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비휘발성 폴리머 메모리 소자의 특성을 향상시키기 위한수분투과 억제층 형성방법

  • 기술번호 : KST2015140713
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 폴리머 비휘발성 메모리 소자의 소자간 절연 특성이 우수하며 전도성 폴리머의 열화 특성을 방지할 수 있는 외부 산소 및 수분의 차단 보호막을 원자층 증착법으로 저온에서 형성하게 하는 비휘발성 폴리머 메모리 소자의 특성을 향상시키기 위한 수분투과 억제층 형성방법을 제공하는데 그 특징이 있다.또한, 본 발명은 기존의 화학 기상 증착이나 물리적 기상 증착 방법을 통한 투습층 형성과는 다른 금속 산화막의 저온 증착에 의해 유기물을 주재료로 하는 미세한 구조를 지닌 반도체 유기 소자와 같은 단차가 큰 구조물의 투습층을 형성하게 하는 비휘발성 폴리머 메모리 소자의 특성을 향상시키기 위한 수분투과 억제층 형성방법을 제공하는데 있다.폴리머 비휘발성 메모리 소자, PoRAM, 수분, 산소, 금속 산화물, 원자층
Int. CL H01L 27/11521 (2017.01.01) H01L 23/31 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01)
출원번호/일자 1020060039426 (2006.05.02)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0774444-0000 (2007.11.01)
공개번호/일자 10-2007-0107219 (2007.11.07) 문서열기
공고번호/일자 (20071108) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.05.02)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종완 대한민국 경기 남양주시
2 고명균 대한민국 서울 성동구
3 이은주 대한민국 충북 옥천군
4 김범용 대한민국 서울 관악구
5 김웅선 대한민국 서울 강동구
6 문준호 대한민국 서울 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장수영 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, *층(역삼동, 대아빌딩)(특허법인 신우)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2006-0309169-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.04.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.05.10 수리 (Accepted) 9-1-2007-0026695-07
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0287335-78
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.06.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0415797-15
6 의견서
Written Opinion		 2007.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2007-0415798-61
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.11.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0592040-81
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 유기 소자에 대한 수분 및 산소의 침투를 방지하고 각 소자의 절연을 도와 폴리머 메모리 소자의 특성을 향상시키기 위해 비휘발성 폴리머 메모리 소자에 패시베이션층을 형성하도록 실행하되,상기 패시베이션층의 형성은, 유기금속소스를 폴리머 메모리 소자의 표면에 흡착한 다음 상기에서 흡착되지 않은 유기금속소스를 배출시키는 단계; 산소를 포함하는 소스를 플라즈마와 함께 주입하여 상기 유기금속소스의 금속과 반응시키는 단계;상기의 두 단계를 반복하여 일정한 두께를 갖는 보호막 층을 형성시키는 단계;를 실행하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 폴리머 메모리 소자의 특성을 향상시키기 위한 수분투과 억제층 형성방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 산소를 포함하는 소스에는 산소(O2), 오존(O3), 수증기(H2O), 과산화수소(H2O2), 일산화질소(N2O) 중 어느 하나의 소스를 사용하여 실행하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 폴리머 메모리 소자의 특성을 향상시키기 위한 수분투과 억제층 형성방법
4 4
제1항에 있어서,상기 보호막 층의 두께는 1nm에서 300nm 까지의 범위를 갖도록 실행하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 폴리머 메모리 소자의 특성을 향상시키기 위한 수분투과 억제층 형성방법
5 5
반도체 유기 소자에 대한 수분 및 산소의 침투를 방지하고 각 소자의 절연을 도와 폴리머 메모리 소자의 특성을 향상시키기 위해 비휘발성 폴리머 메모리 소자에 패시베이션층을 형성하도록 실행하되, 상기 패시베이션층의 형성은 유기금속소스를 폴리머 메모리 소자의 표면에 흡착한 다음 상기에서 흡착되지 않은 유기금속소스를 배출시키는 단계와, 산소를 포함하는 소스를 플라즈마와 함께 주입하여 상기 유기금속소스의 금속과 반응시키는 단계와, 상기의 두 단계를 반복하여 일정한 두께를 갖는 보호막 층을 형성시키는 단계를 실행하고, 상기 산소를 포함하는 소스에는 산소(O2), 오존(O3), 수증기(H2O), 과산화수소(H2O2), 일산화질소(N2O) 중 어느 하나의 소스를 사용하여 실행하며, 상기 보호막 층의 두께는 1nm에서 300nm 까지의 범위를 갖도록 실행하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 폴리머 메모리 소자의 특성을 향상시키기 위한 수분투과 억제층 형성방법
6 6
반도체 유기 소자에 대한 수분 및 산소의 침투를 방지하고 각 소자의 절연을 도와 폴리머 메모리 소자의 특성을 향상시키기 위해 상기 폴리머 메모리 소자에 보호막 층을 형성시키도록 원자층을 증착시켜 실행하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 폴리머 메모리 소자의 특성을 향상시키기 위한 수분투과 억제층 형성방법
7 7
제6항에 있어서,상기의 보호막 층을 형성하면서 폴리머에 영향을 미치지 않도록 증착시키기 위해 250℃ 이하의 온도에서 금속 산화물 박막을 형성시켜 실행하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 폴리머 메모리 소자의 특성을 향상시키기 위한 수분투과 억제층 형성방법
8 8
제7항에 있어서,상기에서 금속 산화물 박막을 형성하기 위해 폴리머 메모리 소자의 기판상에 산소를 포함하는 소스를 분사하여 실행하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 폴리머 메모리 소자의 특성을 향상시키기 위한 수분투과 억제층 형성방법
9 9
제6항 또는 제7항에 있어서, 상기의 보호막 층은 금속 산화물 또는 금속-금속 산화물과 같은 다층 박막 형태로 형성하여 실행하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 폴리머 메모리 소자의 특성을 향상시키기 위한 수분투과 억제층 형성방법
10 10
반도체 유기 소자에 대한 수분 및 산소의 침투를 방지하고 각 소자의 절연을 도와 폴리머 메모리 소자의 특성을 향상시키기 위해 상기 폴리머 메모리 소자에 보호막 층을 형성시키도록 원자층을 증착시켜 실행하되, 상기의 보호막 층을 형성하면서 폴리머에 영향을 미치지 않도록 증착시키기 위해 250℃ 이하의 온도에서 금속 산화물 박막을 형성시켜 실행하고, 상기에서 금속 산화물 박막을 형성하기 위해 폴리머 메모리 소자의 기판상에 산소를 포함하는 소스를 분사하여 실행하며, 상기의 보호막 층은 금속 산화물 또는 금속-금속 산화물과 같은 다층 박막 형태로 형성하여 실행하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 폴리머 메모리 소자의 특성을 향상시키기 위한 수분투과 억제층 형성방법
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폴리머 메모리 소자에 있어 폴리머를 기반으로 한 재료위에 도포되는 금속 산화물 박막의 투습 및 투산소 효율을 높이고 상기 박막의 밀도를 향상시키기 위해 실리콘 또는 유리를 기반으로 하는 기판의 상부면에 하부 전극층, 전도성 폴리머를 이용한 유전박막 및 상부 전극층이 순차적으로 형성시켜 실행시키고, 상기 폴리머 메모리 소자의 열화를 방지를 위해 저온 공정이 가능한 유기 금속 소스를 원료로 하는 보호막 증착을 플라즈마와 산소소스의 분사를 통해 실행하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 폴리머 메모리 소자의 특성을 향상시키기 위한 수분투과 억제층 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.