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모스 버랙터

  • 기술번호 : KST2015132877
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 밀리미터 웨이브 대역의 회로 및 소자를 위한 MOS 버랙터로서, 기판의 웰 영역에 섬 모양으로 안착된 복수의 게이트 및 상기 게이트 위의 게이트컨택을 이용하여 시리즈 저항을 줄이고 Q-인자를 개선시킨 MOS 버랙터에 관한 것이다.구체적으로 본 발명은 기판의 웰 영역에서 (n×m)의 행렬(단, n, m은 각각 1보다 큰 정수)로 등 간격 배열되는 섬 모양 게이트절연막 및 상기 게이트절연막 상부에 놓인 제 1 높이(t1)의 게이트전극; 상기 게이트전극에 접촉된 게이트컨택; 상기 게이트컨택과 전기적으로 연결된 제 2 높이(t2, 단 t1003c#t2)의 제 1 금속배선; 상기 게이트전극을 중심에 둔 정사각형의 꼭지점을 이루도록 (n+1)×(m+1)의 행렬로 등 간격 배열되어 상기 게이트절연막의 하단을 제외한 도핑영역에 접촉되는 소스 및 드레인컨택; 및 상기 소스 및 드레인컨택과 전기적으로 연결된 제 3 높이(t3, 단 t2003c#t3)의 제 2 금속배선을 포함하는 MOS 버랙터를 제공한다.
Int. CL H01L 29/93 (2006.01) H01L 29/94 (2006.01)
CPC H01L 29/93(2013.01) H01L 29/93(2013.01)
출원번호/일자 1020110075107 (2011.07.28)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1264077-0000 (2013.05.08)
공개번호/일자 10-2011-0091498 (2011.08.11) 문서열기
공고번호/일자 (20130514) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2009-0026678 (2009.03.27)
관련 출원번호 1020090026678
심사청구여부/일자 Y (2012.08.27)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재성 대한민국 서울특별시 마포구
2 오용호 대한민국 인천광역시 부평구
3 김수연 대한민국 대구광역시 북구
4 이승용 대한민국 부산광역시 해운대구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2011.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0584725-96
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.08.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0685303-68
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2012.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0685830-18
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0642796-47
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2012.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0991348-56
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-1058813-25
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0073324-18
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.02.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0153021-44
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-0153019-52
10 등록결정서
Decision to grant
2013.05.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0302858-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판의 웰 영역에서 (n×m)의 행렬(단, n, m은 각각 1보다 큰 정수)로 등 간격 배열되는 섬 모양 게이트절연막 및 상기 게이트절연막 상부에 놓인 제 1 높이(t1)의 게이트전극;상기 게이트전극에 접촉된 게이트컨택;상기 게이트컨택과 전기적으로 연결된 제 2 높이(t2, 단 t1003c#t2)의 제 1 금속배선;상기 게이트전극을 중심에 둔 정사각형의 꼭지점을 이루도록 (n+1)×(m+1)의 행렬로 등 간격 배열되어 상기 게이트절연막의 하단을 제외한 도핑영역에 접촉되는 소스 및 드레인컨택; 및 상기 소스 및 드레인컨택과 전기적으로 연결된 제 3 높이(t3, 단 t2003c#t3)의 제 2 금속배선을 포함하는 MOS 버랙터로서,상기 게이트전극에 연결된 제 1 컨택홀, 상기 도핑영역에 연결된 제 2 컨택홀을 제공하도록 상기 기판과 상기 제 1 금속배선 사이로 개재되어 상기 게이트절연막 및 게이트전극을 덮는 제 1 절연층을 더 포함하여, 상기 게이트컨택은 상기 제 1 컨택홀을 통해 상기 게이트전극에 접촉되며,상기 제 2 컨택홀에 각각 연결된 제 3 컨택홀을 제공하도록 상기 제 1 절연층과 상기 제 2 금속배선 사이로 개재되는 제 2 절연층을 더 포함하여, 상기 소스 및 드레인컨택은 각각 상기 제 2 및 제 3 컨택홀을 통해 상기 소스 및 드레인영역에 각각 접촉되는 것을 특징으로 하는 MOS 버랙터
2 2
청구항 1에 있어서,상기 게이트전극은,정사각형을 포함하는 다각형 또는 원형이고, 폴리실리콘, 실리사이드된 폴리실리콘 및, 금속 중 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 MOS 버랙터
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
청구항 1에 있어서,상기 제 2 컨택홀과 상기 제 3 컨택홀 사이로 개재되어 상하의 상기 소스 및 드레인컨택을 연결하는 제 2 높이(t2)의 플러그를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 MOS 버랙터
6 6
청구항 5에 있어서,상기 제 1 금속배선과 상기 플러그는 동일재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 MOS 버랙터
7 7
청구항 5에 있어서,상기 제 1 절연층과 상기 제 2 절연층 사이로 개재되어 상기 제 1 금속배선과 상기 플러그를 위한 제 1 다마신홀을 제공하는 층간절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 MOS 버랙터
8 8
청구항 7에 있어서,상기 제 1 금속배선과 상기 플러그는 구리(Cu)인 것을 특징으로 하는 MOS 버랙터
9 9
청구항 5에 있어서,상기 제 2 금속배선을 위한 제 2 다마신홀을 제공하도록 상기 제 2 절연층을 덮는 제 3 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 MOS 버랙터
10 10
청구항 9에 있어서, 상기 제 2 금속배선은 구리(Cu)인 것을 특징으로 하는 MOS 버랙터
지정국 정보가 없습니다
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1 KR101246348 KR 대한민국 FAMILY
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2 US7989868 US 미국 DOCDBFAMILY
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