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기판상에 형성되는 반도체 칩들;상기 기판상에 형성되고, 상기 반도체 칩들 간에 테스트 신호를 전달하는 테스트신호 전달부;상기 기판상에 형성되고, 상기 반도체 칩들 각각에 제공되며, 상기 테스트 신호에 의해 상기 반도체 칩 내의 적어도 하나의 반도체 회로로부터 출력되는 테스트 결과를 입력 정보로 하여 상기 적어도 하나의 반도체 회로의 테스트 결과에 따라 상기 반도체 칩에 대한 테스트 출력 값을 내보내는 테스트 출력부; 및상기 기판상에 형성되고, 인접하는 반도체 칩의 테스트 출력부로부터 출력되는 테스트 출력 값을 비교하여, 상기 반도체 칩들을 병렬적으로 테스트하는 테스트출력 비교부를 포함하고,상기 테스트신호 전달부는, 기본 반도체 칩으로부터 상하좌우로 확산하는 형태로 상기 테스트 신호를 반도체 칩들 간에 전파하고, 상기 테스트 신호를 수신한 반도체 칩으로부터 상기 테스트 신호의 기설정된 진행 방향에 위치한 다른 반도체 칩으로 상기 테스트 신호를 전파하는 반도체 웨이퍼
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제13 항에 있어서,상기 테스트출력 비교부는, 상기 반도체 칩들 간의 스크라이브(scribe) 영역에 형성되는 반도체 웨이퍼
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제13 항에 있어서,상기 테스트출력 비교부는, 인접하는 반도체 칩들 간에 다른 테스트 출력 값을 갖는 반도체 칩을 탐색하여 상기 반도체 칩들을 병렬 테스트하는 반도체 웨이퍼
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제15 항에 있어서,상기 테스트출력 비교부는,인접하는 반도체 칩들 간의 테스트 출력 값을 비교하는 XOR 게이트; 및상기 XOR 게이트의 출력 값을 저장하는 플립플롭을 포함하는 반도체 웨이퍼
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제13 항에 있어서,상기 반도체 칩들은, 상기 인접하는 반도체 칩들 간에 대칭 구조를 이루도록, 상기 기판상에 거울식 반전 구조로 형성되는 반도체 웨이퍼
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제13 항에 있어서,상기 테스트출력 비교부는,수평 방향으로 인접한 반도체 칩들 간의 테스트 출력 값을 비교하여 수평비교 매트릭스를 산출하고, 수직 방향으로 인접한 반도체 칩들 간의 테스트 출력 값을 비교하여 수직비교 매트릭스를 산출하고, 상기 수평비교 매트릭스와 상기 수직비교 매트릭스의 성분 값이 모두 1인 성분만을 1의 값으로 기록하여 미러링 비교 마스크셋 매트릭스를 생성하고, 상기 미러링 비교 마스크셋 매트릭스에서 1의 성분 값을 나타내는 반도체 칩을 불량 반도체 칩으로 판별하며,상기 테스트신호 전달부는,상기 반도체 칩들 간의 전파 경로를 선택하는 디멀티플렉서(demultiplexer); 및상기 디멀티플렉서를 제어하고, 상기 테스트 출력 값을 스캔 체인(scan chain) 형식으로 상기 기본 반도체 칩으로 전달하는 제어부를 포함하는 반도체 웨이퍼
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기판상에 형성되는 반도체 칩들 간에 테스트 신호를 전달하는 단계;상기 반도체 칩들 각각이 상기 테스트 신호에 의해 각 반도체 칩 내의 적어도 하나의 반도체 회로로부터 출력되는 테스트 결과를 입력 정보로 하여 상기 적어도 하나의 반도체 회로의 테스트 결과에 따라 상기 반도체 칩에 대한 테스트 출력 값을 내보내는 단계;인접하는 반도체 칩들의 테스트 출력부로부터 출력되는 테스트 출력 값을 비교하여, 상기 반도체 칩들을 병렬적으로 테스트하는 단계를 포함하고,상기 반도체 칩들을 병렬적으로 테스트하는 단계는,수평 방향으로 인접한 반도체 칩들 간의 테스트 출력 값을 비교하여 수평비교 매트릭스를 산출하는 단계;수직 방향으로 인접한 반도체 칩들 간의 테스트 출력 값을 비교하여 수직비교 매트릭스를 산출하는 단계;상기 수평비교 매트릭스와 상기 수직비교 매트릭스의 성분 값이 모두 1인 성분만을 1의 값으로 기록하여 미러링 비교 마스크셋 매트릭스를 생성하는 단계; 및상기 미러링 비교 마스크셋 매트릭스에서 1의 성분 값을 나타내는 반도체 칩을 불량 반도체 칩으로 판별하는 단계를 포함하며,상기 반도체 칩들 간에 테스트 신호를 전달하는 단계는,기본 반도체 칩으로부터 상하좌우로 확산하는 형태로 상기 테스트 신호를 상기 반도체 칩들 간에 전파하고, 상기 테스트 신호를 수신한 반도체 칩으로부터 상기 테스트 신호의 기설정된 진행 방향에 위치한 다른 반도체 칩으로 상기 테스트 신호를 전파하는 반도체 테스트 방법
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기판상에 형성되는 반도체 칩들, 상기 반도체 칩들 간에 형성되는 테스트신호 전달부, 상기 반도체 칩들에 구비되는 테스트 출력부, 및 상기 반도체 칩들 간의 스크라이브(scribe) 영역에 형성되는 테스트출력 비교부를 구비한 반도체 웨이퍼를 제조하는 단계;상기 테스트신호 전달부에 의해 상기 반도체 칩들 간에 테스트 신호를 전달하고, 상기 테스트 출력부가 상기 테스트 신호에 의해 각 반도체 칩 내의 적어도 하나의 반도체 회로로부터 출력되는 테스트 결과를 입력 정보로 하여 상기 적어도 하나의 반도체 회로의 테스트 결과에 따라 상기 반도체 칩에 대한 테스트 출력 값을 내보내고, 상기 테스트출력 비교부에 의해 인접하는 반도체 칩의 테스트 출력 값을 비교하여 상기 반도체 칩들을 병렬 테스트하는 단계; 및상기 반도체 칩들을 병렬적으로 테스트한 후, 상기 반도체 웨이퍼를 상기 스크라이브 영역을 기준으로 절취하여 복수의 반도체 칩을 제조하는 단계를 포함하고,상기 테스트신호 전달부는, 기본 반도체 칩으로부터 상하좌우로 확산하는 형태로 상기 테스트 신호를 상기 반도체 칩들 간에 전파하고, 상기 테스트 신호를 수신한 반도체 칩으로부터 상기 테스트 신호의 기설정된 진행 방향에 위치한 다른 반도체 칩으로 상기 테스트 신호를 전파하며,상기 반도체 칩들을 병렬 테스트하는 단계는,수평 방향으로 인접한 반도체 칩들 간의 테스트 출력 값을 비교하여 수평비교 매트릭스를 산출하는 단계;수직 방향으로 인접한 반도체 칩들 간의 테스트 출력 값을 비교하여 수직비교 매트릭스를 산출하는 단계;상기 수평비교 매트릭스와 상기 수직비교 매트릭스의 성분 값이 모두 1인 성분만을 1의 값으로 기록하여 미러링 비교 마스크셋 매트릭스를 생성하는 단계; 및상기 미러링 비교 마스크셋 매트릭스에서 1의 성분 값을 나타내는 반도체 칩을 불량 반도체 칩으로 판별하는 단계를 포함하는 반도체 칩 제조 방법
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