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하이드라지늄 설페이트가 분산된 폴리벤즈이미다졸계 복합막 및 이를 사용하는 연료전지용 전해질막

  • 기술번호 : KST2015135313
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요약 본 발명은 하이드라지늄 설페이트가 분산된 폴리벤즈이미다졸계 복합막 및 이를 사용하는 연료전지용 전해질막에 관한 것이다. 본 발명의 폴리벤즈이미다졸계 복합막은 폴리벤즈이미다졸계 고분자에 금속 하이드라지늄 설페이트가 분산된 것을 특징으로 한다. 본 발명의 폴리벤즈이미다졸계 복합막은 열적 안정성 및 수소 이온 전도도가 우수하다.폴리벤즈이미다졸, 전해질막
Int. CL H01M 8/1048 (2016.01.01) H01M 8/103 (2016.01.01) H01M 8/1004 (2016.01.01) H01M 8/241 (2016.01.01) H01M 8/1011 (2016.01.01) H01M 8/1018 (2016.01.01)
CPC H01M 8/1048(2013.01) H01M 8/1048(2013.01) H01M 8/1048(2013.01) H01M 8/1048(2013.01) H01M 8/1048(2013.01) H01M 8/1048(2013.01) H01M 8/1048(2013.01) H01M 8/1048(2013.01)
출원번호/일자 1020090087246 (2009.09.15)
출원인 주식회사 엘지화학, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1317510-0000 (2013.10.04)
공개번호/일자 10-2011-0029535 (2011.03.23) 문서열기
공고번호/일자 (20131015) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.09.29)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최성호 대한민국 대전광역시 서구
2 이종찬 대한민국 서울특별시 서초구
3 김혁 대한민국 대전광역시 유성구
4 김지수 대한민국 대전광역시 유성구
5 김성곤 대한민국 서울특별시 관악구
6 정정우 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정순성 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층 (역삼동, 타워***빌딩)(새온특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
2 주식회사 엘지화학 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.09.15 수리 (Accepted) 1-1-2009-0568040-06
2 보정요구서
Request for Amendment
2009.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0072415-62
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2009.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0617413-61
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2009.10.08 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2009-0617414-17
5 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2009.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0098944-01
6 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2010.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0034659-28
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2011.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0590375-05
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
9 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0760976-12
10 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2011.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0969987-15
11 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.07.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
12 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.08.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0064392-10
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0141345-42
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.04.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0376488-60
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0376487-14
17 등록결정서
Decision to grant
2013.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0670044-78
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
27 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식1 내지 화학식7로 표시되는 금속 하이드라지늄 설페이트 중 적어도 1종이 폴리벤즈이미다졸계 고분자 매트릭스에 분산된 폴리벤즈이미다졸계 복합막을 포함하고,상기 복합막에 인산이 도핑된 것을 특징으로 하는 연료전지용 전해질막:[화학식 1]LiN2H5SO4[화학식 2]M1SO4·XN2H4상기 화학식 2에서, M1은 Mn, Co, Ni, Zn 또는 Cd이고, X는 2 또는 3인 정수이며,[화학식 3] (N2H5)2M2(SO4)2상기 화학식 3에서, M2는 Mg, Mn, Cu, Zn 또는 Cd이며,[화학식 4] (N2H5)2M3(SO4)2·3N2H4상기 화학식 4에서, M3은 Fe, Co 또는 Ni이며,[화학식 5]N2H5Al(SO4)2·12H2O[화학식 6]N2H5Al(SO4)2·2N2H4[화학식 7]N2H5M4(SO4)2·H2O상기 화학식 7에서, M4는 La, Ce, Pr, Nd 또는 Sm이다
2 2
제1항에 있어서,상기 금속 하이드로지늄 설페이트의 함량은 폴리벤즈이미다졸계 고분자 100 중량부에 대하여 1 내지 20중량부인 것을 특징으로 하는 연료전지용 전해질막
3 3
제1항에 있어서,상기 폴리 벤즈이미다졸계 고분자는 폴리[2,2'-(m-페닐렌)-5,5'-바이벤즈이미다졸], 폴리[2,2'-(p-페닐렌)-5,5'-바이벤즈이미다졸] 및 폴리[2,5-벤즈이미다졸]로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 연료전지용 전해질막
4 4
삭제
5 5
전해질막; 및 상기 전해질막을 사이에 두고 형성되며 각각 촉매층 및 기체확산층을 포함하는 애노드 전극 및 캐소드 전극을 포함하는 연료전지용 막전극 접합체에 있어서,상기 전해질막은 제1항의 연료전지용 전해질막인 것을 특징으로 하는 연료전지용 막전극 접합체
6 6
하나 또는 둘 이상의 제5항의 막전극 접합체와 상기 막전극 접합체들 사이에 개재하는 세퍼레이터를 포함하는 스택;연료를 상기 스택으로 공급하는 연료공급부; 및 산화제를 상기 스택으로 공급하는 산화제공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 연료전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.