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반도체 제조 공정에 포함되는 프로세스에서 기설정된 시간 동안, 반도체의 제조 조건과 관련된 적어도 하나의 파라미터의 측정 데이터 및 참조 데이터를 획득하는 단계;상기 측정 데이터 및 상기 참조 데이터에 대해 각각 주성분 분석(principal components analysis)에 따라 획득된 적어도 하나의 주성분 파라미터를 이용하여 상기 측정 데이터 및 상기 참조 데이터를 변환하는 단계; 상기 변환된 측정 데이터 및 상기 변환된 참조 데이터 각각의 주성분 파라미터, 분포도의 분산 및 평균값 중 적어도 하나를 비교하여, 상기 변환된 측정 데이터 및 상기 변환된 참조 데이터 간의 유사도를 산출하는 단계; 및 상기 산출된 유사도에 기초하여, 상기 프로세스에서 이상을 감지하는 단계를 포함하는 반도체 제조 공정에서의 이상 감지 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 유사도를 산출하는 단계는,상기 변환된 측정 데이터 및 상기 변환된 참조 데이터 간에 제 1 거리 척도 정보, 제 2 거리 척도 정보 및 제 3 거리 척도 정보 중 적어도 하나를 획득하는 단계를 포함하고,상기 제 1 거리 척도 정보는 상기 변환된 측정 데이터의 제 1 주성분 파라미터와 상기 변환된 참조 데이터의 제 1 주성분 파라미터간에 형성되는 각도에 기초한 정보이고,상기 제 2 거리 척도 정보는 상기 변환된 측정 데이터의 분포도와 상기 변환된 참조 데이터의 분포도 간에 비율에 기초한 정보이고,상기 제 3 거리 척도 정보는 상기 변환된 측정 데이터의 평균값과 상기 변환된 참조 데이터의 평균값 간에 차이에 기초한 정보인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 공정에서의 이상 감지 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 제 2 거리 척도 정보는,상기 변환된 측정 데이터의 제 n 번째 고유값(eigen value) 및 상기 변환된 참조 데이터의 제 n 번째 고유값(eigen value) 간에 비율을 기초로 결정되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 공정에서의 이상 감지 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 이상을 감지하는 단계는,상기 제 1 거리 척도 정보, 상기 제 2 거리 척도 정보 및 상기 제 3 거리 척도 정보가 각각의 정보에 대한 제1 내지 제3 임계값을을 초과하는지 여부를 판단하는 단계; 및상기 제 1 거리 척도 정보, 상기 제 2 거리 척도 정보 및 상기 제 3 거리 척도 정보 중 적어도 하나가 상기 제1 내지 제3 임계값을 초과하는 경우 상기 프로세스에 이상이 있는 것으로 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 공정에서의 이상 감지 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 임계값은, 상기 변환된 참조 데이터에 포함되는 각각의 성분들간의 거리값 및 상기 각각의 성분들간의 거리값의 중앙값을 기초로 결정되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 공정에서의 이상 감지 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 임계값은, 상기 각각의 성분들간의 거리값 및 상기 각각의 성분들간의 거리값의 중앙값을 기초로 햄펠(hampel) 모델에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 공정에서의 이상 감지 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 프로세스에서 이상을 감지하는 경우, 이상이 감지된 파라미터 정보 및 상기 프로세스에 포함된 제조 공정의 정보를 통지하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 공정에서의 이상 감지 방법
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반도체 제조 공정에 포함되는 프로세스에서 기설정된 시간 동안, 상기 반도체의 제조 조건과 관련된 적어도 하나의 파라미터의 측정 데이터 및 참조 데이터를 획득하는 입력부;상기 측정 데이터 및 상기 참조 데이터에 대해 각각 주성분 분석에 따라 획득된 적어도 하나의 주성분 파라미터를 이용하여 상기 측정 데이터 및 상기 참조 데이터를 변환하고, 상기 변환된 측정 데이터 및 상기 변환된 참조 데이터 각각의 주성분 파라미터, 분포도의 분산 및 평균값 중 적어도 하나를 비교하여, 상기 변환된 측정 데이터 및 상기 변환된 참조 데이터 간의 유사도를 산출하는 제어부; 및 상기 산출된 유사도에 기초하여, 상기 프로세스에서 이상을 감지하는 감지부를 포함하는 반도체 제조 공정에서의 이상 감지 장치
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제 8 항에 있어서, 상기 제어부는,상기 변환된 측정 데이터 및 상기 변환된 참조 데이터 간에 제 1 거리 척도 정보, 제 2 거리 척도 정보 및 제 3 거리 척도 정보 중 적어도 하나를 획득하고, 상기 제 1 거리 척도 정보는 상기 변환된 측정 데이터의 제 1 주성분 파라미터와 상기 변환된 참조 데이터의 제 1 주성분 파라미터간에 형성되는 각도에 기초한 정보이고,상기 제 2 거리 척도 정보는 상기 변환된 측정 데이터의 분포도와 상기 변환된 참조 데이터의 분포도 간에 비율에 기초한 정보이고,상기 제 3 거리 척도 정보는 상기 변환된 측정 데이터의 평균값과 상기 변환된 참조 데이터의 평균값 간에 차이에 기초한 정보인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 공정에서의 이상 감지 장치
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제 9 항에 있어서, 상기 제 2 거리 척도 정보는,상기 변환된 측정 데이터의 제 n 번째 고유값(eigen value) 및 상기 변환된 참조 데이터의 제 n 번째 고유값(eigen value) 간에 비율을 기초로 결정되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 공정에서의 이상 감지 장치
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제 9 항에 있어서, 상기 감지부는,상기 제 1 거리 척도 정보, 상기 제 2 거리 척도 정보 및 상기 제 3 거리 척도 정보가 각각의 정보에 대한 제 1 내지 제 3 임계값을 초과하는지 여부를 판단하고,상기 제 1 거리 척도 정보, 상기 제 2 거리 척도 정보 및 상기 제 3 거리 척도 정보 중 적어도 하나가 상기 제 1 내지 제 3 임계값을 초과하는 경우 상기 프로세스에 이상이 있는 것으로 판단하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 공정에서의 이상 감지 장치
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제 11 항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 3 임계값은, 상기 변환된 참조 데이터에 포함되는 각각의 성분들간의 거리값 및 상기 각각의 성분들간의 거리값의 중앙값을 기초로 결정되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 공정에서의 이상 감지 장치
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제 12 항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 3 임계값은, 상기 각각의 성분들간의 거리값 및 상기 각각의 성분들간의 거리값의 중앙값을 기초로 햄펠(hampel) 모델에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 공정에서의 이상 감지 장치
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제 8 항에 있어서, 상기 프로세스에서 이상을 감지하는 경우, 이상이 감지된 파라미터 정보 및 상기 프로세스에 포함된 제조 공정의 정보를 통지하는 출력부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 공정에서의 이상 감지 장치
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제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 방법을 컴퓨터에서 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록매체
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