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반도체 기판 상에 HfO2 와 SiO2를 화학기상증착법을 이용하여 증착하여 하프늄 실리케이트 박막을 형성하는 단계; 및
상기 박막이 형성된 반도체 기판을 불활성 가스 분위기에서 온도 600 내지 900°C로 열처리하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 하프늄 실리케이트 박막 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 반도체 기판은 실리콘 또는 실리콘 옥사이드인 것을 특징으로 하는 하프늄 실리케이트 박막 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 HfO2 는 20% 내지 80% 것을 특징으로 하는 하프늄 실리케이트 박막 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 HfO2 는 35% 내지 65% 것을 특징으로 하는 하프늄 실리케이트 박막 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 하프늄 실리케이트 박막은 1nm 내지 4nm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 하프늄 실리케이트 박막 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 하프늄 실리케이트 박막은 2nm 내지 3nm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 하프늄 실리케이트 박막 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 불활성 가스는 N2 또는 Ar인 것을 특징으로 하는 하프늄 실리케이트 박막 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 온도는 650 내지 750°C 인 것을 특징으로 하는 하프늄 실리케이트 박막 제조방법
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반도체 기판 상에 HfO2 와 SiO2를 화학기상증착법을 이용하여 증착하여 1nm 내지 4nm 두께의 하프늄 실리케이트 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 하프늄 실리케이트 박막 제조방법
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제9항에 있어서,
상기 반도체 기판은 실리콘 또는 실리콘 옥사이드인 것을 특징으로 하는 하프늄 실리케이트 박막 제조방법
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제9항에 있어서,
상기 HfO2 는 20% 내지 80% 것을 특징으로 하는 하프늄 실리케이트 박막 제조방법
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12
제9항에 있어서,
상기 HfO2 는 35% 내지 65% 것을 특징으로 하는 하프늄 실리케이트 박막 제조방법
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제9항에 있어서,
상기 하프늄 실리케이트 박막은 2nm 내지 3nm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 하프늄 실리케이트 박막 제조방법
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반도체 기판 상에 HfO2 가 20% 내지 80%의 조성비를 가지도록 HfO2 와 SiO2를 화학기상증착법을 이용하여 증착하여 하프늄 실리케이트 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 하프늄 실리케이트 박막 제조방법
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제14항에 있어서,
상기 반도체 기판은 실리콘 또는 실리콘 옥사이드인 것을 특징으로 하는 하프늄 실리케이트 박막 제조방법
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제14항에 있어서,
상기 HfO2 는 35% 내지 65% 것을 특징으로 하는 하프늄 실리케이트 박막 제조방법
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