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유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법

기술번호 : KST2015140715
담당센터 : 서울서부기술혁신센터
전화번호 : 02-6124-6930

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 유기 전계 발광(electroluminescent; EL) 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 금을 이용하여 애노드 전극을 형성함으로써 기존의 ITO를 이용할 경우 RF 스퍼터링이나 전자빔 공정 등의 추가적인 공정이 필요없이 애노드 전극, 유지층 및 캐소드 전극 형성 공정이 모두 이배포레이터(evaporator)를 이용하여 인시투로 진행되기 때문에 공정을 단순화시킬 수 있고, 금을 이용하여 형성된 애노드 전극과 유기층 사이에 초박막 알루미늄을 산소 플라즈마 처리하여 형성된 절연막을 삽입함으로써 애노드 전극과 유기층 사이의 에너지 장벽을 터널링으로 효과적으로 해결하여 유기 EL 소자의 휘도를 획기적으로 향상시킬 수 있는 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법이 제시된다.유기 EL, 애노드 전극, 금, 알루미늄, 절연막
Int. CL	H01L 51/52 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 51/56 (2006.01.01)
CPC	H01L 51/5206(2013.01) H01L 51/5206(2013.01) H01L 51/5206(2013.01)
출원번호/일자	1020060045316 (2006.05.19)
출원인	한양대학교 산학협력단
등록번호/일자	10-0768506-0000 (2007.10.12)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20071018) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2006.05.19)
심사청구항수	14

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한양대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 성동구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	박재근	대한민국	경기도 성남시 분당구
2	이곤섭	대한민국	서울특별시 강남구
3	이수환	대한민국	인천 부평구
4	신동원	대한민국	서울 양천구
5	김성준	대한민국	서울 양천구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	남승희	대한민국	서울특별시 강남구 역삼로 **, 층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한양대학교 산학협력단	대한민국	서울 성동구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2006.05.19	수리 (Accepted)	1-1-2006-0351664-38
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2007.01.15	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2007.02.09	수리 (Accepted)	9-1-2007-0009658-74
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2007.03.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0176010-75
5	의견서 Written Opinion	2007.05.30	수리 (Accepted)	1-1-2007-0396105-61
6	명세서등보정서 Amendment to Description, etc.	2007.05.30	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2007-0396104-15
7	등록결정서 Decision to grant	2007.09.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0512596-90
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.03.11	수리 (Accepted)	4-1-2008-5037763-28
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.06.05	수리 (Accepted)	4-1-2014-5068294-39
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.16	수리 (Accepted)	4-1-2015-5022074-70
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.08.05	수리 (Accepted)	4-1-2019-5155816-75
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.08.06	수리 (Accepted)	4-1-2019-5156285-09

