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두꺼운 껍질을 가지는 핵-껍질 구조의 양자점 제조방법 및 이를 포함하는 광변환 발광다이오드

  • 기술번호 : KST2015129200
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른, 두꺼운 껍질을 가지는 핵-껍질 구조의 양자점 제조방법은 기존의 핵-껍질 구조의 양자점 제조에 있어서 핵과 껍질을 별도의 반응기에서 제조하는 방법과 달리 하나의 반응기 내에서 한번에 핵과 껍질을 제조함으로써 공정을 단순화할 수 있는 장점이 있다. 종래에는 두꺼운 껍질을 가지는 핵-껍질 구조의 양자점을 제조하기 위하여 복수의 껍질층을 형성하는 방법을 사용하기도 하였으나, 이러한 경우 매우 긴 시간과 복잡한 공정이 필요하였다. 본 발명은 한 개의 반응용기에서 온도조절을 통하여 반응이 이루어짐으로써 단시간내에 제조가 가능하고, 두께를 조절할 수 있는 두꺼운 껍질을 가지는 핵-껍질 구조의 양자점 제조가 가능하다. 또한 양자점의 핵 표면에 껍질이 두꺼운 껍질층을 적층시킴으로써 양자점의 산화를 방지할 수 있어 광안정성이 우수한 광변환 백색 발광다이오드 제조에 제공될 수 있다.
Int. CL C09K 11/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC C09K 11/642(2013.01) C09K 11/642(2013.01) C09K 11/642(2013.01) C09K 11/642(2013.01) C09K 11/642(2013.01) C09K 11/642(2013.01)
출원번호/일자 1020110114794 (2011.11.04)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1334694-0000 (2013.11.25)
공개번호/일자 10-2013-0049653 (2013.05.14) 문서열기
공고번호/일자 (20131202) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.11.04)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영국 대한민국 경상남도 창원시 마산회원구
2 조영상 대한민국 경상남도 창원시 성산구
3 정국채 대한민국 경상남도 진해시
4 최철진 대한민국 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.11.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0872318-49
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.02.28 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0027599-97
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.06.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0399044-32
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2013-0725432-12
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.08.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0725433-57
7 등록결정서
Decision to grant
2013.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0802337-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Ⅱ족 금속전구체 용액; 또는Ⅰ족 금속전구체 용액과 Ⅲ족 금속전구체 용액을 혼합한 혼합 금속전구체 용액;을 250 ℃ ~ 350 ℃ 로 가열하는 단계(단계 1);황, 셀레늄 및 텔루륨으로 이루어지는 군으로부터 선택되되, 서로 상이한 원소인 핵 구성원소 및 껍질 구성원소를 포함하는 Ⅵ족 혼합 전구체 용액을 상기 단계 1의 가열온도를 유지하는 조건 하에서, 상기 Ⅱ족 금속전구체 용액, 또는 혼합 금속전구체 용액에 첨가하는 단계(단계 2);상기 단계 2의 혼합용액을 180 ℃ ~ 240 ℃로 냉각시키는 단계(단계 3); 및상기 단계 3에서 냉각된 혼합용액에 상기 껍질 구성원소를 포함하는 Ⅵ족 전구체 용액을 점적하는 단계(단계 4);를 포함하며,상기 Ⅱ족 금속전구체 용액은 아연, 카드뮴, 수은 및 납으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종의 금속을 포함하고,상기 Ⅰ족 금속전구체 용액은 리튬, 나트륨, 칼륨, 루비듐 및 세슘으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종의 금속을 포함하며,상기 Ⅲ족 금속전구체 용액은 알루미늄, 갈륨, 인듐 및 탈륨으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종의 금속을 포함하고,상기 Ⅵ족 혼합 전구체 용액의 Ⅵ족 원소에 대한 상기 Ⅱ족 금속, 또는 상기 Ⅰ족 금속 및 Ⅲ족 금속의 몰비율은 2 내지 20이며,상기 Ⅱ족 금속, 또는 상기 Ⅰ족 금속 및 Ⅲ족 금속에 대한 상기 단계 4의 Ⅵ족 전구체 용액에 포함되는 껍질 구성원소의 몰비율은 0
2 2
제1항에 있어서, 상기 금속전구체 용액은 금속전구체와 C8 ~ C24 포화 또는 불포화 지방산 또는 C8 ~ C16의 모노알킬아민, 다이알킬아민, 또는 트리알킬아민, 또는 C2 ~ C18의 모노알킬포스포닉산, 다이알킬포스포닉산, 트리알킬포스포닉산, 테트라알킬포스포닉산을 혼합한 다음, 유기용매에 용해시켜 제조하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 핵-껍질 구조의 양자점 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 단계 2의 Ⅵ족 혼합 전구체 용액은 핵 구성원소 1몰에 대해서 껍질구성 원소 1 내지 10몰을 포함하는 것을 특징으로 하는 핵-껍질 구조의 양자점 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 Ⅱ족 금속전구체는 디메틸 아연, 디에틸 아연, 아연 카르복실레이트, 아연 아세틸아세토네이트, 아연 아이오다이드, 아연 브로마이드, 아연 클로라이드, 아연 플루오라이드, 아연 카보네이트, 아연 시아나이드, 아연 나이트레이트, 아연 옥사이드, 아연 퍼옥사이드, 아연 퍼클로레이트, 아연 설페이트, 디메틸 카드뮴, 디에틸 카드뮴, 카드뮴 옥사이드, 카드뮴 카보네이트, 카드뮴 아세테이트 디하이드레이트, 카드뮴 아세틸아세토네이트, 카드뮴 플루오라이드, 카드뮴 클로라이드, 카드뮴 아이오다이드, 카드뮴 브로마이드, 카드뮴 퍼클로레이트, 카드뮴 포스파이드, 카드뮴 나이트레이트, 카드뮴 설페이트, 카드뮴 카르복실레이트, 수은 아이오다이드, 수은 브로마이드, 수은 플루오라이드, 수은 시아나이드, 수은 나이트레이트, 수은 퍼클로레이트, 수은 설페이트, 수은 옥사이드, 수은 카보네이트, 수은 카르복실레이트, 디메틸 납, 디에틸 납, 납 카르복실레이트, 납 아세틸아세토네이트, 납 아이오다이드, 납 브로마이드, 납 클로라이드, 납 플루오라이드, 납 카보네이트, 납 시아나이드, 납 나이트레이트, 납 옥사이드, 납 퍼옥사이드, 납 퍼클로레이트 및 납 설페이트로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 핵-껍질 구조의 양자점 제조방법
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서, 상기 단계 2의 Ⅵ족 혼합 전구체 용액은 유기 포스핀계 화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 핵-껍질 구조의 양자점 제조방법
8 8
삭제
9 9
제7항에 있어서, 상기 유기 포스핀계 화합물은 C2 ~ C18 트리알킬포스핀, 또는 C2 ~ C18 트리알킬포스핀옥사이드인 것을 특징으로 하는 핵-껍질 구조의 양자점 제조방법
10 10
제1항에 있어서, 모든 단계는 비활성 분위기하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 핵-껍질 구조의 양자점 제조방법
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국기계연구원 부설재료연구소 재료연구소주요사업 반도체 나노입자를 이용한 차세대 발광소자 제조기술 개발