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산화물 박막용 조성물, 산화물 박막용 조성물 제조 방법, 산화물 박막용 조성물을 이용한 산화물 박막 및 전자소자

  • 기술번호 : KST2015127838
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 산화물 반도체용 조성물, 그 제조 방법, 이를 이용한 산화물 반도체 박막 및 전자 소자 형성 방법이 제공된다. 산화물 반도체용 조성물은 인듐화합물 또는 주석화합물과, 아연화합물과 스칸디움화합물을 포함한다.
Int. CL H01L 31/00 (2006.01) C01F 17/00 (2006.01) C01G 15/00 (2006.01) H01B 1/08 (2006.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020100139869 (2010.12.31)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0077787 (2012.07.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.31)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현재 대한민국 서울특별시 종로구
2 최유리 대한민국 서울특별시 성동구
3 김건희 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2010-0879248-14
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2011.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2011-0001504-40
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.10.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0091891-80
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.06.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0361762-37
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2012.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0503333-15
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0674575-12
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.09.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0774569-50
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2012-0774568-15
11 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2013.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0127418-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0528606-85
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
주석 또는 인듐을 포함하는 제1 화합물;아연을 포함하는 제2 화합물; 및스칸디움을 포함하는 제3 화합물을 포함하는 산화물 박막용 조성물
2 2
제1항에서,상기 스칸디움은 아연 및 인듐 또는 아연 및 주석의 총 원자수 대비 1 내지 99 원자%로 포함되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막용 조성물
3 3
제2항에서,상기 스칸디움은 아연 및 인듐 또는 아연 및 주석의 총 원자수 대비 4 내지 32 원자%로 포함되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막용 조성물
4 4
제3항에서,상기 스칸디움은 아연 및 인듐 또는 아연 및 주석의 총 원자수 대비 약 14 원자%로 포함되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막용 조성물
5 5
제3항에 있어서, 아연과 인듐 또는 아연과 주석의 원자수 비율은 1:5 내지 5:1인 것을 특징으로 하는 산화물 박막용 조성물
6 6
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에서,상기 제3 화합물은 스칸디움 아세테이트 하이드레이트 (Scandium acetate hydrate), 스칸디움 아세토네이트 하이드레이트 (Scandium acetylacetonate hydrate), 스칸디움 클로라이드 (Scandium chloride), 스칸디움 클로라이드 헥사하이드레이트 (Scandium chloride hexahydrate), 스칸디움 클로라이드 하이드레이트 (Scandium chloride hydrate), 스칸디움 플루라이드 (Scandium fluoride), 스칸디움 니트레이트 하이드레이트 ( Scandium nitrate hydrate) 또는 이들의 조합을 포함하는 산화물 박막용 조성물
7 7
인듐 또는 주석;아연; 그리고스칸디움을 포함하는 산화물 반도체 박막을 포함하는 전자소자
8 8
제7항에서,상기 스칸디움은 아연 및 인듐 또는 아연 및 주석의 총 원자수 대비 1 내지 99 원자%로 포함되는 것을 특징으로 하는 전자소자
9 9
제8항에 있어서, 상기 스칸디움은 아연 및 인듐 또는 아연 및 주석의 총 원자수 대비 4 내지 32 원자%로 포함되는 것을 특징으로 하는 전자소자
10 10
제9항에 있어서,상기 스칸디움은 아연 및 인듐 또는 아연 및 주석의 총 원자수 대비 약 14 원자%로 포함되는 것을 특징으로 하는 전자소자
11 11
제7항 내지 제10항 중 어느 한 항의 산화물 반도체 박막;상기 산화물 반도체 박막과 이격되어 중첩하는 게이트 전극;상기 산화물 반도체 박막과 전기적으로 연결되며 상기 게이트 전극 일단에 위치하는 소오스 전극; 그리고상기 산화물 반도체 박막과 전기적으로 연결되어 있으며 상기 게이트 전극 타단에 위치하여 상기 소오스 전극과 마주하는 드레인 전극을 포함하는 전자소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국연구재단 연세대학교 산학협력단 중견연구자지원사업(도약연구사업) 차세대 디스플레이를 위한 SBS (Solution Based Si) 박막 및 ASB (All Solution Based) TFT기술개발