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기판의 적어도 일면 상에 형성된 나노 돌기 패턴; 및상기 나노 돌기 패턴 상의 적어도 일부 영역에 형성된 광촉매층; 을 포함하고, 상기 광촉매층은 상기 나노 돌기 패턴의 오목한 골에 형성되고 상기 나노 돌기 패턴의 최상부에는 형성되어 있지 않고,상기 나노 돌기 패턴은 상기 기판을 식각하여 형성하고,상기 광촉매층은, 상기 나노 돌기 패턴의 전면에 광촉매층을 형성하고, 상기 광촉매층의 일부를 식각하여 상기 나노 돌기 패턴의 최상부 상에 형성된 광촉매층을 제거하여 형성된, 광촉매층을 포함하는 나노 구조체
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제 1 항에 있어서, 상기 기판은 글래스, 금속 또는 고분자재료를 포함하는, 광촉매층을 포함하는 나노 구조체
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제 1 항에 있어서, 상기 광촉매층은 이산화티타늄(TiO2), 산화주석(SnO2), 산화철(Fe2O3), 산화텅스텐(WO3), 산화아연(ZnO) 또는 황화카드뮴(CdS)을 포함하는, 광촉매층을 포함하는 나노 구조체
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제 1 항에 있어서, 상기 나노 돌기 패턴 상에 형성된 발수코팅층을 더 포함하고,상기 광촉매층은 상기 발수코팅층 상에 존재하는, 광촉매층을 포함하는 나노 구조체
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기판의 적어도 일면 상에 나노 돌기 패턴을 형성하는 단계; 및상기 나노 돌기 패턴 상에 광촉매층을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 광촉매층을 형성하는 단계는 상기 나노 돌기 패턴의 오목한 골에 형성하고 상기 나노 돌기 패턴의 최상부에는 형성하지 않는 단계를 포함하는, 광촉매층을 포함하고,상기 광촉매층을 형성하는 단계는, 상기 나노 돌기 패턴의 전면에 광촉매층을 형성하는 단계; 및상기 광촉매층의 일부를 식각하여 상기 나노 돌기 패턴의 최상부 상에 형성된 광촉매층을 제거하는 단계;를 포함하는, 광촉매층을 포함하는 나노 구조체의 형성방법
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제 5 항에 있어서,상기 나노 돌기 패턴을 형성하는 단계는 상기 기판 상에 비드(bead)들을 포함하는 비드분산용액을 코팅하여 비드층을 형성하는 단계; 및상기 비드층을 마스크로 이용하여 상기 기판을 식각함으로써, 상기 나노 돌기 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는, 광촉매층을 포함하는 나노 구조체의 형성방법
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제 7 항에 있어서,상기 비드는 실리카(SiO2), 알루미나(Al2O3), 티타니아(TiO2) 또는 폴리스티렌(polystyrene)을 포함하는, 광촉매층을 포함하는 나노 구조체의 형성방법
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제 5 항에 있어서,상기 나노 돌기 패턴의 전면에 광촉매층을 형성하는 단계는 상기 나노 돌기 패턴의 전면 상에 정전분무코팅법에 의하여 광촉매층을 형성하는 단계를 포함하는, 광촉매층을 포함하는 나노 구조체의 형성방법
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제 5 항에 있어서,상기 나노 돌기 패턴의 전면에 광촉매층을 형성하는 단계는 광촉매 액상전구체를 준비하는 단계;상기 광촉매 액상전구체를 전압이 인가된 노즐을 통하여 상기 나노 돌기 패턴 상에 액적 상태로 분무하는 단계; 및상기 나노 돌기 패턴 상에 액적 상태로 분무된 광촉매 액상전구체를 건조 및 분해하여 광촉매층을 형성하는 단계;를 포함하는, 광촉매층을 포함하는 나노 구조체의 형성방법
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제 10 항에 있어서,상기 광촉매 액상전구체를 건조 및 분해하여 광촉매층을 형성하는 단계는,상기 광촉매 액상전구체를 가열하는 단계; 및 상기 광촉매 액상전구체에 마이크로파를 조사하는 단계; 중에서 적어도 어느 하나의 단계를 포함하는, 광촉매층을 포함하는 나노 구조체의 형성방법
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제 10 항에 있어서,상기 광촉매 액상전구체는 티타늄 알콕사이드(titanium alkoxide), 티타늄 화합물, 이산화티타늄 입자 및 콜로이드 중 어느 하나 이상과, 용매를 포함하는, 광촉매층을 포함하는 나노 구조체의 형성방법
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