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공정 변화 감지 장치 및 이를 포함하는 반도체 장치

  • 기술번호 : KST2015127776
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 제조 공정의 변화에 의한 트랜지스터의 특성 변화를 감지하는 공정 변화 감지 장치와 이를 포함하는 반도체 장치를 개시한다.본 발명의 넓은 형태 중 하나는 각각 채널의 폭 또는 길이가 상이한 제 1 트랜지스터를 포함하는 제 1 오실레이터 및 제 2 오실레이터, 각각 채널의 폭 또는 길이가 상이한 제 1 트랜지스터를 포함하는 제 2 오실레이터 및 제 4 오실레이터, 제 1 및 제 2 오실레이터에서 출력된 신호들의 주기 차이에 대응하는 값을 제 3 및 제 4 오실레이터에서 출력된 신호들의 주기 차이에 대응하는 값으로 나눈 값에 대응하는 값을 출력하는 인코더를 포함하는 공정 변화 감지 장치에 관한 것이다.본 발명의 넓은 형태 중 다른 하나는 위와 같은 공정 변화 장치를 그 내부에 포함하는 반도체 장치에 관한 것이다.
Int. CL H01L 21/66 (2006.01)
CPC H01L 22/14(2013.01) H01L 22/14(2013.01)
출원번호/일자 1020120008737 (2012.01.30)
출원인 에스케이하이닉스 주식회사, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0087693 (2013.08.07) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.12.20)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정성욱 대한민국 서울 강남구
2 유경호 대한민국 서울 서초구
3 안영재 대한민국 경기 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김선종 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 *** (서초동, 서초현대타워아파트) ****(김선종 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0072445-21
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2012-5073964-60
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2012-5270171-92
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2015-5055330-26
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2016-1250548-28
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.07.11 수리 (Accepted) 9-1-2017-0021912-05
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0684923-17
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.11.10 무효 (Invalidation) 1-1-2017-1119864-91
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.11.10 수리 (Accepted) 1-1-2017-1119859-62
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.11.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1119865-36
15 보정요구서
Request for Amendment
2017.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0168468-10
16 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2017.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-1175486-37
17 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2017.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0170934-99
18 등록결정서
Decision to grant
2017.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0892689-95
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
각각 채널의 폭 또는 길이가 상이한 제 1 트랜지스터를 포함하는 제 1 오실레이터 및 제 2 오실레이터;각각 채널의 폭 또는 길이가 상이한 상기 제 1 트랜지스터를 포함하는 제 3 오실레이터 및 제 4 오실레이터 및상기 제 1 오실레이터 및 상기 제 2 오실레이터에서 출력된 신호들의 주기 차이에 대응하는 값을 상기 제 3 오실레이터 및 상기 제 4 오실레이터에서 출력된 신호들의 주기 차이에 대응하는 값으로 나눈 값에 대응하는 값을 출력하는 인코더를 포함하는 공정 변화 감지 장치
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 제 1 오실레이터의 상기 제 1 트랜지스터와 상기 제 2 오실레이터의 상기 제 1 트랜지스터는 채널의 길이는 동일하고 채널의 폭은 상이한 공정 변화 감지 장치
