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기판 상에 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)를 통해 형성되는 제1 실리콘계 화합물 박막; 상기 제1 실리콘계 화합물 박막 상에 형성되는 기능층; 및 상기 기능층 상에 PECVD를 통해 형성되는 제2 실리콘계 화합물 박막을 포함하고,상기 제1 실리콘계 화합물 박막 및 제2 실리콘계 화합물 박막은, SiOX, SiOxNy, SiCxHyOz 중에서 선택된 어느 하나로 형성되되, 적어도 어느 하나는 실리계콘계 유기화합물 박막으로 형성되고,상기 기능층은, 알카리 금속 또는 알카리 토금속을 포함하여 형성되고, 상호 이격된 복수의 가로줄 패턴, 상호 이격된 복수의 세로줄 패턴, 및 메쉬 패턴 중에서 선택된 어느 하나의 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 기능층이 개재된 실리콘계 화합물 박막 기반의 유연 보호막
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제1 항에 있어서,상기 제1 실리콘계 화합물 박막은, SiCxHyOz 로 형성된 실리콘계 유기화합물 박막이고,상기 제2 실리콘계 화합물 박막은, SiOX 또는 SiOxNy 로 형성된 실리콘계 무기화합물 박막인 것을 특징으로 하는 기능층이 개재된 실리콘계 화합물 박막 기반의 유연 보호막
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제1 항에 있어서,상기 기능층은, 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 수소화 칼슘(CaH), 수소화 나트륨(NaH), 및 이들의 화합물로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 기능층이 개재된 실리콘계 화합물 박막 기반의 유연 보호막
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제1 항에 있어서,상기 기능층은, 1nm 내지 50nm 의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 기능층이 개재된 실리콘계 화합물 박막 기반의 유연 보호막
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기판 상에 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)를 통해 형성되는 제1 실리콘계 화합물 박막; 상기 제1 실리콘계 화합물 박막 상에 형성되는 제1 기능층; 상기 제1 기능층 상에 PECVD를 통해 형성되는 제2 실리콘계 화합물 박막; 상기 제2 실리콘계 화합물 박막 상에 형성되는 제2 기능층; 및 상기 제2 기능층 상에 PECVD를 통해 형성되는 제3 실리콘계 화합물 박막을 포함하고,상기 제1 실리콘계 화합물 박막, 제2 실리콘계 화합물 박막, 및 제3 실리콘계 화합물 박막은, SiOX, SiOxNy, SiCxHyOz 중에서 선택된 어느 하나로 형성되되, 적어도 어느 하나는 실리계콘계 무기화합물 박막으로 형성되고,상기 제1 기능층은, 알카리 금속 또는 알카리 토금속을 포함하여 형성되며,상기 제2 기능층은, 페릴렌 화합물을 포함하여 형성되고 적어도 일부가 적어도 상기 제2 실리콘계 화합물 박막의 입자 간의 공극을 채우는 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 기능층이 개재된 실리콘계 화합물 박막 기반의 유연 보호막
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제6 항에 있어서,상기 제2 실리콘계 화합물 박막 및 상기 제3 실리콘계 화합물 박막은, SiOX 또는 SiOxNy 로 형성된 실리콘계 무기화합물 박막인 것을 특징으로 하는 기능층이 개재된 실리콘계 화합물 박막 기반의 유연 보호막
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제7 항에 있어서,상기 제1 실리콘계 화합물 박막은, SiCxHyOz 로 형성된 실리콘계 유기화합물 박막인 것을 특징으로 하는 기능층이 개재된 실리콘계 화합물 박막 기반의 유연 보호막
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제6 항에 있어서,상기 제2 기능층은, PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)를 통해 형성된 것을 특징으로 하는 기능층이 개재된 실리콘계 화합물 박막 기반의 유연 보호막
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제6 항에 있어서,상기 제2 실리콘계 화합물 박막의 입자 간의 공극은 점 결함(Point Defect) 또는 크랙(Crack)인 것을 특징으로 하는 기능층이 개재된 실리콘계 화합물 박막 기반의 유연 보호막
