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발광다이오드(Light Emitting Diode ; LED) 발광면에 폴리에틸렌옥사이드-폴리메틸메타크릴레이트-폴리스티렌 삼중블록공중합체(poly(ethylene oxide-b-methyl methacrylate-b-styrene ; PEO-b-PMMA-PS)를 이용하여 삼중블록공중합체막을 형성하는 단계;
상기 삼중블록공중합체막이 폴리스티렌 기지(matrix) 영역 내에 상기 발광다이오드 발광면에 수직한 폴리에틸렌옥사이드 영역과 폴리메틸메타크릴레이트 영역으로 이루어진 실린더 형상의 미세구조를 갖는 형태가 되도록, 상기 삼중블록공중합체막을 어닐링하는 단계;
상기 어닐링된 삼중블록공중합체막 중 상기 폴리에틸렌옥사이드 영역 및 상기 폴리메틸메타크릴레이트 영역을 제거하여 나노패턴으로 이루어진 나노템플레이트를 형성하는 단계; 및
상기 나노템플레이트를 이용하여 상기 발광다이오드 발광면을 식각하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 삼중블록공중합체를 이용한 발광다이오드 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 삼중블록공중합체는 하기 식 1로 표시되고, 하기 식 1에서 m, n, p는 몰분율로서, p는 0
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제1항에 있어서,
상기 삼중블록공중합체는 폴리스티렌 기지 영역 내에 폴리에틸렌옥사이드 영역과 폴리메틸메타크릴레이트 영역으로 이루어진 실린더 형상의 미세구조를 갖는 형태인 것을 특징으로 하는 삼중블록공중합체를 이용한 발광다이오드 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 삼중블록공중합체막을 형성하는 단계는 상기 삼중블록공중합체를 2,000 내지 6,000 rpm의 속도로 스핀코팅하여 도포되는 것을 특징으로 하는 삼중블록공중합체를 이용한 발광다이오드 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 삼중블록공중합체막은 25 내지 300 nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 삼중블록공중합체를 이용한 발광다이오드 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 삼중블록공중합체의 수평균분자량은 15,000 내지 150,000인 것을 특징으로 하는 삼중블록공중합체를 이용한 발광다이오드 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 삼중블록공중합체를 어닐링하는 단계는 용매를 통한 어닐링(solvent annealing) 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 삼중블록공중합체를 이용한 발광다이오드 제조방법
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제7항에 있어서,
상기 용매는 벤젠인 것을 특징으로 하는 삼중블록공중합체를 이용한 발광다이오드 제조방법
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제7항에 있어서,
상기 용매를 통한 어닐링은 상온에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 삼중블록공중합체를 이용한 발광다이오드 제조방법
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제7항에 있어서,
상기 용매를 통한 어닐링은 상대습도 70 내지 90%의 분위기에서 수행하는 것을 특징으로 하는 삼중블록공중합체를 이용한 발광다이오드 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 폴리에틸렌옥사이드 영역과 폴리메틸메타크릴레이트 영역으로 이루어진 실린더 형상의 미세구조는 중심부가 폴리에틸렌옥사이드 영역으로 형성되고 외부가 폴리메틸메타크릴레이트 영역으로 이루어진 코어-셀(core-shell) 형태인 것을 특징으로 하는 삼중블록공중합체를 이용한 발광다이오드 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 나노템플레이트를 형성하는 단계는,
상기 어닐링된 삼중블록공중합체막의 상부에서 200 내지 400 nm의 파장을 갖는 UV를 조사하여 상기 어닐링된 삼중블록공중합체막에 포함된 폴리메틸메타크릴레이트 영역을 제거하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 삼중블록공중합체를 이용한 발광다이오드 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 나노패턴은 상기 발광다이오드 발광면에 수직한 실린더 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 삼중블록공중합체를 이용한 발광다이오드 제조방법
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제13항에 있어서,
상기 발광다이오드 발광면에 수직한 실린더 형상의 직경은 20 내지 300nm인 것을 특징으로 하는 삼중블록공중합체를 이용한 발광다이오드 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 발광다이오드 발광면을 식각하는 단계는 불소(F)를 함유하는 가스 및 염소(Cl)를 함유하는 가스 중 적어도 하나를 이용하여 식각하는 것을 특징으로 하는 삼중블록공중합체를 이용한 발광다이오드 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 발광다이오드는 AlGaN, AlGaAs, GaN, SiC, Si, GaAs, SiGe, GaP 및 ZnO 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 삼중블록공중합체를 이용한 발광다이오드의 제조방법
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