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분말카트리지

  • 기술번호 : KST2015135426
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 분말 카트리지는, 내부에 분말이 주입되는 에어로졸 유지실; 상기 에어로졸 유지실에 장착된 분사 노즐; 상기 에어로졸 유지실 내의 유체를 강제유동시키는 순환장치; 및, 상기 순환장치에 의하여 에어로졸 상태가 된 상기 분말을 분사하는 분사 노즐을 포함하고, 본 발명에 따른 분말 카트리지를 사용함으로써, 바이패스 라인을 구비하지 않아도 분말의 분사 속도를 확보할 수 있을 뿐만 아니라, 분말의 교차오염을 최소화 할 수 있다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC G03F 7/164(2013.01) G03F 7/164(2013.01) G03F 7/164(2013.01) G03F 7/164(2013.01)
출원번호/일자 1020090097289 (2009.10.13)
출원인 한양대학교 산학협력단, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1175542-0000 (2012.08.14)
공개번호/일자 10-2011-0040135 (2011.04.20) 문서열기
공고번호/일자 (20120822) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.10.13)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이선영 대한민국 경기도 안산시 상록구
2 정규봉 대한민국 경기도 안산시 상록구
3 송우진 대한민국 경기도 안산시 상록구
4 안성훈 대한민국 경기도 성남시 분당구
5 천두만 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)
2 현종철 대한민국 서울특별시 중구 다산로 **, *층 특허법인충현 (신당동, 두지빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
2 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2009-0627028-75
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0630174-04
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2010.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2010-0239877-89
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2011-0025701-43
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0196786-61
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.06.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0444827-05
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0444825-14
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2011.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0626422-88
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2011-1027090-61
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.12.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-1027092-52
13 등록결정서
Decision to grant		 2012.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0289291-66
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
내부에 분말이 주입되는 에어로졸 유지실;상기 에어로졸 유지실에 장착된 분사 노즐;상기 에어로졸 유지실 내의 유체를 강제유동시키는 순환장치; 및, 상기 순환장치에 의하여 에어로졸 상태가 된 상기 분말을 분사하는 분사 노즐을 포함하고, 상기 분사 노즐은 상기 에어로졸 유지실의 일측에 형성된 분말배출구 측에 직접 결합되고, 상기 에어로졸 유지실의 상기 일측과 대향하는 위치인, 상기 에어로졸 유지실의 타측에는 공정기체유입구가 형성되되,상기 분말배출구의 중심축과, 상기 공정기체유입구의 중심축이 일직선이며, 도포되는 분말의 교차오염을 방지하기 위하여, 분말도포공정이 진행되는 분말도포장치의 챔버 내에 장착되는 것을 특징으로 하는 분말카트리지
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 분말카트리지의 순환장치는 상기 분말배출구와 상기 공정기체유입구 사이에 연통되어 상기 분말카트리지 내의 공정기체가 순환 가능한 에어로졸 유동관, 및 상기 에어로졸 유동관 내의 유체를 강제 유동시키는 펌프를 포함하는 것을 특징으로 하는 분말카트리지
4 4
제1항에 있어서,상기 분말 카트리지는 상기 공정기체유입구와 연통되는 공정기체이동관의 개폐를 조절하는 제1밸브, 및상기 분말배출구와 분사 노즐 사이에 형성된 배출관의 개폐를 조절하는 제2밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 분말카트리지
5 5
제1항에 있어서,상기 에어로졸 유지실에 분사용 분말을 공급하는 분말주입기가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 분말카트리지
6 6
제1항에 있어서,상기 분말카트리지에 결합된 상기 분사 노즐은 마이크로 노즐인 것을 특징으로 하는 분말카트리지
7 7
제6항에 있어서,상기 마이크로 노즐은 길이방향 중심 지점으로부터 마이크로 노즐의 양단으로 갈수록 직경이 넓어지는 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 분말카트리지
8 8
제7항에 있어서,상기 마이크로 노즐은 한 장의 웨이퍼에 형성된 것을 특징으로 하는 분말카트리지
9 9
제8항에 있어서,상기 마이크로 노즐은웨이퍼를 세척하는 세정공정,상기 웨이퍼의 일면에 포토리소그래피를 수행하는 마이크로 노즐의 일측성형공정,상기 웨이퍼의 일면에 남아있는 잔여 포토레지스트를 제거하는 일측 잔여물 제거공정,상기 일면의 반대편에 형성된 웨이퍼의 타면에 포토리소그래피를 수행하는 마이크로 노즐의 타측성형공정, 및상기 웨이퍼의 타면에 남아있는 잔여 포토레지스트를 제거하는 타측 잔여물제거공정을 거쳐 형성되는 것을 특징으로 하는 분말카트리지
10 10
제9항에 있어서,상기 마이크로 노즐은, 상기 일측 잔여물제거공정과 마이크로 노즐의 타측성형공정 사이에, 상기 일면과 타면을 관통하여 형성될 마이크로 노즐의 성형 위치를 조정하는 패턴정렬공정을 거쳐 형성되는 것을 특징으로 하는 분말카트리지
11 11
제7항에 있어서,상기 마이크로 노즐은 두 장의 웨이퍼에 형성된 것을 특징으로 하는 분말카트리지
12 12
제11항에 있어서,상기 마이크로 노즐은웨이퍼를 세척하는 세정공정,상기 웨이퍼의 일면에 포토리소그래피를 수행하는 마이크로 노즐의 일측성형공정,상기 웨이퍼의 일면에 남아있는 잔여 포토레지스트를 제거하는 일측 잔여물 제거공정,상기 일면의 반대쪽에 위치한 웨이퍼의 타면이 서로 마주보도록, 상기 일측 잔여물 제거공정을 거친 두 장의 웨이퍼를 위치한 뒤, 마이크로 노즐의 형상을 정렬하는 웨이퍼 얼라인먼트공정, 및 상기 정렬된 웨이퍼를 부착하는 본딩공정을 거쳐 형성되는 것을 특징으로 하는 분말카트리지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술부 과학기술부(한국과학재단) 기초과학연구사업(우수연구리더육성) DEEP RIE 를 이용항 3차원 초음속 마이크로 노즐의 제작과 이를 이용한 금속 및 세라믹 패턴의 상온 적층