맞춤기술찾기

이전대상기술

연마 조성물 및 이를 이용한 화학기계적 평탄화 방법

  • 기술번호 : KST2015134691
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 화학기계적 평탄화를 위한 연마 조성물 및 이를 이용한 화학기계적 평탄화 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 2 성분 이상의 서로 다른 종류의 금속 원소들을 포함하는 금속 화합물 박막의 평탄화를 위한 연마 조성물이 제공된다. 상기 연마 조성물은, 연마 입자들; 및 상기 연마 입자들보다 작은 크기를 가지며, 실리콘과 산소의 결합을 포함하는 다면체 구조의 나노 스케일 입자들을 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 21/304 (2006.01) C09K 3/14 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120002668 (2012.01.09)
출원인 에스케이하이닉스 주식회사, 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0081599 (2013.07.17) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 26

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 임대순 대한민국 서울 강남구
2 신동희 대한민국 경기 고양시 덕양구
3 이동현 대한민국 서울 양천구
4 양일호 대한민국 경기 이천시
5 이양복 대한민국 서울 은평구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김권석 대한민국 서울특별시 서초구 논현로**, B동 *층(양재동, 삼호물산빌딩)(아이피맥스특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0022435-69
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2012-5073964-60
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2012-5270171-92
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2015-5055330-26
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
2 성분 이상의 서로 다른 종류의 금속 원소들을 포함하는 금속 화합물 박막의 평탄화를 위한 연마 조성물로서,연마 입자들; 및상기 연마 입자들보다 작은 크기를 가지며, 실리콘과 산소의 결합을 포함하는 다면체 구조의 나노 스케일 입자들을 포함하는 연마 조성물
2 2
제 1 항에 있어서,상기 연마 입자들은, 알루미나(AlOx), 세리아(CeOx), 지르코니아(ZrOx), 타이타니아(TiOx), 게르마니아(GeOx), 산화크롬(CrOx), 망간 산화물(MnOx), 및 실리카(SiOx) 중 어느 하나 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 조성물
3 3
제 1 항에 있어서,상기 연마 입자들의 크기는 10 nm 내지 150 nm의 평균 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 연마 조성물
4 4
제 1 항에 있어서,상기 연마 입자들의 크기는 10 nm 내지 약 100 nm의 평균 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 연마 조성물
5 5
제 1 항에 있어서,상기 다면체 구조의 나노 스케일 입자는, 폴리헤드럴 올리고머릭 실스퀴옥산(Polyhedral Oligmeric Silsquioxane; POSS) 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 조성물
6 6
제 1 항에 있어서,상기 폴리헤드럴 올리고머릭 실스퀴옥산 화합물은 화학식 (RSiO1
7 7
제 6 항에 있어서,상기 유기 치환체는 수소, 산류, 알콜계, 카르복실계, 에스테르계, 에테르계, 아민계, 티올계, 케톤계, 포스페이트계, 및 오레핀계 작용기 중 어느 하나 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 조성물
8 8
제 6 항에 있어서,상기 관능화기는 수산화기, 할로겐기, 알콕사이드기, 아세테이트기, 퍼옥사이드기, 아민기, 및 이소시아네이트기 중 어느 하나 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 조성물
9 9
제 6 항에 있어서,상기 m+n+l ≤ 12 인 것을 특징으로 하는 연마 조성물
10 10
제 5 항에 있어서,상기 폴리헤드럴 올리고머릭 실스퀴옥산(Polyhedral Oligmeric Silsquioxane; POSS) 화합물은 상기 연마 조성물 내에서 중합화가 제한되는 것을 특징으로 하는 연마 조성물
11 11
제 1 항에 있어서,탈이온수, 산화제, 계면 활성제 및 pH 조절제 중 어느 하나 또는 이들의 조합을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 조성물
12 12
제 1 항에 있어서,상기 금속 화합물 박막은 칼코게나이드 재료 또는 칼코게나이드 글래스 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 조성물
13 13
제 12 항에 있어서,상기 금속 화합물 박막은 테루륨(Te)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 조성물
14 14
2 성분 이상의 서로 다른 종류의 금속 원소들을 포함하는 금속 화합물 박막이 형성된 표면을 갖는 기판의 화학기계적 평탄화 방법으로서, 상기 기판의 상기 표면을 폴리싱 패드와 접촉하도록 제공하는 단계;연마 입자들; 및 상기 연마 입자들보다 작은 크기를 가지며, 실리콘과 산소의 결합을 포함하는 다면체 구조의 나노 스케일 입자들을 포함하는 연마 조성물을 상기 연마 패드와 상기 기판의 상기 표면 사이에 제공하는 단계; 및상기 금속 화합물 박막을 상기 연마 조성물로 연마하는 단계를 포함하는 화학기계적 평탄화 방법
15 15
제 14 항에 있어서,상기 연마 입자들은, 알루미나(AlOx), 세리아(CeOx), 지르코니아(ZrOx), 타이타니아(TiOx), 게르마니아(GeOx), 산화크롬(CrOx), 망간 산화물(MnOx), 및 실리카(SiOx) 중 어느 하나 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기계적 평탄화 방법
16 16
제 14 항에 있어서,상기 연마 입자들의 크기는 10 nm 내지 150 nm의 평균 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 화학기계적 평탄화 방법
17 17
제 14 항에 있어서,상기 연마 입자들의 크기는 10 nm 내지 100 nm의 평균 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 화학기계적 평탄화 방법
18 18
제 14 항에 있어서,상기 다면체 구조의 나노 스케일 입자는, 폴리헤드럴 올리고머릭 실스퀴옥산(Polyhedral Oligmeric Silsquioxane; POSS) 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기계적 평탄화 방법
19 19
제 18 항에 있어서,상기 폴리헤드럴 올리고머릭 실스퀴옥산 화합물은 화학식 (RSiO1
20 20
제 18 항에 있어서,상기 유기 치환체는 수소, 산류, 알콜계, 카르복실계, 에스테르계, 에테르계, 아민계, 티올계, 케톤계, 포스페이트계, 및 오레핀계 작용기 중 어느 하나 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기계적 평탄화 방법
21 21
제 18 항에 있어서,상기 관능화기는 수산화기, 할로겐기, 알콕사이드기, 아세테이트기, 퍼옥사이드기, 아민기, 및 이소시아네이트기 중 어느 하나 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기계적 평탄화 방법
22 22
제 18 항에 있어서,상기 m+n+l ≤ 12 인 것을 특징으로 하는 화학기계적 평탄화 방법
23 23
제 18 항에 있어서,상기 폴리헤드럴 올리고머릭 실스퀴옥산(Polyhedral Oligmeric Silsquioxane; POSS) 화합물은 상기 연마하는 단계 동안 중합화가 제한되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 평탄화 방법
24 24
제 14 항에 있어서,상기 연마 조성물은 탈이온수, 산화제, 계면 활성제 및 pH 조절제 중 어느 하나 또는 이들의 조합을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기계적 평탄화 방법
25 25
제 14 항에 있어서,상기 금속 화합물 박막은 칼코게나이드 재료 또는 칼코게나이드 글래스 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기계적 평탄화 방법
26 26
제 14 항에 있어서,상기 금속 화합물 박막은 테루륨(Te)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기계적 평탄화 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09068110 US 미국 FAMILY
2 US20130178064 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2013178064 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9068110 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.