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유연한 절연 기판;상기 절연 기판 상에 형성되고 서로 이격된 제1 및 제2 전극 패드; 및상기 제1 전극 패드와 전기적으로 연결된 제1 단부 및 상기 제2 전극 패드와 전기적으로 연결된 제2 단부를 구비하고, 복수의 절곡부를 가지며, 랜덤하게 배향된 탄소나노튜브의 네트워크로 이루어진 저항체를 포함하는 스트레인 게이지
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제1항에 있어서, 상기 저항체는,제1 방향으로 연장되고 서로 이격된 2N개의 제1 저항 패턴들; 및상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되고, 상기 제1 저항 패턴들의 단부들를 연결하는 2N-1개의 제2 저항 패턴들을 포함하고,상기 N는 2보다 크거나 같고 5보다 작거나 같은 정수이며,상기 제1 및 제2 저항 패턴들은 전기적으로 직렬로 연결된 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지
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제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 저항 패턴의 두께는 50nm 이상 300nm 이하이고, 상기 제1 저항 패턴의 상기 제2 방향으로의 폭은 50㎛ 이상 200㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지
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베이스 기판 상부에 산화막을 형성하는 단계;상기 산화막 상부에 수지 절연층을 형성하는 단계;상기 수지 절연층 상부에 금속 전극 패드를 형성하는 단계;상기 금속 전극 패드가 형성된 상기 수지 절연층 상부에 탄소나노튜브 분산 용액을 스프레이 분사하여 탄소나노튜브 박막을 형성하는 단계;상기 탄소나노튜브 박막을 패터닝하여 저항체를 형성하는 단계; 및상기 수지 절연층을 상기 베이스 기판으로부터 분리하는 단계를 포함하는 스트레인 게이지의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 수지 절연층을 형성하는 단계는,상기 산화막 상부에 폴리이미드 액상을 스핀 코팅의 방법으로 도포하는 단계; 및상기 도포된 폴리이미드 액상을 경화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 박막을 패터닝하는 단계는,상기 탄소나노튜브 박막 상에 상기 저항체에 대응하는 형상을 갖는 마스크를 형성하는 단계; 및상기 마스크가 형성된 탄소나노튜브 박막에 산소 플라즈마를 방사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 산소 플라즈마는 10sccm의 속도로 3분 이상 10분 이하의 시간동안 방사되는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 베이스 기판은 실리콘 웨이퍼 또는 글라스 웨이퍼를 포함하고, 상기 산화막은 이산화규소막을 포함하며,상기 수지 절연층을 상기 기판으로부터 분리하는 단계는 B
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