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기판(100)의 상부면에 레지스트(300)를 적층하고, 그 상부에 패턴이 형성된 몰드(200)를 적층한 후 몰드(200)를 가압하여 몰드(200)에 형성된 패턴의 형상으로 기판(100) 상에 패턴이 복제되게 하는 패턴 복제 방법에 있어서,
상기 레지스트(300)의 어느 일면에는 레지스트(300)의 반응을 억제 또는 지연시키는 반응억제제(400)를 더 도포한 후 상기 몰드(200)를 가압하여 레지스트(300)가 몰드(200)에 형성된 패턴에 유입되고 남아 있는 부분이 반응억제제(400)에 의해 경화되지 않게 한 후, 패턴 이외의 부분을 제거하고 남아 있는 패턴 부분을 기판에 옮겨 기판에 패턴이 형성되게 함을 특징으로 하는 잔류층이 없는 패턴 복제 방법
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제 1 항에 있어서,
상기 반응억제제(400)는 레지스트(300)의 저면과 기판(10) 사이에 도포됨을 특징으로 하는 잔류층이 없는 패턴 복제 방법
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제 1 항에 있어서,
상기 반응억제제(400)는 레지스트(300)의 상면과 몰드(200) 사이 중 패턴이 형성되지 않은 부분에 도포됨을 특징으로 하는 잔류층이 없는 패턴 복제 방법
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제 3 항에 있어서,
상기 반응억제제(400)는 미소접촉 인쇄(microcontact printing)법에 의해 도포됨을 특징으로 하는 잔류층이 없는 패턴 복제 방법
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제 1 항내지 제 4항 중 어느 한항에 있어서,
상기 몰드(200)를 가압하여 몰드에 형성된 패턴에 레지스트(300)가 유입된 후 레지스트를 경화시키기 위해 자외선 또는 열이 조사됨을 특징으로 하는 잔류층이 없는 패턴 복제 방법
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제 5 항에 있어서,
상기 레지스트(300)는 열 또는 자외선에 의해 경화되는 경화형 레지스트이고, 아크릴레이트, 에폭시, 우레탄 아크릴레이트 중 어느 하나이거나 또는 이들의 혼합물임을 특징으로 하는 잔류층이 없는 패턴 복제 방법
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제 6 항에 있어서,
상기 반응억제제(400)는 자유기(free radical) 반응억제제 또는 양이온(cationic) 반응억제제일을 특징으로 하는 잔류층이 없는 패턴 복제 방법
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제 7 항에 있어서,
상기 기판(100)위에 패턴화된 레지스트(300)를 전이시키는 과정에서 기판과 패턴사이의 접착력을 증가시키기 위해 열 또는 자외선을 조사함을 특징으로 하는 잔류층이 없는 패턴 복제 방법
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제 7 항에 있어서,
상기 기판(100)위에 패턴화된 레지스트(300)를 전이시키는 과정에서 기판과 패턴사이의 접착력을 증가시키기 위해 기판(100) 위에 얇은 박막의 접착증가막(adhesion promoter)을 형성함을 특징으로 하는 잔류층이 없는 패턴 복제 방법
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제 9 항에 있어서,
상기 접착증가막은 실란커플링제, 알킬 포스페이트(Phosphate), 티올(thiol)계 커플링제 중 어느 하나가 사용됨을 특징으로 하는 잔류층이 없는 패턴 복제 방법
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