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판 상에 형성된 애노드 전극;상기 애노드 전극 상부에 형성된 금속막;상기 금속막 상부에 형성된 유기층; 및상기 유기층 상부에 형성된 캐소드 전극을 포함하며,상기 애노드 전극은 금(Au) 박막으로 형성된 유기 전계 발광 소자
2	2 기판 상에 형성된 애노드 전극;상기 애노드 전극 상부에 형성된 절연막;상기 절연막 상부에 형성된 유기층; 및상기 유기층 상부에 형성된 캐소드 전극을 포함하며,상기 애노드 전극은 금(Au) 박막으로 형성된 유기 전계 발광 소자
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 금속막은 알루미늄막인 유기 전계 발광 소자
4	4 삭제
5	5 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판, 유리 기판 및 플라스틱 기판중 어느 하나인 유기 전계 발광 소자
6	6 제 5 항에 있어서, 상기 실리콘 기판은 붕소 또는 질소가 도핑된 기판을 포함하는 유기 전계 발광 소자
7	7 제 5 항에 있어서, 상기 실리콘 기판은 에칭된 기판을 포함하는 유기 전계 발광 소자
8	8 제 1 항에 있어서, 상기 유기층은 홀 주입층, 홀 전달층, 유기 발광층 및 전자 주입층을 포함하는 유기 전계 발광 소자
9	9 기판이 제공되는 단계;상기 기판 상부에 금(Au) 박막을 증착하여 애노드 전극을 형성하는 단계;상기 애노드 전극 상부에 유기층을 형성하는 단계; 및상기 유기층 상부에 캐소드 전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 애노드 전극, 유기층 및 캐소드 전극은 이배포레이터를 이용하여 인-시투로 형성되는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법
10	10 기판이 제공되는 단계;상기 기판 상부에 금(Au) 박막을 증착하여 애노드 전극을 형성하는 단계;상기 애노드 전극 상부에 금속막을 형성하는 단계;상기 금속막 상부에 유기층을 형성하는 단계; 및상기 유기층 상부에 캐소드 전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 애노드 전극, 금속막, 유기층 및 캐소드 전극은 이배포레이터를 이용하여 인-시투로 형성되는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법
11	11 제 10 항에 있어서, 상기 금속막은 알루미늄막인 유기 전계 발광 소자의 제조 방법
12	12 기판이 제공되는 단계;상기 기판 상부에 금(Au) 박막을 증착하여 애노드 전극을 형성하는 단계;상기 애노드 전극 상부에 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막 상부에 유기층을 형성하는 단계; 및상기 유기층 상부에 캐소드 전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 애노드 전극, 절연막, 유기층 및 캐소드 전극은 이배포레이터를 이용하여 인-시투로 형성되는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법
13	13 제 12항에 있어서, 상기 절연막을 형성하는 단계는,상기 애노드 전극 상부에 금속막을 형성하는 단계;상기 금속막에 산소 플라즈마 처리를 실시하여 상기 금속막을 상기 절연막으로 변화시키는 단계를 포함하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법
14	14 제 13 항에 있어서, 상기 산소 플라즈마 처리는 약 200W의 전력을 인가하여 약 100초 동안 실시하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법
15	15 제 13 항에 있어서, 상기 금속막은 알루미늄막이고, 상기 절연막은 알루미늄 산화막인 유기 전계 발광 소자의 제조 방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-0768506-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20060519 출원 번호 : 1020060045316 공고 연월일 : 20071018 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20070921 청구범위의 항수 : 14 유별 : H05B 33/26 발명의 명칭 : 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20171013

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한양대학교 산학협력단 서울 성동구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	418,500 원	2007년 10월 15일	납입
제 4 년분	금 액	348,000 원	2010년 09월 29일	납입
제 5 년분	금 액	348,000 원	2011년 10월 10일	납입
제 6 년분	금 액	348,000 원	2012년 10월 11일	납입
제 7 년분	금 액	632,000 원	2013년 10월 02일	납입
제 8 년분	금 액	632,000 원	2014년 09월 30일	납입
제 9 년분	금 액	632,000 원	2015년 10월 12일	납입
제 10 년분	금 액	1,010,000 원	2016년 10월 04일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2006.05.19	수리 (Accepted)	1-1-2006-0351664-38
2	선행기술조사의뢰서	2007.01.15	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2007.02.09	수리 (Accepted)	9-1-2007-0009658-74
4	의견제출통지서	2007.03.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0176010-75
5	의견서	2007.05.30	수리 (Accepted)	1-1-2007-0396105-61
6	명세서등보정서	2007.05.30	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2007-0396104-15
7	등록결정서	2007.09.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0512596-90
8	출원인정보변경(경정)신고서	2008.03.11	수리 (Accepted)	4-1-2008-5037763-28
9	출원인정보변경(경정)신고서	2014.06.05	수리 (Accepted)	4-1-2014-5068294-39
10	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.16	수리 (Accepted)	4-1-2015-5022074-70
11	출원인정보변경(경정)신고서	2019.08.05	수리 (Accepted)	4-1-2019-5155816-75
12	출원인정보변경(경정)신고서	2019.08.06	수리 (Accepted)	4-1-2019-5156285-09


과제고유번호	1350005096
세부과제번호	2004-04536
연구과제명	고성능나노SOI공정기술개발
성과구분	등록
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국과학재단
연구주관기관명	한양대학교
성과제출연도	2006
연구기간	200206~200706
기여율	1
연구개발단계명	응용연구
6T분류명	ET(환경기술)


과제고유번호	1350005096
세부과제번호	2004-04536
연구과제명	고성능나노SOI공정기술개발
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국과학재단
연구주관기관명	한양대학교
성과제출연도	2006
연구기간	200206~200706
기여율	1
연구개발단계명	응용연구
6T분류명	ET(환경기술)

특허성과

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