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열전 소자 제조방법

  • 기술번호 : KST2015129459
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 열전 소자 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로는 Bi, Te레이어 열압착에 의해, 전극과 열전 재료를 접합하는 열전 소자 제조방법, Bi, Te레이어 열압착에 의해 전극과 일체화된 열전 재료를 형성하는 열전 소자 제조방법, Bi, Te레이어 열압착에 의해 열전 재료와 일체화된 전극을 형성하는 열전 소자 제조방법, Bi, Te레이어 열압착에 의해 열전 재료를 형성함과 동시에 열전 재료와 일체화된 전극을 형성하는 열전 소자 제조방법을 개시한다.
Int. CL H01L 35/14 (2006.01) H01L 35/34 (2006.01)
CPC H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01)
출원번호/일자 1020120082287 (2012.07.27)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1207300-0000 (2012.11.27)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20121203) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.27)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 현승민 대한민국 대전 유성구
2 송준엽 대한민국 대전 서구
3 우창수 대한민국 대전 유성구
4 정준호 대한민국 대전 서구
5 이학주 대한민국 대전 서구
6 전성재 대한민국 충북 청원군
7 이후정 대한민국 경기 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0602136-61
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2012.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-0726412-32
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.09.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.09.27 수리 (Accepted) 9-1-2012-0074931-10
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0643067-50
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.11.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0934782-88
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0934783-23
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0698085-49
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
N형 열전 재료상에 Bi레이어(Bi layer), Te레이어(Te layer)를 교대로 증착시키는 단계;상기 Bi레이어, 상기 Te레이어로 증착된 상기 열전 재료 위에 기판의 전극을 위치시키는 단계; 및상기 기판의 전극과 상기 열전 재료를 열압착시켜 상기 Bi레이어와 상기 Te레이어를 Bi-Te화합물로 변형시킴과 동시에 상기 기판의 전극과 상기 열전 재료를 접합시키는 단계를 포함하는 열전 소자의 제조방법
2 2
N형 열전 재료상에 Bi레이어, Te레이어를 교대로 증착시키는 단계;상기 Bi레이어, 상기 Te레이어로 증착된 상기 열전 재료 위에 기판을 위치시키는 단계; 및상기 기판과 상기 열전 재료를 열압착시켜 상기 Bi레이어와 상기 Te레이어를 Bi-Te화합물로 변형시킴과 동시에 상기 열전 재료와 전기적으로 연결된 전극을 형성시키는 단계를 포함하는 열전 소자의 제조방법
3 3
제1 전극상에 Bi레이어, Te레이어를 교대로 증착시키는 단계; 상기 Bi레이어, 상기 Te레이어로 증착된 상기 제1 전극 위에 제2 전극을 위치시키는 단계; 및상기 제1 전극과 상기 제 2전극을 열압착시켜, 상기 Bi레이어와 상기 Te레이어를 상기 제1, 제2 전극과 전기적으로 연결되는 N형 열전 재료로 변형시키는 단계를 포함하는 열전 소자의 제조방법
