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표면증강 라만 분광용 기판, 이의 제조방법 및 이를 이용한 분석방법

  • 기술번호 : KST2015129981
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 본 발명은 표면증강 라만 분광용 기판, 이의 제조방법 및 이를 이용한 분석방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 다수의 공극을 포함하는 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 금속 함유 나노와이어가 집적되도록 금속 함유 나노와이어를 포함하는 용액을 여과시키는 단계; 및 상기 기판을 건조시키는 건조 단계;를 포함하되, 상기 금속 함유 나노와이어는 상기 공극을 통과하지 않고, 인접한 금속 함유 나노와이어와 표면 플라즈몬 공명을 유도하는 나노갭을 형성하는 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 분광용 기판의 제조방법에 관한 것으로, 여과 기능을 가진 기판을 이용하여 간단한 방법으로 뛰어난 표면증강 라만산란(surface enhanced Raman scattering, SERS) 효과를 가지는 표면증강 라만 분광용 기판을 제조할 수 있고 이를 이용하여 효율적으로 분석물질을 분석할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) G01J 3/44 (2006.01) G01N 21/65 (2006.01)
CPC G01N 21/658(2013.01) G01N 21/658(2013.01) G01N 21/658(2013.01) G01N 21/658(2013.01)
출원번호/일자 1020140163737 (2014.11.21)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1545989-0000 (2015.08.13)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150824) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.11.21)
심사청구항수 34

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김동호 대한민국 경상남도 창원시 마산회원구
2 박성규 대한민국 경상남도 창원시 성산구
3 김창수 대한민국 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이지 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***(가산동, KCC웰츠밸리) ***-***

