALD기반 그래핀 FET 및 solid-state device 응용 연구