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코드마크 및 이의 제조방법, 인식 시스템, 인식 방법

  • 기술번호 : KST2015136061
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 코드마크 및 코드마크 제조방법, 코드마크 인식 시스템, 코드마크 인식 방법에 제공되며, 서로 다른 여기 파장(Excitation Wavelength)을 가지는 광들이 조사됨에 따라 서로 다른 방출 파장(Emission Wavelength)을 나타내는, 적어도 두 개 이상의 마크 물질들 중 제 1 마크 물질이 도포 또는 인쇄되는 제 1 마크층 및 상기 적어도 두 개 이상의 마크 물질들 중 제 2 마크 물질이 상기 제 1 마크층에 적층되도록 도포 또는 인쇄되는 제 2 마크층을 포함한다.
Int. CL G06K 9/18 (2006.01.01) G06K 7/10 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020120066347 (2012.06.20)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1384612-0000 (2014.04.07)
공개번호/일자 10-2013-0142811 (2013.12.30) 문서열기
공고번호/일자 (20140411) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.06.20)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최영빈 대한민국 경기 성남시 분당구
2 박천권 대한민국 서울 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0492433-13
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0514349-73
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0864651-75
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.10.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0954127-06
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0954125-15
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2013.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0889771-11
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.01.03 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0005905-42
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2014-0005903-51
10 등록결정서
Decision to grant
2014.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0217229-04
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
코드마크에 있어서,서로 다른 여기 파장(Excitation Wavelength)을 가지는 광들이 조사됨에 따라 서로 다른 방출 파장(Emission Wavelength)을 나타내는, 적어도 두 개 이상의 마크 물질들 중 제 1 마크 물질이 도포 또는 인쇄되는 제 1 마크층; 및상기 적어도 두 개 이상의 마크 물질들 중 제 2 마크 물질이 상기 제 1 마크층에 적층되도록 도포 또는 인쇄되는 제 2 마크층; 및 상기 제 1 마크층 또는 제 2 마크층에 적층되도록 도포 또는 인쇄되는 커버 물질을 포함하되, 상기 제 1 마크층은 제 1 형상을 형성하도록 도포 또는 인쇄되고,상기 제 2 마크층은 상기 제 1 형상과 다른 제 2 형상을 형성하도록 도포 또는 인쇄되는 것인 코드마크
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 제 1 형상 및 제 2 형상은 도형, 문자, 패턴, 기호, 부호, 이미지 중 적어도 하나인 것인, 코드마크
4 4
제 1 항에 있어서,상기 커버 물질은 상기 제 1 형상 및 제 2 형상을 육안으로 식별할 수 없도록 일정 색상 및 일정 형상으로 상기 제 1 마크층 또는 제 2 마크층에 적층되도록 도포 또는 인쇄되는 것인, 코드마크
5 5
제 1 항에 있어서,상기 커버 물질은 상기 제 1 형상 및 제 2 형상을 육안으로 식별할 수 없도록, 상기 제 1 마크 물질 및 제 2 마크 물질과 혼합되어 일정 색상을 가지며 상기 제 1 마크층 및 제 2 마크층을 형성하는 것인, 코드마크
6 6
제 1 항에 있어서,상기 커버 물질은 상기 마크 물질들과 동일한 색상 또는 검정 색상인 것인, 코드마크
7 7
제 1 항에 있어서,상기 제 1 마크 물질은 서로 다른 염기서열을 가지는 적어도 두 개의 DNA들 중 제 1 DNA를 포함하고,상기 제 2 마크 물질은 상기 적어도 두 개의 DNA들 중 제 2 DNA를 포함하는 것인, 코드마크
8 8
제 7 항에 있어서,상기 제 1 DNA는 상기 제 1 마크 물질과 동일한 표지 물질에 의하여 표지 또는 상기 제 1 마크 물질로 염색되고,상기 제 2 DNA는 상기 제 2 마크 물질과 동일한 표지 물질에 의하여 표지 또는 상기 제 2 마크 물질로 염색되는 것인, 코드마크