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제6 항에 있어서,상기 제1 기능층은, 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 수소화 칼슘(CaH), 수소화 나트륨(NaH), 및 이들의 화합물로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 기능층이 개재된 실리콘계 화합물 박막 기반의 유연 보호막
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제6 항에 있어서,상기 제1 기능층은 1nm 내지 50nm 의 두께로 형성되고,상기 제2 기능층은 10nm 내지 1000nm 의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 기능층이 개재된 실리콘계 화합물 박막 기반의 유연 보호막
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기판 상에 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)를 통해 제1 실리콘계 화합물 박막을 형성하는 단계; 상기 제1 실리콘계 화합물 박막 상에 기능층을 형성하는 단계; 및 상기 기능층 상에 PECVD를 통해 제2 실리콘계 화합물 박막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 실리콘계 화합물 박막 및 제2 실리콘계 화합물 박막은, SiOX, SiOxNy, SiCxHyOz 중에서 선택된 어느 하나로 형성하되, 적어도 어느 하나는 실리계콘계 유기화합물 박막으로 형성하고, 상기 기능층은, 알카리 금속 또는 알카리 토금속을 포함하는 박막으로 형성되며,상기 기능층을 형성하는 단계는, 상기 기능층을 상호 이격된 복수의 가로줄 패턴, 상호 이격된 복수의 세로줄 패턴, 및 메쉬 패턴 중에서 선택된 어느 하나의 형태로 증착 형성하는 것을 특징으로 하는 기능층이 개재된 실리콘계 화합물 박막 기반의 유연 보호막 제조 방법
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제15 항에 있어서,상기 제1 실리콘계 화합물 박막은, SiCxHyOz의 조성을 포함한 실리콘계 유기화합물 박막으로 형성하고,상기 제2 실리콘계 화합물 박막은, SiOX 또는 SiOxNy의 조성을 포함한 실리콘계 무기화합물 박막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 기능층이 개재된 실리콘계 화합물 박막 기반의 유연 보호막 제조 방법
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기판 상에 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)를 통해 제1 실리콘계 화합물 박막을 형성하는 단계; 상기 제1 실리콘계 화합물 박막 상에 제1 기능층을 형성하는 단계; 상기 제1 기능층 상에 PECVD를 통해 제2 실리콘계 화합물 박막을 형성하는 단계; 상기 제2 실리콘계 화합물 박막 상에 제2 기능층을 형성하는 단계; 및 상기 제2 기능층 상에 PECVD를 통해 제3 실리콘계 화합물 박막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 실리콘계 화합물 박막, 제2 실리콘계 화합물 박막, 및 제3 실리콘계 화합물 박막은, SiOX, SiOxNy, SiCxHyOz 중에서 선택된 어느 하나로 형성하되, 적어도 어느 하나는 실리계콘계 무기화합물 박막으로 형성하고,상기 제1 기능층은, 알카리 금속 또는 알카리 토금속을 포함하는 박막으로 형성하고,상기 제2 기능층은, 페릴렌 화합물을 포함하는 박막으로 형성하되, 상기 페릴렌 화합물의 적어도 일부가 적어도 상기 제2 실리콘계 화합물 박막의 입자 간의 공극을 채우는 구조로 형성시키는 것을 특징으로 하는 기능층이 개재된 실리콘계 화합물 박막 기반의 유연 보호막 제조 방법
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제17 항에 있어서,상기 제1 실리콘계 화합물 박막은, SiCxHyOz의 조성을 포함한 실리콘계 유기화합물 박막으로 형성하고,상기 제2 실리콘계 화합물 박막은, SiOX 또는 SiOxNy의 조성을 포함한 실리콘계 무기화합물 박막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 기능층이 개재된 실리콘계 화합물 박막 기반의 유연 보호막 제조 방법
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제17 항에 있어서,상기 제1 기능층은, 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 수소화 칼슘(CaH), 수소화 나트륨(NaH), 및 이들의 화합물로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 기능층이 개재된 실리콘계 화합물 박막 기반의 유연 보호막 제조 방법
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