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염기성 치환기를 갖는 폴리벤즈이미다졸계 고분자 및 이를 포함하는 전해질막

  • 기술번호 : KST2015135147
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 염기성 치환기를 갖는 폴리벤즈이미다졸계 고분자 및 이를 포함하는 전해질막에 관한 것이다. 본 발명의 염기성 치환기를 갖는 폴리벤즈이미다졸계 고분자는 바이벤즈이미다졸 주쇄에 벌크한(bulky) 염기성 치환기를 갖는 특정 구조의 반복단위를 포함한다. 본 발명의 폴리벤즈이미다졸계 고분자는 벌크한 염기성 치환기를 가지므로써 고분자의 거의 무정형에 가까운 약한 결정성을 가지고, 우수한 인산 함유량 및 수소 이온 전도도를 갖는다.폴리벤즈이미다졸, 전해질막
Int. CL C08G 61/12 (2006.01.01) C08G 73/18 (2006.01.01) H01M 8/103 (2016.01.01) C08J 5/22 (2006.01.01)
CPC C08G 61/12(2013.01) C08G 61/12(2013.01) C08G 61/12(2013.01) C08G 61/12(2013.01) C08G 61/12(2013.01)
출원번호/일자 1020090003372 (2009.01.15)
출원인 주식회사 엘지화학, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1144398-0000 (2012.05.02)
공개번호/일자 10-2010-0083994 (2010.07.23) 문서열기
공고번호/일자 (20120510) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.01)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종찬 대한민국 서울특별시 서초구
2 이원호 대한민국 대전광역시 서구
3 김성곤 대한민국 서울특별시 관악구
4 정정우 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정순성 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층 (역삼동, 타워***빌딩)(새온특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 서울특별시 영등포구
2 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2009-0027053-00
2 보정요구서
Request for Amendment		 2009.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0004394-63
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.02.02 수리 (Accepted) 1-1-2009-0063705-04
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2010-0568595-36
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.07.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2011.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0590375-05
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2011-0064729-79
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
9 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2011.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0969987-15
10 등록결정서
Decision to grant		 2012.04.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0216877-11
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식1로 표시되는 반복단위를 포함하며, 중합도는 10 ~ 10,000 인 폴리벤즈이미다졸계 고분자:[화학식 1]상기 화학식 1에서, Ar은 , , , , , 또는 이며,X는 , , , 또는 이다
2 2
제1항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하고, 하기 화학식 2, 하기 화학식 3 또는 하기 화학식 4로 표시되는 것을 특징으로 하는 폴리벤즈이미다졸계 고분자:[화학식 2][화학식 3][화학식 4]상기 화학식 4 내지 화학식 6에서,Ar은 , , , , , 또는 이며,X는 , , , 또는 이며,m과 n은 서로 독립적으로 1 ~ 10,000 이고, m과 n에 대응하는 반복단위의 몰비율은 1~99:99~1이다
3 3
100 ~ 250℃의 온도 및 불활성 분위기 하에서 3,3''-디아미노 벤지딘을 유기용매에 용해시킨 후, 환형 아민기로 치환된 프탈산 또는 환형 아민기로 치환된 피리딘 디카르복시산을 더 첨가한 다음, 5 시간 이상 교반하여 제조되는 상기 제1항의 폴리벤즈이미다졸계 고분자의 제조방법
4 4
제3항에 있어서,상기 환형 아민기로 치환된 프탈산 또는 환형 아민기로 치환된 피리딘 디카르복시산은 2-(벤즈이미다졸-2-일) 테레프탈산, 2-(피리딘-2-일) 테레프탈산, 2-(피리딘-3-일) 테레프탈산, 2-(피리딘-4-일) 테레프탈산, 2-(퀸옥살린-6-일) 테레프탈산, 2-(벤즈이미다졸-2-일) 이소프탈산, 2-(피리딘-2-일) 이소프탈산, 2-(피리딘-3-일) 이소프탈산, 2-(피리딘-4-일) 이소프탈산, 2-(퀸옥살린-6-일) 이소프탈산, 4-(벤즈이미다졸-2-일)-피리딘-2,5-디카르복시산, 4-(피리딘-2-일)-피리딘-2,5-디카르복시산, 4-(피리딘-3-일)-피리딘-2,5-디카르복시산, 4-(피리딘-4-일)-피리딘-2,5-디카르복시산, 4-(퀸옥살린-6-일)-피리딘-2,5-디카르복시산, 4-(벤즈이미다졸-2-일)-피리딘-2,6-디카르복시산, 4-(피리딘-2-일)-피리딘-2,6-디카르복시산, 4-(피리딘-3-일)-피리딘-2,6-디카르복시산, 4-(피리딘-4-일)-피리딘-2,6-디카르복시산, 4-(퀸옥살린-6-일)-피리딘-2,6-디카르복시산, 3-(벤즈이미다졸-2-일)-피리딘-2,4-디카르복시산, 3-(피리딘-2-일)-피리딘-2,4-디카르복시산, 3-(피리딘-3-일)-피리딘-2,4-디카르복시산, 3-(피리딘-4-일)-피리딘-2,4-디카르복시산, 3-(퀸옥살린-6-일)-피리딘-2,4-디카르복시산, 3-(벤즈이미다졸-2-일)-피리딘-2,5-디카르복시산, 3-(피리딘-2-일)-피리딘-2,5-디카르복시산, 3-(피리딘-3-일)-피리딘-2,5-디카르복시산, 3-(피리딘-4-일)-피리딘-2,5-디카르복시산, 3-(퀸옥살린-6-일)-피리딘-2,5-디카르복시산, 3-(벤즈이미다졸-2-일)-피리딘-2,6-디카르복시산, 3-(피리딘-2-일)-피리딘-2,6-디카르복시산, 3-(피리딘-3-일)-피리딘-2,6-디카르복시산, 3-(피리딘-4-일)-피리딘-2,6-디카르복시산 및 3-(퀸옥살린-6-일)-피리딘-2,6-디카르복시산으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 폴리벤즈이미다졸계 고분자의 제조방법
5 5
인산을 도핑한 상기 제1항 또는 제2항의 고분자를 포함하는 고분자 전해질막
6 6
제5항에 있어서,상기 인산은 전해질막 전체 중량 대비 85 중량%까지 도핑되는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질막
7 7
전해질막; 및 상기 전해질막을 사이에 두고 형성되며, 각각 촉매층 및 기체확산층을 포함하는 애노드 전극 및 캐소드 전극;을 포함하는 연료전지용 막전극 접합체에 있어서,상기 전해질막은 제5항의 고분자 전해질막인 것을 특징으로 하는 연료전지용 막전극 접합체
8 8
하나 또는 둘 이상의 제7항의 제조방법에 따라 제조된 막전극 접합체와 상기 막전극 접합체들 사이에 개재하는 세퍼레이터를 포함하는 스택;연료를 상기 스택으로 공급하는 연료공급부; 및 산화제를 상기 스택으로 공급하는 산화제공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 연료전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.