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기판 상에 고유전율 금속 산화막을 형성하는 단계와;상기 금속 산화막에 대해 후속 열공정(PDA)을 수행하는 단계와;상기 후속 열공정을 수행한 금속 산화막에 대하여 플라즈마 가스를 이용하여 건식 세정하는 단계로서, 상기 건식 세정 단계는 질소, 수소 및 불소를 포함하는 반응가스에 플라즈마 가스를 적용하여 활성화된 불소(F)를 형성하고, 이 활성화된 불소가 상기 금속 산화막을 통해 확산하여 상기 기판과 금속 산화막 사이에 형성되는 계면 산화막과 반응하도록 하여, 상기 계면 산화막을 구성하는 물질의 산소를 분해하여 상기 금속 산화막 중으로 확산시키는 것인, 상기 건식 세정 단계와;200℃ 이하의 온도의 어닐링 열처리를 수행하여, 상기 활성화된 불소와 계면 산화막과의 반응의 결과 형성되는 부산물을 제거하는 단계와;상기 금속 산화막 상에 게이트 전극막을 형성하는 단계와;상기 금속 산화막과 게이트 전극막을 식각하여 게이트 영역을 형성하는 단계와;소스/드레인을 형성하는 단계와;층간 절연막을 형성하는 단계와;상기 층간 절연막에 컨택트 홀을 형성하고 통전 물질을 증착하여 컨택트를 형성하는 단계와;상기 컨택트를 비롯한 층간 절연막 상에 금속막을 형성하고 패터닝하여 금속 배선을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 계면 산화막의 두께는 상기 건식 세정 공정을 수행하지 않은 경우의 계면 산화막의 두께보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 플라즈마 가스로서, He, Ne, Ar 또는 N2를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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청구항 5에 있어서, 상기 반응 가스로서, NF3+NH3, NH3+HF 또는 N2+H2+HF를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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청구항 1, 청구항 5 및 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서, 상기 고유전율 금속산화막으로서 Al2O3, HfO2, ZrO2, HfAlO를 포함하는 군으로부터 선택되는 금속 산화물 또는 금속 질화물 또는 그 조합을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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청구항 7에 있어서, 상기 게이트 전극막으로서, Al, W, Cu, Pt, TiN, TaN, Ti, Ta, Pt를 포함하는 군으로부터 선택되는 금속 물질 또는, doped Si,WSix, NiSix, CoSix, TiSix를 포함하는 군으로부터 실리콘 금속 화합물을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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청구항 8에 있어서, 상기 층간 절연막으로서, SiOx, SiNx, SiCOx, SiCOxNy, SiCOxHy 및 이들의 조합으로부터 선택된 화합물을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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청구항 9에 있어서, 상기 통전 물질로서, Al, W, Cu, Pt, TiN, TaN, Ti, Ta, Pt를 포함하는 군으로부터 선택되는 금속 물질 또는, doped Si,WSix, NiSix, CoSix, TiSix를 포함하는 군으로부터 실리콘 금속 화합물을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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