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-1127649-10
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-1140417-85
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2014.11.28 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2014.12.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0094325-99
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.04.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0237184-30
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2015-0546073-94
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.06.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0546170-14
8 등록결정서
Decision to grant
2015.08.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0524928-57
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다수의 공극을 포함하는 기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 금속 함유 나노와이어가 집적되도록 금속 함유 나노와이어를 포함하는 용액을 여과시키는 단계; 및상기 기판을 건조시키는 건조 단계;를 포함하되,상기 금속 함유 나노와이어는 상기 공극을 통과하지 않고, 인접한 금속 함유 나노와이어와 표면 플라즈몬 공명을 유도하는 나노갭을 형성하며,상기 금속 함유 나노와이어의 표면에는 코팅물질이 존재하고,상기 코팅물질을 이용하여 상기 나노갭이 조절되는 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 분광용 기판의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 금속 함유 나노와이어는 각기 불규칙한 방향을 가지며, 기 설정된 두께 이상으로 집적되고,상기 기 설정되는 두께는 표면증강 라만 분광용 기판의 라만 신호 증가가 포화되는 두께를 기준으로 설정되는 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 분광용 기판의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 금속 함유 나노와이어 상에 절연막을 형성하는 단계; 및상기 절연막 상에 상호 이격되어 표면 플라즈몬 공명을 유도하는 나노갭을 형성하는 금속 함유 나노입자를 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 분광용 기판의 제조방법
4 4
제3항에 있어서,상기 금속 함유 나노입자와 금속 함유 나노와이어 사이에는 표면 플라즈몬 공명을 유도하는 나노갭이 형성된 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 분광용 기판의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 기판은 유리섬유로 제조된 여과지인 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 분광용 기판의 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 기판은 알루미나, 테프론(Polytetrafluoroethlylene, PTFE), 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC), 셀룰로오스(cellulose) 및 종이 중 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 분광용 기판의 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 여과는 진공여과 방식을 이용한 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 분광용 기판의 제조방법
8 8
삭제
9 9
제1항 및 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속은 Ag, Al, Au, Co, Cu, Fe, Li, Ni, Pd, Pt, Rh, Ru 및 이의 합금 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 분광용 기판의 제조방법
10 10
제1항에 있어서,상기 건조 단계는 상기 기판 상에 잔존하는 상기 금속 함유 나노와이어를 제외한 물질을 제거하는 열처리를 이용한 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 분광용 기판의 제조방법
11 11
제1항에 있어서,상기 금속 함유 나노와이어가 집적되는 두께는 상기 용액 내 금속 함유 나노와이어의 농도 및 상기 용액의 여과량을 이용하여 조절되는 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 분광용 기판의 제조방법
12 12
제1항에 있어서,상기 금속 함유 나노와이어가 집적되는 밀도는 상기 용액 내 금속 함유 나노와이어의 농도 및 상기 용액의 여과량을 이용하여 조절되는 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 분광용 기판의 제조방법
13 13
제1항에 있어서,상기 플라즈몬 공명의 파장은 상기 금속 함유 나노와이어의 재질, 지름, 길이 중 적어도 어느 하나를 이용하여 조절되는 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 분광용 기판의 제조방법
14 14
제3항에 있어서,상기 절연막은 알루미나, 금속산화물, 금속황화물, 금속 할로겐화물, 실리카, 산화지르코늄 및 산화철 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 분광용 기판의 제조방법
15 15
제3항에 있어서,상기 절연막은 진공증착 및 용액공정 중 어느 하나를 이용하여 형성한 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 분광용 기판의 제조방법
16 16
제3항에 있어서,상기 금속 함유 나노입자는 라만활성물질을 진공증착시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 분광용 기판의 제조방법
17 17
제16항에 있어서,상기 진공증착은 스퍼터링(sputtering), 기화(evaporation) 및 화학 증기 증착(chemical vapor deposition) 중 어느 하나를 이용한 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 분광용 기판의 제조방법
18 18
다수의 공극을 포함하는 기판; 및상기 공극을 통과하지 않고 상기 기판 상에 집적된 금속 함유 나노와이어;를 포함하되,상기 금속 함유 나노와이어는 인접한 금속 함유 나노와이어와 표면 플라즈몬 공명을 유도하는 나노갭을 형성하며,상기 금속 함유 나노와이어의 표면에는 코팅물질이 존재하고,상기 코팅물질을 이용하여 상기 나노갭이 조절되는 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 분광용 기판
19 19
제18항에 있어서,상기 금속 함유 나노와이어는 각기 불규칙한 방향을 가지며, 기 설정된 두께 이상으로 집적되고,상기 기 설정되는 두께는 표면증강 라만 분광용 기판의 라만 신호 증가가 포화되는 두께를 기준으로 설정되는 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 분광용 기판
20 20
제18항에 있어서,상기 금속 함유 나노와이어 상에 형성된 절연막; 및상기 절연막 상에 형성되며 상호 이격되어 플라즈몬 공명을 유도하는 나노갭을 형성하는 금속 함유 나노입자;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 분광용 기판
21 21
제20항에 있어서,상기 금속 함유 나노입자와 금속 함유 나노와이어 사이에는 표면 플라즈몬 공명을 유도하는 나노갭이 형성된 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 분광용 기판
22 22
제18항에 있어서,상기 기판은 유리섬유로 제조된 여과지인 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 분광용 기판
23 23
제18항에 있어서,상기 기판은 알루미나, 테프론(Polytetrafluoroethlylene, PTFE), 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC), 셀룰로오스(cellulose) 및 종이 중 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 분광용 기판
24 24
제18항에 있어서,상기 금속 함유 나노와이어는 금속 함유 나노와이어를 포함하는 용액을 상기 기판을 통해 진공여과 방식으로 여과시켜 상기 기판상에 금속 함유 나노와이어를 집적시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 분광용 기판
25 25
삭제
26 26
제18항에 있어서,상기 금속은 Ag, Al, Au, Co, Cu, Fe, Li, Ni, Pd, Pt, Rh, Ru 및 이의 합금 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 분광용 기판
27 27
제18항에 있어서,상기 기판은 상기 기판 상에 잔존하는 상기 금속 함유 나노와이어를 제외한 물질을 제거하는 열처리를 하여 건조한 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 분광용 기판
28 28
제24항에 있어서,상기 금속 함유 나노와이어가 집적되는 두께는 상기 용액 내 금속 함유 나노와이어의 농도 및 상기 용액의 여과량을 이용하여 조절되는 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 분광용 기판
29 29
제24항에 있어서,상기 금속 함유 나노와이어가 집적되는 밀도는 상기 용액 내 금속 함유 나노와이어의 농도 및 상기 용액의 여과량을 이용하여 조절되는 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 분광용 기판
30 30
제18항에 있어서,상기 플라즈몬 공명의 파장은 상기 금속 함유 나노와이어의 재질, 지름, 길이 중 적어도 어느 하나를 이용하여 조절되는 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 분광용 기판
31 31
제20항에 있어서,상기 절연막은 알루미나, 금속산화물, 금속황화물, 금속 할로겐화물, 실리카, 산화지르코늄 및 산화철 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 분광용 기판
32 32
제20항에 있어서,상기 절연막은 진공증착 및 용액공정 중 어느 하나를 이용하여 형성한 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 분광용 기판
33 33
제20항에 있어서,상기 금속 함유 나노입자는 라만활성물질을 진공증착시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 분광용 기판
34 34
제33항에 있어서,상기 진공증착은 스퍼터링(sputtering), 기화(evaporation) 및 화학 증기 증착(chemical vapor deposition) 중 어느 하나를 이용한 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 분광용 기판
35 35
다수의 공극을 포함하는 기판을 준비하는 단계;금속 함유 나노와이어를 포함하는 용액에 분석물질을 혼합하여 혼합 용액을 형성하는 단계;상기 혼합 용액을 상기 기판에 여과시키는 단계;상기 기판을 건조시키는 건조 단계; 및상기 분석물질에 광조사하여 라만 신호를 검출하는 단계;를 포함하되,상기 금속 함유 나노와이어는 상기 공극을 통과하지 않고, 인접한 금속 함유 나노와이어와 표면 플라즈몬 공명을 유도하는 나노갭을 형성하며,상기 금속 함유 나노와이어의 표면에는 코팅물질이 존재하고,상기 코팅물질을 이용하여 상기 나노갭이 조절되는 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 분광용 기판을 이용한 분석방법
36 36
제18항 내지 제24항, 및 제26항 내지 제34항 중 어느 한 항에 기재된 표면증강 라만 분광용 기판을 준비하는 단계;상기 기판에 분석물질을 여과시키는 단계; 및상기 분석물질에 광조사하여 라만 신호를 검출하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 분광용 기판을 이용한 분석방법
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1 미래창조과학부 한국기계연구원부설재료연구소 주요사업 인지니어링 감지소재 기술개발(분자감지용 초고감도 라만증강소재 기술개발)(1/5)