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제 1 전극층과 제 2 전극층 및 제 1 전극층과 제 2 전극층 사이에 정공수송층과 나노 양자점 발광층을 갖는 발광 소자에 있어서,
상기 나노 양자점 발광층에는 미세 요철 구조를 갖는 다수의 나노 패턴이 형성됨을 특징으로 하는 고효율 양자소재 기반 발광소자
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제 1항에 있어서,
상기 나노 패턴은 폭 10~500㎚, 피치 10~2000㎚, 깊이는 5~50㎚, 종횡비 0
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제 1항에 있어서, 나노 패턴은 선패턴 또는 격자 패턴 또는 원형이나 다각형의 점 패턴으로 형성된 것을 특징으로 하는 고효율 양자소재 기반 발광소자
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4
제 1항에 있어서,
상기 제 1 전극층과 상기 정공 수송층 사이에 정공 이동도를 높이기 위한 버퍼층이 더 형성된 것을 특징으로 하는 고효율 양자소재 기반 발광소자
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5
제 4항에 있어서,
상기 버퍼층은 PEDOT:PSS 또는 G-PEDOT로 이루어진 것을 특징으로 하는 고효율 양자소재 기반 발광소자
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6
제 1항에 있어서,
상기 나노 양자점 발광층과 제 2 전극층 사이에 전자전달층이 더 형성된 것을 특징으로 하는 고효율 양자소재 기반 발광소자
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7
제 1 전극층 상에 정공수송층을 형성하는 단계와,
상기 정공수송층 상에 소정 두께로 양자점층을 형성하는 단계와,
상기 소정 두께의 나노 양자점층을 패터닝하여 미세 요철 구조를 갖는 다수의 나노 패턴으로 이루어지는 발광층을 형성하는 단계와
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8
제 7항에 있어서,
상기 나노 패턴은 폭 10~500㎚, 피치 10~2000㎚, 깊이는 5~50㎚, 종횡비 0
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제 7항에 있어서, 나노 패턴은 선패턴 또는 격자 패턴 또는 원형이나 다각형의 점 패턴으로 형성하는 것을 특징으로 하는 고효율 양자소재 기반 발광소자 제조 방법
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10
제 7항에 있어서,
상기 나노 패턴은 나노 임프린팅 방식 또는 나노팁을 이용한 스크래칭 방식 또는 나노패턴 몰드를 이용하여 양자점 발광층의 일부를 박리하는 방식으로 형성함을 특징으로 하는 고효율 양자소재 기반 발광소자 제조 방법
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11
제 7항에 있어서,
상기 제 1 전극층과 상기 정공 수송층 사이에 정공 이동도를 높이기 위한 버퍼층이 더 형성하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 고효율 양자소재 기반 발광소자 제조 방법
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12
제 11항에 있어서,
상기 버퍼층은 PEDOT:PSS 또는 G-PEDOT로 형성하는 것을 특징으로 하는 고효율 양자소재 기반 발광소자 제조 방법
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13
제 7항에 있어서,
상기 나노 양자점 발광층과 제 2 전극층 사이에 전자전달층을 형성하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 고효율 양자소재 기반 발광소자 제조 방법
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