맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

초해상막 및 이를 이용한 리소그래피 방법

  • 기술번호 : KST2015126749
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일측면에 따르면 기판에 패턴을 형성하기 위한 광학 리소그래피 장치에서, 상기 기판에 탈착가능한 초해상막으로써, 상기 초해상막은 상부에 제1유전층이 위치하고, 하부에 제2유전층이 위치하며, 상기 제1유전층과 상기 제2유전층 사이에 상변화물질층이 위치하되, 상기 상변화물질층은 Sb-Se 화합물인 초해상막이 제공될 수 있다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01) G03F 7/20 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020140024589 (2014.02.28)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1566263-0000 (2015.10.30)
공개번호/일자 10-2015-0102557 (2015.09.07) 문서열기
공고번호/일자 (20151105) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.02.28)
심사청구항수 27

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 강신일 대한민국 서울특별시 동작구
2 한정진 대한민국 서울특별시 강남구
3 조익현 대한민국 서울특별시 서대문구
4 조영걸 대한민국 서울특별시 성북구
5 최세영 대한민국 경기도 고양시 일산동구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 윤병국 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***길, **, *층 (대치동, 삼호빌딩)(지성국제특허법률사무소)
2 이영규 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***길, **, *층 (대치동, 삼호빌딩)(지성국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0204436-08
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.03.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0211606-27
3 선행기술조사의뢰 취소
Revocation of Request for Prior Art Search		 2014.09.04 수리 (Accepted) 9-1-0000-0000000-00
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
5 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.10.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0945984-20
6 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2014.10.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2014.10.14 수리 (Accepted) 9-1-2014-0084258-48
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.10.14 수리 (Accepted) 9-1-2014-0081289-38
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.11.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0774596-09
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.01.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0035213-48
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0035212-03
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.03.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0163449-76
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2015-0449158-78
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.05.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0449154-96
15 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2015.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0434851-07
16 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2015.07.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0739582-93
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-0739584-84
18 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2015.08.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0540973-77
19 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2015-0983685-09
20 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.10.12 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0983682-62
21 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2015.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0735207-40
22 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2016-0823196-11
23 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-0827892-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판(210)에 패턴을 형성하기 위한 광학 리소그래피 장치에서, 상기 기판(210)에 탈착가능한 초해상막(100)으로서,상기 초해상막(100)은 상부에 제1유전층(110)이 위치하고, 하부에 제2유전층(130)이 위치하며, 상기 제1유전층(110)과 상기 제2유전층(130) 사이에 상변화물질층(120)이 위치하되, 초 미세패턴의 형성이 가능하도록, 상기 상변화물질층(120)이 Ge2Sb2Te5, Sb2Te, Sb 중에서 하나로 형성된 경우보다 상변화 온도가 낮아지게 하고, 상기 상변화물질층(120)이 Sb, Ge-Sb-Te합금, Ag-In-Sb-Te합금 중에서 하나로 형성된 경우보다 광 또는 열의 퍼짐 현상이 줄어들게 하기 위해서 상기 상변화물질층(120)은 Sb-Se 화합물로 형성되며, 상기 제1유전층(110) 및 제2유전층(130)은 산화물계, 질화물계, 탄화물계 또는 칼코지나이드계 물질이고, 상기 제1유전층(110) 상부에는 기판층(140)이 위치하며, 상기 기판층(140)은 증착면이 곡면인 경우, 유연한 탄성을 지닌 소재로 이루어질 수 있으며, 평면인 경우에는 단단한 글라스와 같은 소재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 초해상막
