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기판 상에 플라즈모닉 공명(plasmonic resonance) 특성을 갖는 소재로 마련되는 금속패턴을 형성하는 금속패턴 형성단계;상기 기판 및 상기 금속패턴의 외면에 소수성 박막을 코팅하여 소수성 처리하는 소수성 처리단계;상기 금속패턴의 외면만 선택적으로 친수성 처리하는 친수성 처리단계;상기 기판 및 상기 금속패턴 상에 버퍼층을 적층하는 버퍼층 적층단계;상기 금속패턴 및 버퍼층을 상기 기판으로부터 광투과성 소재의 베이스 측으로 전사시켜 결합시키는 결합단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 나노리소그래피 장치용 스탬프 제조방법
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제1항에 있어서,상기 친수성 처리단계는 상기 기판 및 상기 금속패턴의 상측에 폴리머층을 적층하는 폴리머층 적층단계; 상기 금속패턴만 외부로 노출되도록 상기 폴리머층 일부를 제거하는 제1제거단계; 외부로 노출되는 금속패턴의 외면만을 친수성 처리하는 선택적 처리단계; 남아있는 폴리머층을 전부 제거하는 제2제거단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 나노리소그래피 장치용 스탬프 제조방법
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제2항에 있어서,상기 폴리머층 적층단계는 폴리머를 박막으로 적층하는 제1적층단계; 상기 적층된 폴리머가 친수화되도록 플라즈마(plasma) 처리하는 플라즈마 처리단계; 폴리머를 상기 금속패턴의 높이 이상으로 적층하는 제2적층단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 나노리소그래피 장치용 스탬프 제조방법
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제2항에 있어서,상기 제1제거단계는 에치백(etch-back)공정을 통하여 상기 폴리머를 제거하는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 나노리소그래피 장치용 스탬프 제조방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판으로부터 분리된 측의 폴리머층 및 금속패턴의 면에 점착방지막을 적층하는 점착방지막 적층단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 나노리소그래피 장치용 스탬프 제조방법
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제5항에 있어서,상기 점착방지막은 소수성 또는 친수성 특성을 갖도록 처리된 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 나노리소그래피 장치용 스탬프 제조방법
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제5항에 있어서,상기 금속패턴 형성단계는 금속패턴은 측면과 상기 기판의 사이의 각도가 예각을 형성하도록 가공되는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 나노리소그래피 장치용 스탬프 제조방법
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제5항에 있어서,상기 금속패턴 형성단계 이전에 상기 기판 상에 소수성 처리 또는 점착방지 처리를 하는 전처리단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 나노리소그래피 장치용 스탬프 제조방법
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자외선광을 이용하여 레지스트를 노광하기 위한 나노리소그래피 장치에 있어서,챔버;상기 챔버 내에 수용되어 자외선 광을 발생시키는 광원;상기 광원의 광경로 상에 마련되는 광투과성 소재의 베이스, 일면이 상기 베이스와 접촉 결합하며 상기 광원으로부터 발생하는 자외선 광을 표면 플라즈몬 에너지로 변환시켜 상기 레지스트에 전달하는 노광부, 상기 노광부의 타단면에 결합되는 점착방지막을 구비하는 스탬프;를 포함하되,상기 노광부는 플라즈모닉 공명특성을 가지는 금속패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 나노리소그래피 장치
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제9항에 있어서,상기 점착방지막의 표면은 상기 레지스트와 용이하게 접촉해제될 수 있도록 친수성 또는 소수성 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 나노리소그래피 장치
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