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투명 유전체 박막 형성용 코팅액으로서,알루미늄을 포함하는 제1 물질 전구체와,지르코늄을 포함하는 제2 물질 전구체와,상기 제1 물질 전구체 및 제2 물질 전구체를 용해시키는 용매를 포함하고,상기 용매는 제1 용매 및 제2 용매로 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명 유전체 박막 형성용 코팅액
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청구항 1에 있어서, 상기 제1 물질 전구체는 알루미늄 질화물(aluminum nitride), 알루미늄 염화물(aluminum chloride) 및 알루미늄 아세트산염(aluminum acetate) 중 하나이고, 상기 제2 물질 전구체는 지르코늄 질화물(zirconium nitride), 지르코늄 염화물(zirconium chloride) 및 지르코늄 아세트산염(zirconium acetate) 중 하나인 것을 특징으로 하는 투명 유전체 박막 형성용 코팅액
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청구항 2에 있어서, 상기 제1 물질 전구체와 제2 물질 전구체는 97:3 내지 50:50의 비율로 혼합되는 것을 특징으로 하는 투명 유전체 박막 형성용 코팅액
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청구항 2에 있어서, 상기 제1 용매와 제2 용매로서, 아세토나이트릴, 에틸렌글리콜, 2메톡시에탄올, 암모니아수, 아세트산, 아이소프로필알코올 중 선택되는 2개의 용매를 이용하는 것을 특징으로 하는 투명 유전체 박막 형성용 코팅액
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청구항 4에 있어서, 상기 제1 용매와 제2 용매는 30:70~70:30의 비율로 혼합되는 것을 특징으로 하는 투명 유전체 박막 형성용 코팅액
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투명 유전체 박막 제조 방법으로서,제1 물질 전구체와, 제2 물질 전구체를 2개의 용매가 혼합된 용매에 용해시켜 코팅액을 준비하는 단계와,상기 코팅액을 용액 공정에 기반하여 기판에 제공하여 그 기판 상에 박막을 형성하는 단계와,상기 기판에 형성된 박막에 대해 300℃ 이하의 온도에서 열처리를 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 유전체 박막 제조 방법
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청구항 6에 있어서, 상기 제1 물질 전구체는 알루미늄 질화물(aluminum nitride), 알루미늄 염화물(aluminum chloride) 및 알루미늄 아세트산염(aluminum acetate) 중 하나이고, 상기 제2 물질 전구체는 지르코늄 질화물(zirconium nitride), 지르코늄 염화물(zirconium chloride) 및 지르코늄 아세트산염(zirconium acetate) 중 하나인 것을 특징으로 하는 투명 유전체 박막 제조 방법
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청구항 7에 있어서, 상기 제1 용매와 제2 용매로서, 아세토나이트릴, 에틸렌글리콜, 2메톡시에탄올, 암모니아수, 아세트산, 아이소프로필알코올 중 선택되는 2개의 용매를 이용하는 것을 특징으로 하는 투명 유전체 박막 제조 방법
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청구항 6에 있어서, 상기 열처리는 약 250℃의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 투명 유전체 박막 제조 방법
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알루미늄 질화물(aluminum nitride), 알루미늄 염화물(aluminum chloride) 및 알루미늄 아세트산염(aluminum acetate) 중 선택되는 제1 전구체 물질과, 지르코늄 질화물(zirconium nitride), 지르코늄 염화물(zirconium chloride) 및 지르코늄 아세트산염(zirconium acetate) 중 선택되는 제2 전구체 물질을 아세토나이트릴, 에틸렌글리콜, 2메톡시에탄올, 암모니아수, 아세트산, 아이소프로필알코올 중 선택되는 2개의 용매가 혼합된 용매에 용해시켜 형성한 코팅액을 이용하여 형성한 유전체 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 무기 박막 트랜지스터
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청구항 10에 있어서, 상기 유전체 박막은 300℃ 이하의 온도에서 열처리하여 형성된 것을 특징으로 하는 투명 무기 박막 트랜지스터
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