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기판위에 형성된 나노구조 층에 포토레지스트를 도포하는 단계;상기 기판의 저면을 통해 광원을 조사하여 상기 포토레지스트를 노광시키는 단계; 및상기 노광된 포토레지스트를 현상하는 단계를 포함하는 나노구조체 제조 방법
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기판위에 형성된 나노구조 층에 포토레지스트를 도포하는 단계;상기 기판의 저면을 통해 광원을 조사하여 상기 포토레지스트를 노광시키는 단계;상기 노광된 포토레지스트를 제거하는 단계;상기 포토레지스트위에 유전체 또는 비금속물질을 증착시키는 단계; 및상기 노광된 포토레지스트층을 현상하는 단계를 포함하는 나노구조체 제조 방법
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기판위에 형성된 나노구조 층에 포토레지스트를 도포하는 단계;상기 기판의 저면을 통해 광원을 조사하여 상기 포토레지스트를 노광시키는 단계;상기 노광된 포토레지스트를 현상하는 단계;상기 현상된 포토레지스트 위에 박막을 증착하는 단계; 및상기 포토레지스트층을 제거하는 단계를 포함하는 나노구조체 제조 방법
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기판위에 형성된 나노구조 층에 유전체 또는 비금속물질층을 증착시키는 단계;상기 증착된 유전체 또는 비금속물질층위에 포토레지스트를 도포하는 단계;상기 기판의 일면을 통해 광원을 조사하여 상기 포토레지스트를 노광시키는 단계;상기 노광된 포토레지스트를 현상하는 단계;상기 현상된 포토레지스트층 위에 박막을 증착하는 단계; 및상기 포토레지스트층을 제거하는 단계를 포함하는 나노구조체 제조 방법
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제1 항 내지 제4 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 포토레지스트를 노광시키는 단계는,상기 광원의 입사 특성에 따른 상기 나노구조 층의 투과 영역 또는 표면 근접장 발생 영역을 노광시키는 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조 방법
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제5 항에 있어서,상기 입사 특성은 입사 방향 및 광원의 세기 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조 방법
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제3 항 또는 제4 항에 있어서,상기 박막은 금속물질 및 비금속물질 중 어느 하나이거나 둘의 조합인 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조 방법
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제7 항에 있어서,상기 금속물질은 Au, Al, Ag, Cr, Ni, Ti 중 어느 하나 또는 둘 이상의 조합인 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조 방법
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제7 항에 있어서,상기 비금속물질은 Si, SiO2 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조 방법
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제1항 내지 제4 항 중 어느 하나의 항에 따른 방법에 의해 제조된 나노 구조체
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제1 항 내지 제4 항 중 어느 하나의 항에 따른 방법에 의해 제조된 나노구조체를 포함하는 바이오센서
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기판 일면에 형성되며 복수의 나노구조를 포함하는 나노구조 층; 및상기 나노구조 내부 또는 상기 나노구조 층위에 형성되는 나노갭을 포함하되,상기 나노갭은 상기 나노구조 층 위에 도포된 포토레지스트의 노광 및 현상 공정을 통해 상기 기판의 저면을 통해 조사되는 광원이 상기 나노구조를 투과하는 영역 또는 상기 나노구조의 표면에서 발생되는 근접장 영역에 국소화시켜 측정 대상에 일치되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 나노구조체
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기판 일면에 형성되며, 복수의 나노구조를 포함하는 나노구조 층; 및상기 나노구조 내부 또는 상기 나노구조 층위에 형성되는 박막층을 포함하되,상기 박막은 상기 나노구조 층 위에 도포된 포토레지스트의 노광 및 현상 공정을 통해 상기 기판의 저면을 통해 조사되는 광원이 상기 나노구조를 투과하는 영역 또는 상기 나노구조 층의 표면에서 발생되는 근접장 영역을 국소화시켜 측정 대상에 일치되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 나노구조체
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