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태양전지용 기판 제조 방법에 있어서,
(a) 버블링(Bubbling)된 상태의 TiCl4를 공급하여, 550~500℃에서 화학기상증착(CVD) 방법으로 플로린 도핑된 틴옥사이드(SnO2:F) 유리 기판 상에 티타니아 나노와이어(TiO2 nano-wire)를 형성하는 단계; 및
(b) 50~200nm의 평균입경을 갖는 CdS 파우더를 공급하여, 450~500℃에서 CVD 방법으로 상기 티타니아 나노와이어 표면에 카드뮴 설파이드 나노막대(CdS nano-rod)를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 TiO2/CdS 이종구조를 갖는 태양전지용 기판 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 (a)단계에서
분위기가스로서 20sccm의 수소 가스 및 100sccm의 아르곤 가스와 반응가스로서 0
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제5항에 있어서, 상기 (a)단계에서
반응가스로서 20sccm의 수소 가스가 더 공급되는 것을 특징으로 하는 TiO2/CdS 이종구조를 갖는 태양전지용 기판 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 티타니아 나노와이어는
180~220nm의 길이 및 9~11nm의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 TiO2/CdS 이종구조를 갖는 태양전지용 기판 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 (b)단계에서
분위기 가스로서 20sccm의 수소 가스 및 100sccm의 아르곤 가스가 공급되는 것을 특징으로 하는 TiO2/CdS 이종구조를 갖는 태양전지용 기판 제조 방법
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태양전지를 제조하는 방법에 있어서,
(a) 태양전지 틀을 준비하는 단계;
(b) 상기 태양전지 틀의 일면에, TiO2 나노와이어/CdS 나노막대 이종구조가 형성된 플로린 도핑 틴옥사이드 유리 기판을 워킹전극으로 접착하는 단계;
(c) 상기 태양전지 틀의 타면에, 백금을 코팅한 유리 기판을 카운터전극으로 접착하는 단계; 및
(d) 상기 워킹전극 및 카운터전극 사이에 액체 전해질(liquid electrolyte)을 충진하는 단계를 포함하고,
상기 (b)단계는
(b1) 버블링된 TiCl4를 공급하여 500~550℃에서 CVD 방법으로 플로린 도핑된 틴옥사이드(SnO2:F) 유리 기판 상에 티타니아 나노와이어를 형성하는 단계; 및
(b2) 50~200nm의 평균입경을 갖는 CdS 파우더를 공급하여 450~500℃에서 CVD 방법으로 상기 티타니아 나노와이어 표면에 카드뮴 설파이드 나노막대를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 티타니아 나노와이어는
180~220nm의 길이 및 9~11nm의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 태양전지 틀은
써린(Serine) 재질인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 액체 전해질은
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제11항, 제13항, 제15항 및 제16항 중 어느 하나의 항에 기재된 태양전지 제조 방법으로 제조된 태양전지
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