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버랙터가 구비된 반도체 집적 회로, 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015132176
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 버랙터를 구비한 반도체 집적 회로, 및 그 제조 방법이 개시된다. 버랙터를 구비한 반도체 집적 회로는 기판상에 형성된 폴리실리콘 영역, 폴리실리콘 영역에 의해 둘러싸이는 금속 영역, 및 폴리실리콘 영역과 금속 영역 사이에 형성된 유전체 영역을 포함한다. 이러한 구성에 의해, 종래 버랙터에서 문제가 되었던 폴리 디플리션(poly depletion)에 의한 성능의 감소를 억제할 수 있으며, 단위 면적당 커패시턴스(capacitance)를 증가시킬 수 있게 된다. 또한, 종래의 MOS 버랙터에서 문제가 되었던 소스/드레인 오버랩 커패시턴스(source/drain overlap capacitance)를 효과적으로 제거함으로써 버랙터 소자의 튜닝 범위(tuning range)를 크게 증가시킬 수 있으며, STI 위에 버랙터 소자가 형성됨에 따라 실리콘 기판과의 커플링 등에 의한 문제점을 극복할 수 있다.
Int. CL H01L 29/93 (2006.01)
CPC H01L 29/93(2013.01) H01L 29/93(2013.01)
출원번호/일자 1020100022805 (2010.03.15)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1138407-0000 (2012.04.13)
공개번호/일자 10-2011-0103640 (2011.09.21) 문서열기
공고번호/일자 (20120426) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.03.15)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재성 대한민국 서울특별시 마포구
2 오용호 대한민국 인천광역시 부평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인주원 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2010-0162328-52
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.01.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.02.21 수리 (Accepted) 9-1-2011-0016559-44
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0285563-52
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0576973-69
7 보정요구서
Request for Amendment
2011.08.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0070571-88
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0669017-05
9 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2011.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0603729-69
10 보정요구서
Request for Amendment
2011.09.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0081607-91
11 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2011.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0697481-67
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0751978-03
13 보정요구서
Request for Amendment
2011.10.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0092092-24
14 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0834245-24
15 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2011.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0779718-94
16 보정요구서
Request for Amendment
2011.11.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0100771-51
17 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.11.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0930952-15
18 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0930975-65
19 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2011.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0857999-14
20 등록결정서
Decision to grant
2012.04.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0212963-57
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 형성된 폴리실리콘 영역;상기 폴리실리콘 영역에 의해 미리 설정된 일부 영역이 둘러싸이는 금속 영역; 및상기 폴리실리콘 영역과 상기 금속 영역 사이에 형성된 유전체 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 버랙터가 구비된 반도체 집적 회로
2 2
제 1항에 있어서,상기 폴리 실리콘 영역은 기판 내에 형성된 STI(Shallow Trench Isolation)상에 형성되는 것을 특징으로 하는 버랙터가 구비된 반도체 집적 회로
3 3
제 1항에 있어서,상기 유전체 영역은 SiO2보다 유전율이 높은 고유전율 유전체로 이루어진 것을 특징으로 하는 버랙터가 구비된 반도체 집적 회로
4 4
제 3항에 있어서,상기 유전체 영역은 ALD(Atomic Layer Deposition) 공정을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 버랙터가 구비된 반도체 집적 회로
5 5
기판상에 폴리 실리콘층을 형성하는 단계;상기 폴리실리콘층의 미리 설정된 일부 영역을 제거하는 단계;상기 폴리 실리콘이 제거된 영역에 유전체층, 및 금속층을 순차적으로 형성하되, 상기 금속층의 미리 설정된 일부 영역이 상기 폴리실리콘층에 의해 둘러싸이고, 상기 유전체층이 상기 폴리실리콘층과 상기 금속층 사이에 위치하도록 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 버랙터가 구비된 반도체 집적 회로 제조 방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 폴리 실리콘층은 기판 내에 형성된 STI(Shallow Trench Isolation)상에 형성되는 것을 특징으로 하는 버랙터가 구비된 반도체 집적 회로 제조 방법
7 7
제 5항에 있어서,상기 유전체층은 SiO2보다 유전율이 높은 고유전율 유전체인 것을 특징으로 하는 버랙터가 구비된 반도체 집적 회로 제조 방법
8 8
제 7항에 있어서,상기 유전체 영역은 ALD(Atomic Layer Deposition) 공정을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 버랙터가 구비된 반도체 집적 회로 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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