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 Sb-Se 화합물은 Sb65Se35인 초해상막
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서,상기 산화물계 물질은 SiO2, ZnS-SiO2, GeO2, BeO2, ZrO2, BaTiO3, SrTiO3,　TaO　인 것을 특징으로 하는 초해상막
5 5
제 1 항에 있어서,상기 질화물계 물질은 SiN4, BN, AlN 인 것을 특징으로 하는 초해상막
6 6
제 1 항에 있어서,상기 탄화물계 물질은 SiC 인 것을 특징으로 하는 초해상막
7 7
제 1 항에 있어서,상기 칼코지나이드계 물질은 ZnS, ZnSe 인 것을 특징으로 하는 초해상막
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
제 1 항에 있어서,상기 기판층(140)은 필름류로써, PC, COP, PI, PET, OPP, PE, PP,　PMMA, 아크릴이 이용되거나, 글라스류로써는 소다라임(sodalime glass), borosilicate glass, fused silica glass, 석영(quartz) 중 어느 하나가 이용되는 것을 특징으로 하는 초해상막
12 12
제 1 항에 있어서,상기 제2유전층(130) 하면은 포토레지스트(220)와의 분리를 용이하게 하기 위하여 소수성코팅층(150)을 더 포함하는 초해상막
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 소수성코팅층(150)은 PDMS의 자기조립소중합체(self-assembled oligomer)을 이용하여 형성되거나, 자기조립단분자막(self-assembled monolayer)이 증착되어 형성되는 것을 특징으로 하는 초해상막
14 14
제 13 항에 있어서, 상기 자기조립단분자막은 실란(silane) 또는 사이얼(thiol) 계얼의 자기조립단분자막인 것을 특징으로 하는 초해상막
15 15
제 1 항에 있어서,상기 제1유전층(110)의 두께는 30 ~ 500 nm 이고, 상기 상변화물질층(120)의 두께는 5 ~ 30 nm, 상기 제2유전층(130)의 두께는 5 ~ 60 nm 인 것을 특징으로 하는 초해상막
16 16
제 11 항에 있어서,상기 필름류는 두께가 5 ~　300 um인 것을 특징으로 하는 초해상막
17 17
기판(210)에 패턴을 형성하기 위하여,기판(210)을 스테이지(400) 상에 올리는 기판(210)준비단계;상기 기판(210)에 포토레지스트(220)를 코팅하는 포토레지스트(220)코팅단계;상기 포토레지스트(220) 상에 초해상막(100)을 결합하는 초해상막(100)결합단계;레이저빔을 조사하고 상기 스테이지(400)를 이동시키며 기판(210)에 패턴을 형성하는 패턴형성단계 및 초해상막(100)분리단계를 포함하되,상기 초해상막(100)은 상부에 제1유전층(110)이 위치하고, 하부에 제2유전층(130)이 위치하며, 상기 제1유전층(110)과 상기 제2유전층(130) 사이에 상변화물질층(120)이 위치하되, 상기 상변화물질층(120)은 Sb-Se 화합물이고, 상기 제1유전층(110) 및 제2유전층(130)은 산화물계, 질화물계, 탄화물계 또는 칼코지나이드계 물질이되, 상기 패턴형성단계에서 레이저빔이 조사되면, 상기 초해상막(100)의 상변화물질층(120)에서 근접장 개구(near-field aperture)가 형성되어 레이저빔이 투과되며 패턴을 형성하는 초해상막을 이용한 리소그래피 방법
18 18
제 17 항에 있어서, 상기 패턴형성단계는 레이저빔이 모듈레이션을 통해 입사되고 이를 마이크로렌즈 어레이(300)를 통해 포커싱하여 패턴을 형성하거나, DMD (digital micro mirror device)를 이용하는 등 마스크리스 방식으로 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 초해상막을 이용한 리소그래피 방법
19 19
제 17 항에 있어서, 상기 Sb-Se 화합물은 Sb65Se35인 초해상막을 이용한 리소그래피 방법
20 20
삭제
21 21
제 17 항에 있어서,상기 산화물계 물질은 SiO2, ZnS-SiO2, GeO2, BeO2, ZrO2, BaTiO3, SrTiO3,　TaO　인 것을 특징으로 하는 초해상막을 이용한 리소그래피 방법
22 22
제 17 항에 있어서,상기 질화물계 물질은 SiN4, BN, AlN 인 것을 특징으로 하는 초해상막을 이용한 리소그래피 방법
23 23
제 17 항에 있어서,상기 탄화물계 물질은 SiC 인 것을 특징으로 하는 초해상막을 이용한 리소그래피 방법
24 24
제 17 항에 있어서,상기 칼코지나이드계 물질은 ZnS, ZnSe 인 것을 특징으로 하는 초해상막을 이용한 리소그래피 방법
25 25
삭제
26 26
제 17 항에 있어서,상기 제1유전층(110) 상부에는 상기 제1유전층(110), 상기 상변화물질층(120) 및 상기 제2유전층(130)의 적층 구조를 지지하기 위한 기판층(140)이 위치하는 초해상막을 이용한 리소그래피 방법
27 27
제 26 항에 있어서,상기 기판층(140)은 증착면이 곡면인 경우, 유연한 탄성을 지닌 소재로 이루어질 수 있으며, 평면인 경우에는 단단한 글라스와 같은 소재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 초해상막을 이용한 리소그래피 방법
28 28
제 27 항에 있어서,상기 기판층(140)은 필름류로써, PC, COP, PI, PET, OPP, PE, PP,　PMMA, 아크릴이 이용되거나, 글라스류로써는 소다라임(sodalime glass), borosilicate glass, fused silica glass, 석영(quartz) 중 어느 하나가 이용되는 것을 특징으로 하는 초해상막을 이용한 리소그래피 방법
29 29
제 17 항에 있어서,상기 제2유전층(130) 하면은 포토레지스트(220)와의 분리를 용이하게 하기 위하여 소수성코팅층(150)을 더 포함하는 초해상막을 이용한 리소그래피 방법
30 30
제 29 항에 있어서, 상기 소수성코팅층(150)은 PDMS의 자기조립소중합체(self-assembled oligomer)을 이용하여 형성되거나, 자기조립단분자막(self-assembled monolayer)이 증착되어 형성되는 것을 특징으로 하는 초해상막을 이용한 리소그래피 방법
31 31
제 30 항에 있어서, 상기 자기조립단분자막은 실란(silane) 또는 사이얼(thiol) 계얼의 자기조립단분자막인 것을 특징으로 하는 초해상막을 이용한 리소그래피 방법
32 32
제 17 항에 있어서,상기 제1유전층(110)의 두께는 30 ~ 500 nm 이고, 상기 상변화물질층(120)의 두께는 5 ~ 30 nm, 상기 제2유전층(130)의 두께는 5 ~ 60 nm 인 것을 특징으로 하는 초해상막을 이용한 리소그래피 방법
33 33
제 28 항에 있어서,상기 필름류는 두께가 5 ~　300 um인 것을 특징으로 하는 초해상막을 이용한 리소그래피 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP06046183 JP 일본 FAMILY
2 JP27165568 JP 일본 FAMILY
3 US09519222 US 미국 FAMILY
4 US20150248061 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2015165568 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP6046183 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US2015248061 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US9519222 US 미국 DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 연세대학교 산학협력단 선도연구센터지원사업 ERC/초정밀 광 기계기술 연구센터(1/4,1단계)(2015.8.1~2019.2.28)