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다수의 하이드록시기를 가지는 방향족환을 포함하는 중합체를 이용한 고분자 전해질 막 및 이의 용도

  • 기술번호 : KST2015139497
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이온성 전해질을 높음 함량으로 담지할 수 있고 고온에서의 높은 열적 안정성을 가지는 고분자 전해질 막과 이를 활용한 이차전치 및 슈퍼커패시터에 관한 것으로, 이온성 전해질을 높은 함량으로 담지하기 위하여 분자구조 내에 다수의 밀집된 하이드록시기를 함유할 수 있는 새로운 구조인 테트라페닐벤젠(tetraphenylbenzene)구조의 페닐기 각각에 하나의 하이드록시기를 가져 총 4개의 하이드록시기를 가지는 방향족환을 공중합체의 구조 내에 가지는 고분자와 이를 이온성 전해질에 담지시켜 이온성 액체가 갖는 우수한 특성을 손상시키지 않으면서도 중합체와 상용성을 증가시켜서 손쉽게 전해질 막을 제조하고, 이렇게 제조된 전해질 막을 이용하여 우수한 이온전도도와 기계적, 열적 안정성 효과를 가지는 이차전지와 초고용량 축전기(supercapacitor)를 제조하였다.
Int. CL C08L 65/00 (2006.01) C08G 61/00 (2006.01) C08J 5/18 (2006.01) C08J 5/22 (2006.01) H01M 10/0562 (2010.01)
CPC C08J 5/18(2013.01) C08J 5/18(2013.01) C08J 5/18(2013.01) C08J 5/18(2013.01) C08J 5/18(2013.01)
출원번호/일자 1020130143930 (2013.11.25)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-1559961-0000 (2015.10.06)
공개번호/일자 10-2015-0060029 (2015.06.03) 문서열기
공고번호/일자 (20151014) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.11.25)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태호 대한민국 대전광역시 유성구
2 홍영택 대한민국 대전광역시 유성구
3 이장용 대한민국 대전광역시 동구
4 유덕만 대한민국 경기도 안산시 단원구
5 김석제 대한민국 대전광역시 대덕구
6 한재희 대한민국 인천광역시 계양구
7 정명수 대한민국 대전광역시 대덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인필앤온지 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-1072964-74
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.06.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0058832-92
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.01.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0039925-77
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.03.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0254147-58
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0254146-13
7 등록결정서
Decision to grant
2015.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0513332-09
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 분자구조 내에 4개의 밀집된 하이드록시페닐기를 가지는 중합체를 함유하는 수지조성물로 제조된 필름:003c#화학식 1003e#003c#화학식 2003e#상기 화학식 1 또는 화학식 2에서, L1, L2, L3는 연결기로 단순 연결, O, S, SO2, NH, COO로 이루어지는 군으로부터 독립적으로 선택된 어느 하나이며, R1, R2, R3, R4는 단순 연결, 치환 또는 비치환된 C1-C10의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C20의 아릴렌기 또는 이들 중 둘 이상을 포함하는 2가의 연결기로 이루어지는 군으로부터 독립적으로 선택된 어느 하나이고, n과 m은 각각 반복단위의 중합도이다
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 2로 표시되는 분자구조 내에 4개의 밀집된 하이드록시페닐기를 가지는 중합체의 하이드록시기를 포함하는 반복단위의 비율인 n/(n+m)은 0
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1 내지 화학식 2의 L1-R1-L1, L2-R2-L2, R3-L3-R4-L3로 이루어지는 구조는 아릴렌 에테르, 아릴렌 에테르 술폰 구조 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 필름
