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스트레인 게이지 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015133482
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 스트레인 게이지는 패드 영역 및 적어도 두개의 게이지 영역들로 구획된 기판, 상기 패드 영역에 해당하는 상기 기판 상에 형성되며, 패드 패턴부를 구비하는 패드 구조물, 상기 게이지 영역에 해당하는 상기 기판 상에 배치되며, 상기 패드 구조물과 전기적으로 연결되어 스트레인 값에 따라 저항을 측정하고, 상호 이격되며 전기적으로 연결된 게이지 패턴부들을 구비하는 게이지 구조물 및 상호 인접하는 상기 게이지 패턴부들 사이에 상기 기판을 관통하는 제1 관통홀이 형성되고, 상기 제1 관통홀에는 상기 게이지 패턴부들을 상호 연결하는 제1 브릿지를 구비하는 브릿지 구조물을 포함한다.
Int. CL H01L 29/84 (2006.01) G01L 1/22 (2006.01) G01B 7/16 (2006.01)
CPC G01B 7/16(2013.01)
출원번호/일자 1020130116442 (2013.09.30)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1442426-0000 (2014.09.12)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20141103) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.09.30)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 민남기 대한민국 서울특별시 서초구
2 함승우 대한민국 서울특별시 중랑구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이동건 대한민국 서울특별시 강남구 논현로***길 *, *층 ***호 (논현동)(차암특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 세종산학협력단 세종특별자치시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0886414-76
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.07.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.08.08 수리 (Accepted) 9-1-2014-0064593-60
6 등록결정서
Decision to grant
2014.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0586398-55
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
패드 영역 및 적어도 두개의 게이지 영역들로 구획된 기판;상기 패드 영역에 해당하는 상기 기판 상에 형성되며, 패드 패턴부를 구비하는 패드 구조물;상기 게이지 영역에 해당하는 상기 기판 상에 배치되며, 상기 패드 구조물과 전기적으로 연결되어 스트레인 값에 따라 저항을 측정하고, 상호 이격되며 전기적으로 연결된 게이지 패턴부들을 구비하는 게이지 구조물; 및상호 인접하는 상기 게이지 패턴부들 사이에 상기 기판을 관통하는 제1 관통홀이 형성되고, 상기 제1 관통홀에는 상기 게이지 패턴부들을 상호 연결하는 제1 브릿지를 구비하는 브릿지 구조물을 포함하는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지
2 2
제1항에 있어서, 상기 게이지 패턴부들은 제1 방향으로 연장되고,상기 게이지 구조물은 인접하는 상기 게이지 패턴부들의 각 단부를 상호 연결시키며 상기 제1 방향에 대하여 수직한 제2 방향으로 연장된 게이지 연결부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지
3 3
제2항에 있어서, 상기 게이지 연결부는 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지
4 4
제2항에 있어서, 상기 게이지 연결부는 'ㄷ'자 단면 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지
5 5
제1항에 있어서, 상기 게이지 구조물은 평면상으로 미앤더 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지
6 6
제1항에 있어서, 상기 게이지 구조물 및 상기 패드 구조물 사이에는 상기 기판을 관통하는 제2 관통홀이 형성되고, 상기 브릿지 구조물은 상기 제2 관통홀 내에 형성되고 상기 게이지 구조물 및 상기 패드 구조물 사이를 연결하는 제2 브릿지를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지
7 7
패드 영역 및 적어도 두 개의 게이지 영역으로 구획된 기판을 준비하는 단계;상기 패드 영역에 해당하는 상기 기판 상에 패드 패턴부을 갖는 패드 구조물을 형성하는 단계;상기 게이지 영역에 해당하는 상기 기판 상에, 상기 패드 구조물과 전기적으로 연결되어 스트레인 값에 따라 저항을 측정하고, 상호 이격된 게이지 패턴부들을 구비하는 게이지 구조물을 형성하는 단계;상호 인접하는 상기 게이지 패턴부들 사이에 상기 기판을 관통하는 제1 관통홀을 형성하는 단계; 및상기 제1 관통홀에 상기 게이지 패턴들을 상호 연결하는 제1 브릿지를 구비하는 브릿지 구조물을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지의 제조 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 기판은 단결정 실리콘 기판 또는 SOI 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지의 제조 방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 기판의 상부를 산화시키는 산화 공정을 통하여 상기 기판의 상부에 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지의 제조 방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 게이지 구조물을 형성하는 단계는 상기 보호막을 지나 상기 기판의 상부에 불순물을 주입하는 이온 주입 공정을 통하여 상기 게이지 패턴부들을 형성되는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지의 제조 방법
11 11
제9항에 있어서, 상기 패드 구조물을 형성하는 단계는 상기 보호막을 지나 상기 기판의 상부에 불순물을 주입하는 이온 주입 공정을 통하여 이온 주입 패턴을 형성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지의 제조 방법
12 12
제9항에 있어서, 상기 패드 구조물 및 상기 게이지 구조물을 형성하는 단계는, 상기 보호막을 부분적으로 식각하여 상기 패드 패턴부 및 상기 게이지 패턴부들을 노출시키는 단계; 및상기 패드 패턴부 및 상기 게이지 패턴부들 상에 금속 패턴 및 게이지 연결부를 각각 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지의 제조 방법
13 13
제7항에 있어서, 상기 게이지 구조물 및 상기 패드 구조물 사이에 제2 관통홀을 형성하는 단계: 및 상기 제2 관통홀에 상기 게이지 구조물 및 상기 패드 구조물 사이를 연결하는 제2 브릿지를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지의 제조 방법
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패밀리정보가 없습니다
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