4 4
제1 기판 상에 Bi레이어, Te레이어를 교대로 증착시키는 단계; 상기 Bi레이어, 상기 Te레이어로 증착된 상기 제1 기판 위에 제2 기판을 위치시키는 단계; 및상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 열압착시켜, 상기 Bi레이어와 상기 Te레이어를 N형 열전 재료로 변형시킴과 동시에 상기 N형 열전 재료와 전기적으로 연결된 전극을 형성하는 단계를 포함하는 열전 소자의 제조방법
5 5
제3 항에 있어서,상기 제1 전극의 상부에 Bi 와 Te를 혼합한 레이어를 증착시킨 후 상기 Bi레이어, 상기 Te레이어를 교대로 증착시키는 것을 특징으로 하는 열전 소자의 제조방법
6 6
제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 Bi레이어 각각과 상기 Te레이어 각각에 포함된 Bi원소와 Te원소를 합한 원소백분율이 2:3인 것을 특징으로 하는 열전 소자의 제조방법
7 7
P형 열전 재료상에 Bi레이어(Bi layer), Sb레이어(Sb layer), Te레이어(Te layer)를 교대로 증착시키는 단계;상기 Bi레이어, 상기 Sb레이어, 상기 Te레이어로 증착된 상기 열전 재료 위에 기판의 전극을 위치시키는 단계; 및상기 기판의 전극과 상기 열전 재료를 열압착시켜 상기 Bi레이어와 상기 Sb 레이어 및 상기 Te레이어를 Bi-Sb-Te화합물로 변형시킴과 동시에 상기 기판의 전극과 상기 열전 재료를 접합시키는 단계를 포함하는 열전 소자의 제조방법
8 8
P형 열전 재료상에 Bi레이어, Sb레이어, Te레이어를 교대로 증착시키는 단계;상기 Bi레이어, 상기 Sb레이어, 상기 Te레이어로 증착된 상기 열전 재료 위에 기판을 위치시키는 단계; 및상기 기판과 상기 열전 재료를 열압착시켜, 상기 Bi레이어와 상기 Sb레이어 및 상기 Te레이어를 Bi-Sb-Te화합물로 변형시킴과 동시에 상기 열전 재료와 전기적으로 연결된 전극을 형성시키는 단계를 포함하는 열전 소자의 제조방법
9 9
제1 전극 상에 Bi레이어, Sb레이어, Te레이어를 교대로 증착시키는 단계; 상기 Bi레이어, 상기 Sb레이어, 상기 Te레이어로 증착된 상기 제1 전극 위에 제 2 전극을 위치시키는 단계; 및상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 열압착시켜, 상기 Bi레이어와 상기 Sb레이어 및 상기 Te레이어를 상기 제1, 제2 전극과 전기적으로 연결되는 P형 열전 재료로 변형시키는 단계를 포함하는 열전 소자의 제조방법
10 10
제1 기판 상에 Bi레이어, Sb레이어, Te레이어를 교대로 증착시키는 단계; 상기 Bi레이어, Sb레이어, 상기 Te레이어로 증착된 상기 제1 기판 위에 제2 기판을 위치시키는 단계; 및상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 열압착시켜, 상기 Bi레이어와 상기 Sb레이어 및 상기 Te레이어를 P형 열전 재료로 변형시킴과 동시에 상기 P형 열전 재료와 전기적으로 연결된 전극을 형성하는 단계를 포함하는 열전 소자의 제조방법
11 11
제9 항에 있어서,상기 제1 전극의 상부에 Bi, Sb, Te를 혼합한 레이어를 증착시킨 후 상기 Bi레이어, 상기 Sb 레이어 , 상기 Te레이어를 교대로 증착시키는 것을 특징으로 하는 열전 소자의 제조방법
12 12
제7 항 내지 제10 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 Bi레이어 각각, 상기 Sb레이어 각각과 상기 Te레이어 각각에 포함된 Bi원소, Sb원소와 Te원소를 합한 원소백분율이 0
13 13
제4 항에 있어서,상기 제1 기판의 상부에 Bi 와 Te를 혼합한 레이어를 증착시킨 후 상기 Bi레이어, 상기 Te레이어를 교대로 증착시키는 것을 특징으로 하는 열전 소자의 제조방법
14 14
제10 항에 있어서,상기 제1 기판의 상부에 Bi, Sb, Te를 혼합한 레이어를 증착시킨 후 상기 Bi레이어, 상기 Sb 레이어 , 상기 Te레이어를 교대로 증착시키는 것을 특징으로 하는 열전 소자의 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국기계연구원 산업기술연구회-협동연구사업 차세대 반도체 MCP 핵심기술 개발 (1/2)
2 지식경제부 한국기계연구원 주요사업-일반 3차원 나노구조체 제조기술 고도화 사업 (2/5)