4 4
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 하나의 항에 기재된 상기 필름과 이온성 전해질을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전해질 막
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 이온성 전해질은 이온성 액체 또는 유기전해질 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전해질 막
6 6
청구항 4에 있어서, 상기 이온성 전해질은 상기 필름의 중량 기준으로 0
7 7
청구항 5에 있어서, 상기 이온성 액체는 EMIM-BF4, EMIM-TFSI, EMIM-TCB, BMIM-TFSI, EMIM-SO4, BMIM-BF4, DMIM-BF4, DMIM-TFSI로 이루어지는 군에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 전해질 막
8 8
청구항 4에 있어서, 상기 이온성 전해질은 중합체를 함유하는 수지조성물을 필름으로 형성한 후 함침 되거나 또는 중합체 수지조성물에 함유시켜 이를 필름으로 제조하는 것을 특징으로 하는 전해질 막
9 9
청구항 4에 기재된 상기 전해질 막을 포함하는 것을 특징으로 하는 이차전지
10 10
청구항 4에 기재된 상기 전해질 막을 포함하는 것을 특징으로 하는 초고용량 축전기(supercapacitor)
11 11
하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 분자구조 내에 4개의 밀집된 하이드록시페닐기를 가지는 중합체를 함유하는 수지조성물을 준비하는 제 1단계;상기 수지조성물을 필름으로 제조하는 제 2단계;상기 필름을 이온성 전해질에 함침시키는 제 3단계;를 포함하는 전해질 막의 제조방법:003c#화학식 1003e#003c#화학식 2003e#상기 화학식 1 또는 화학식 2에서, L1, L2, L3는 연결기로 단순 연결, O, S, SO2, NH, COO로 이루어지는 군으로부터 독립적으로 선택된 어느 하나이며, R1, R2, R3, R4는 단순 연결, 치환 또는 비치환된 C1-C10의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C20의 아릴렌기 또는 이들 중 둘 이상을 포함하는 2가의 연결기로 이루어지는 군으로부터 독립적으로 선택된 어느 하나이고, n과 m은 각각 반복단위의 중합도이다
12 12
하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 분자구조 내에 4개의 밀집된 하이드록시페닐기를 가지는 중합체를 함유하는 수지조성물을 준비하는 제 1단계;상기 수지조성물에 이온성 전해질에 함유시키는 제 2단계;상기 이온성 전해질이 함유된 수지조성물을 필름으로 형성하는 제 3단계;를 포함하는 전해질 막의 제조방법:003c#화학식 1003e#003c#화학식 2003e#상기 화학식 1 또는 화학식 2에서, L1, L2, L3는 연결기로 단순 연결, O, S, SO2, NH, COO로 이루어지는 군으로부터 독립적으로 선택된 어느 하나이며, R1, R2, R3, R4는 단순 연결, 치환 또는 비치환된 C1-C10의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C20의 아릴렌기 또는 이들 중 둘 이상을 포함하는 2가의 연결기로 이루어지는 군으로부터 독립적으로 선택된 어느 하나이고, n과 m은 각각 반복단위의 중합도이다
13 13
청구항 11 또는 청구항 12에 있어서, 상기 이온성 전해질은 이온성 액체 또는 유기전해질 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전해질 막의 제조방법
14 14
청구항 11 에 있어서, 상기 이온성 전해질은 상기 필름의 중량 기준으로 0
15 15
청구항 12에 있어서, 상기 이온성 전해질은 상기 수지조성물의 중량 기준으로 0
16 16
청구항 13에 있어서, 상기 이온성 액체는 EMIM-BF4, EMIM-TFSI, EMIM-TCB, BMIM-TFSI, EMIM-SO4, BMIM-BF4, DMIM-BF4, DMIM-TFSI로 이루어지는 군에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 전해질 막의 제조방법
17 17
청구항 11 또는 청구항 12의 제조방법으로 제조되어 중합체의 반복단위 구조 내에 밀집된 하이드록시를 가지는 전해질 막을 포함하는 것을 특징으로 하는 이차전지
18 18
청구항 11 또는 청구항 12의 제조방법으로 제조되어 중합체의 반복단위 구조 내에 밀집된 하이드록시를 가지는 전해질 막을 포함하는 것을 특징으로 하는 초고용량 축전기(supercapacitor)
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국화학연구원 기관고유사업 플렉서블 슈퍼캐퍼스터용 전극 및 전해질 소재개발