9 9
제 1 항에 있어서,상기 마크 물질은 형광 색소(Fluorochrome) 또는 퀀텀 닷(Quantum dot)이고, 상기 여기 파장 및 방출 파장의 중심 파장은 서로 다른 것인, 코드마크
10 10
제 7 항에 있어서,상기 제 1 마크층 및 상기 제 2 마크층과 서로 다른 여기 파장을 가지는 광들이 조사됨에 따라 서로 다른 방출 파장을 나타내는 제 3 마크 물질이 제 3 형상으로 도포 또는 인쇄되는 제 3 마크층을 더 포함하며,상기 제 1 마크층, 제 2 마크층 및 제 3 마크층의 여기 파장, 방출 파장 및 형상은 서로 다른 것인, 코드마크
11 11
제 10 항에 있어서,상기 제 3 마크 물질은 상기 제 1 DNA 및 제 2 DNA와 서로 다른 염기서열을 가지는 제 3 DNA들을 더 포함하는 것인, 코드마크
12 12
코드마크를 제조하는 방법에 있어서,여기 파장(Excitation Wavelength)을 가지는 광들이 조사됨에 따라 방출 파장(Emission Wavelength)을 나타내는 제 1 마크 물질로 제 1 형상을 가지는 제 1 마크층을 도포 또는 인쇄하는 단계; 및상기 제 1 마크 물질과 다른 여기 파장 및 방출 파장을 나타내는 제 2 마크 물질이 상기 제 1 마크층에 상기 제 1 형상과는 다른 제 2 형상의 제 2 마크층으로 적층되도록 도포 또는 인쇄하는 단계; 및상기 제 1 마크층 또는 제 2 마크층에 적층되도록 커버 물질을 도포 또는 인쇄하는 단계를 포함하는 코드마크 제조방법
13 13
제 12 항에 있어서,상기 제 1 마크 물질은 서로 다른 염기서열을 가지는 적어도 두 개의 DNA들 중 제 1 DNA를 포함하고,상기 제 2 마크 물질은 상기 적어도 두 개의 DNA들 중 제 2 DNA를 포함하는 것인, 코드마크 제조방법
14 14
코드마크를 인식하기 위한 시스템에 있어서,서로 다른 여기 파장(Excitation Wavelength)을 가지는 광들이 조사됨에 따라 서로 다른 방출 파장(Emission Wavelength)을 나타내는, 적어도 두 개 이상의 마크 물질들 중 제 1 마크 물질이 도포 또는 인쇄되는 제 1 마크층 및 상기 적어도 두 개 이상의 마크 물질들 중 제 2 마크 물질이 상기 제 1 마크층에 적층되도록 도포 또는 인쇄되는 제 2 마크층을 포함하는 코드마크; 및상기 코드마크의 서로 다른 여기 파장 또는 서로 다른 방출 파장을 필터링하여 상기 제 1 마크층 및 제 2 마크층을 인식하는 인식장치를 포함하되, 상기 코드마크는 상기 제 1 마크층 또는 제 2 마크층에 적층되도록 도포 또는 인쇄되는 커버 물질을 더 포함하되,상기 제 1 마크층은 제 1 형상을 형성하도록 도포 또는 인쇄되고,상기 제 2 마크층은 상기 제 1 형상과 다른 제 2 형상을 형성하도록 도포 또는 인쇄되는 것인 코드마크 인식 시스템
15 15
제 14 항에 있어서,상기 제 1 마크 물질은 서로 다른 염기서열을 가지는 적어도 두 개의 DNA들 중 제 1 DNA를 포함하고,상기 제 2 마크 물질은 상기 적어도 두 개의 DNA들 중 제 2 DNA를 포함하는 것인, 코드마크 인식 시스템
16 16
제 15 항에 있어서,상기 코드마크의 제 1 마크 물질 및 제 2 마크 물질을 식별하기 위하여, 상기 제 1 DNA와 제 2 DNA가 수소 결합을 이루는 혼성화(DNA Hybridization)하기 위한 DNA 칩을 더 포함하는 것인, 코드마크 인식 시스템
17 17
제 14 항에 있어서,상기 인식 장치에는 상기 서로 다른 여기 파장 또는 서로 다른 방출 파장을 식별하는 다중 파장 필터 또는 적어도 두 개의 단파장 필터가 내장 또는 내장된 것인, 코드마크 인식 시스템
18 18
코드마크를 인식하기 위한 방법에 있어서,코드마크와 인식 대상을 매칭하여 데이터베이스화하는 단계;서로 다른 여기 파장(Excitation Wavelength)을 가지는 광들이 조사됨에 따라 서로 다른 방출 파장(Emission Wavelength)을 나타내는, 적어도 두 개 이상의 마크 물질들 중 제 1 마크 물질이 도포 또는 인쇄되는 제 1 마크층 및 상기 적어도 두 개 이상의 마크 물질들 중 제 2 마크 물질이 상기 제 1 마크층에 적층되도록 도포 또는 인쇄되는 제 2 마크층을 포함하는 상기 코드마크에, 상기 서로 다른 여기 파장을 가지는 광들을 순차적으로 조사하는 단계;상기 여기 파장으로 인해 방출되는 상기 서로 다른 방출 파장을 순차적으로 인식하는 단계; 및상기 인식된 상기 코드마크와 상기 인식 대상을 매칭하여 상기 인식 대상을 검색하는 단계를 포함하되, 상기 코드마크는 상기 제 1 마크층 또는 제 2 마크층에 적층되도록 도포 또는 인쇄되는 커버 물질을 더 포함하되,상기 제 1 마크층은 제 1 형상을 형성하도록 도포 또는 인쇄되고,상기 제 2 마크층은 상기 제 1 형상과 다른 제 2 형상을 형성하도록 도포 또는 인쇄되는 것인 코드마크 인식방법
19 19
제 18 항에 있어서,상기 제 1 마크 물질은 서로 다른 염기서열을 가지는 적어도 두 개의 DNA들 중 제 1 DNA를 포함하고,상기 제 2 마크 물질은 상기 적어도 두 개의 DNA들 중 제 2 DNA를 포함하는 것인, 코드마크 인식방법
20 20
제 18 항에 있어서,상기 코드마크의 제 1 마크 물질 및 제 2 마크 물질을 식별하기 위하여, 상기 제 1 DNA와 제 2 DNA가 수소 결합을 이루는 혼성화(DNA Hybridization) 단계를 더 포함하는 것인, 코드마크 인식방법
21 21
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