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 제 3 오실레이터의 상기 제 1 트랜지스터와 상기 제 4 오실레이터의 상기 제 1 트랜지스터는 채널의 길이는 동일하고 채널의 폭은 상이한 공정 변화 감지 장치
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 제 1 내지 제 4 오실레이터 각각은 상기 제 1 트랜지스터를 포함하는 인버터를 포함하는 링 오실레이터인 공정 변화 감지 장치
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 제 1 내지 제 4 오실레이터 각각은 상기 링 오실레이터에서 출력된 신호의 주파수를 낮추는 주파수 감소부를 더 포함하는 공정 변화 감지 장치
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 공정 변화 감지 장치는 상기 제 1 오실레이터와 상기 제 2 오실레이터에서 출력된 신호들의 주기 차이를 감지하는 제 1 비교기 및상기 제 3 오실레이터와 상기 제 4 오실레이터에서 출력된 신호들의 주기 차이를 감지하는 제 2 비교기를 더 포함하는 공정 변화 감지 장치
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 인코더는 상기 제 1 비교기의 출력에 대응하는 디지털코드를 생성하는 제 1 연산부 및;상기 제 2 비교기의 출력에 따라 정해지는 회수만큼 상기 디지털코드를 쉬프팅하는 제 2 연산부를 포함하는 공정 변화 감지 장치
8 8
청구항 7에 있어서, 상기 제 1 연산부는 상기 제 1 비교기의 활성화 구간 동안 클록을 카운팅하여 상기 디지털코드를 생성하는 공정 변화 감지 장치
9 9
청구항 8에 있어서, 상기 제 2 연산부는 상기 클록 두 개마다 한 번씩 상기 디지털코드를 쉬프팅하는 공정 변화 감지 장치
10 10
청구항 6에 있어서, 상기 인코더는 상기 제 1 비교기의 출력이 활성화되는 구간동안 클록을 카운팅하여 디지털코드를 생성하되, 그 이후 상기 제 2 비교기의 출력이 활성화되면 상기 제 2 비교기의 출력이 활성화된 구간동안 상기 클록의 개수에 따라 정해지는 회수만큼 상기 디지털코드를 쉬프팅하는 공정 변화 감지 장치
11 11
청구항 10에 있어서, 상기 쉬프팅은 상기 클록 두 개마다 한 번씩 수행되는 공정 변화 감지 장치
12 12
청구항 1에 있어서, 상기 제 1 내지 제 4 오실레이터는 제 2 트랜지스터를 더 포함하는 공정 변화 감지 장치
13 13
청구항 12에 있어서,각각 채널의 폭 또는 길이가 상이한 상기 제 2 트랜지스터를 포함하는 제 5 오실레이터 및 제 6 오실레이터 및각각 채널의 폭 또는 길이가 상이한 상기 제 2 트랜지스터를 포함하는 제 7 오실레이터 및 제 8 오실레이터를 더 포함하는 공정 변화 감지 장치
14 14
청구항 13에 있어서, 상기 인코더는 상기 제 5 오실레이터 및 상기 제 6 오실레이터에서 출력된 신호들의 주기 차이에 대응하는 값을 상기 제 7 오실레이터 및 상기 제 8 오실레이터에서 출력된 신호들의 주기 차이에 대응하는 값으로 나눈 값에 대응하는 값을 더 출력하는 공정 변화 감지 장치
15 15
청구항 14에 있어서, 상기 공정 변화 감지 장치는 상기 제 5 오실레이터와 상기 제 6 오실레이터에서 출력된 신호들의 주기 차이를 감지하는 제 3 비교기 및상기 제 7 오실레이터와 상기 제 8 오실레이터에서 출력된 신호들의 주기 차이를 감지하는 제 4 비교기를 더 포함하는 공정 변화 감지 장치
16 16
각각 채널의 폭 또는 길이가 상이한 제 1 트랜지스터를 포함하는 제 1 오실레이터 및 제 2 오실레이터;각각 채널의 폭 또는 길이가 상이한 상기 제 1 트랜지스터를 포함하는 제 3 오실레이터 및 제 4 오실레이터 및상기 제 1 오실레이터 및 상기 제 2 오실레이터에서 출력된 신호들의 주기 차이에 대응하는 값을 상기 제 3 오실레이터 및 상기 제 4 오실레이터에서 출력된 신호들의 주기 차이에 대응하는 값으로 나눈 값에 대응하는 값을 출력하는 인코더를 포함하는 공정 변화 감지 장치를 포함하는반도체 장치
17 17
청구항 16에 있어서, 상기 공정 변화 감지 장치는 상기 제 1 오실레이터와 상기 제 2 오실레이터에서 출력된 신호들의 주기 차이를 감지하는 제 1 비교기 및상기 제 3 오실레이터와 상기 제 4 오실레이터에서 출력된 신호들의 주기 차이를 감지하는 제 2 비교기를 더 포함하는 반도체 장치
18 18
청구항 17에 있어서, 상기 인코더는 상기 제 1 비교기의 출력에 대응하는 디지털코드를 생성하는 제 1 연산부 및;상기 제 2 비교기의 출력에 따라 정해지는 회수만큼 상기 디지털코드를 쉬프팅하는 제 2 연산부를 포함하는 반도체 장치
19 19
청구항 17에 있어서, 상기 인코더는 상기 제 1 비교기의 출력이 활성화되는 구간동안 클록을 카운팅하여 디지털코드를 생성하되, 그 이후 상기 제 2 비교기의 출력이 활성화되면 상기 제 2 비교기의 출력이 활성화된 구간동안 상기 클록의 개수에 따라 정해지는 회수만큼 상기 디지털코드를 쉬프팅하는 반도체 장치
20 20
청구항 16에 있어서, 상기 인코더의 출력값에 따라 상기 반도체 장치 내부에 인가되는 전압을 조절하는 반도체 장치
21 21
청구항 20에 있어서, 상기 인가되는 전압은 전원 전압 또는 기판 바이어스 전압 또는 전원 전압 및 기판 바이어스 전압인 반도체 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.