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플립칩 실장형 범프, 그 제조방법, 및 비전도성 접착제를이용한 플립칩 접합방법

  • 기술번호 : KST2015140790
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플립칩 실장형 범프, 그 제조방법, 및 비전도성 접착제를 이용한 플립칩 접합방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 범프의 모양을 구형 또는 버섯 형상으로 만들어 낮은 압력으로 소성 변형 효과를 증대시키고, 범프 내에 비전도성 접착제가 갇히는 현상을 줄여 내구성을 향상시켜 접합부의 신뢰성을 증대시킨 플립칩 실장형 범프, 그 제조방법, 및 비전도성 접착제를 이용한 플립칩 접합방법에 대한 것이다.구형 범프, 버섯 범프, 리플로, 비전도성 접착제, 플립칩
Int. CL H01L 21/60 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020070000555 (2007.01.03)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0843632-0000 (2008.06.27)
공개번호/일자 10-2007-0073621 (2007.07.10) 문서열기
공고번호/일자 (20080703) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020060000989   |   2006.01.04
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.01.03)
심사청구항수 26

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영호 대한민국 서울 송파구
2 오태성 대한민국 서울 양천구
3 이상목 대한민국 서울 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장수영 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, *층(역삼동, 대아빌딩)(특허법인 신우)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2007-0006490-22
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.10.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.11.08 수리 (Accepted) 9-1-2007-0064688-67
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0619096-04
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0030246-41
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.01.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0030270-37
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.05.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0261652-73
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.06.09 수리 (Accepted) 1-1-2008-0410059-12
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.06.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0410058-77
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.06.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2008-0427096-99
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.06.16 수리 (Accepted) 1-1-2008-0427097-34
13 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2008.06.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0322401-95
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.06.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0443936-12
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2008-0443940-95
16 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0330584-63
17 등록결정서
Decision to grant		 2008.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0339993-88
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
칩; 상기 칩 상에 형성된 복수의 패터닝된 하부 금속층; 및상기 하부 금속층 상에 형성되며, 기공이 형성된 리플로 구형 범프 또는 머리와 기둥이 서로 다른 재질로 이루어진 버섯 범프를 포함하고,상기 리플로 구형 범프, 버섯 범프의 머리, 또는 기둥이 Sn 단독; 또는 Au, Cu, Ni, Bi, In, Ag, Zn 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 금속과 Sn으로 이루어진 Sn-금속 합금;을 포함하는 플립칩 실장형 범프
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 Sn-금속 합금은 전체 범프 조성 내 Au, Cu, Ni, Bi, In, Ag, Zn 및 이들의 합금 중에서 선택된 1종의 금속을 5 중량% 이하로 포함하는 것인 플립칩 실장형 범프
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서,상기 버섯 범프는 기둥이 Sn 단독 또는 Sn-금속 합금을 포함하고, 상기 머리가 Sn-금속 합금 또는 Au, Cu, Ni, Bi, In, Ag, Zn 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 금속을 포함하는 것인 플립칩 실장형 범프
7 7
제1항에 있어서,상기 버섯 범프는 기둥, 머리 또는 기둥 및 머리에 기공을 포함하는 것인 플립칩 실장형 범프
8 8
제1항에 있어서,추가로 상기 리플로 구형 범프 및 버섯 범프는 표면에 산화 방지막을 더욱 포함하는 것인 플립칩 실장형 범프
9 9
a) 칩 상에 복수의 패터닝된 하부 금속층을 형성하는 단계;b) 상기 패터닝된 하부 금속층 상에 포토레지스트를 도포 후 식각하여 하부 금속층의 일부가 노출되는 개구부를 갖는 감광층을 형성하는 단계; 및c) 상기 개구부 내 하부 금속층 상에 Sn 단독; 또는 Au, Cu, Ni, Bi, In, Ag, Zn 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 금속과 Sn으로 이루어진 Sn-금속 합금을 증착한 후, 232 내지 280 ℃에서 리플로 처리하여 리플로 구형 범프를 제조하는 단계;를 포함하고, 상기 단계 c)의 리플로 이전 또는 이후에 감광층을 제거하는 단계를 포함하는 리플로 구형 범프의 제조방법
10 10
제9항에 있어서,상기 하부 금속층은 CVD(Chemical Vapor Deposition)법, PVD(Physical Vapor Deposition)법, 무전해도금법(electroless plating), 및 전해도금법(electroplating)으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 방법으로 수행하여 형성하는 것인 리플로 구형 범프의 제조방법
11 11
제9항에 있어서,상기 Sn 단독 또는 Sn-금속 합금은 진공 증착, 전해도금, 무전해 도금, 와이어 본더를 이용하는 스터드범핑, 스크린(screen) 프린팅, 및 스텐실(stencil) 프린팅법으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 방법으로 수행하여 형성하는 것인 리플로 구형 범프의 제조방법
12 12
제9항에 있어서,상기 리플로는 150 내지 300 mtorr의 진공 조건 하에 85 내지 95%의 Ar 및 5 내지 15%의 H2 혼합 기체에서 0
13 13
삭제
14 14
제9항에 있어서,추가로 리플로 구형 범프 제조 후 그 표면에 산화 방지막을 형성하는 단계를 수행하는 것인 리플로 구형 범프의 제조방법
15 15
a') 칩 상에 복수의 패터닝된 하부 금속층을 형성하는 단계;b') 상기 패터닝된 하부 금속층 상에 포토레지스트를 도포 후 식각하여 상기 하부 금속층의 일부가 노출된 개구부를 갖는 감광층을 형성하는 단계; c') 상기 개구부 내 하부 금속층 상에 Sn 단독; Au, Cu, Ni, Bi, In, Ag, Zn 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 금속과 Sn으로 이루어진 Sn-금속 합금; 또는 Au, Cu, Ni, Bi, In, Ag, Zn 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 금속을 이용하여 기둥과 머리를 서로 다른 재질로 증착하여 버섯 범프를 제조하는 단계; 및d') 감광층을 제거하는 단계를 포함하는버섯 범프의 제조방법
16 16
제15항에 있어서,상기 하부 금속층은 CVD(Chemical Vapor Deposition)법, PVD(Physical Vapor Deposition)법, 무전해도금법(electroless plating), 및 전해도금법(electroplating)으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 방법으로 수행하여 형성하는 것인 버섯 범프의 제조방법
17 17
제15항에 있어서,상기 버섯 범프는 전해도금 또는 무전해 도금 중에서 선택된 1종의 방법으로 수행하여 증착하는 것인 버섯 범프의 제조방법
18 18
삭제
19 19
제15항에 있어서,추가로 버섯 범프 제조 후 그 표면에 산화 방지막을 형성하는 단계를 수행하는 것인 버섯 범프의 제조방법
20 20
칩 상에 복수의 패터닝된 하부 금속층을 형성하는 단계상기 하부 금속층 상에 Sn 단독; 또는 Au, Cu, Ni, Bi, In, Ag, Zn 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 금속과 Sn으로 이루어진 Sn-금속 합금;을 포함하는 리플로 구형 범프 또는 버섯 범프를 형성하는 단계;기판 상에 금속 전극을 형성하는 단계;상기 금속 전극을 포함하도록 비전도성 접착제를 도포하는 단계; 및상기 칩과 기판을 대면시켜 열 압착하는 단계를 포함하는 플립칩 실장형 범프를 이용한 플립칩 접합방법
21 21
제20항에 있어서,상기 기판은 세라믹, 유리, 플라스틱, 인쇄 회로 기판 및 유연 기판으로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것인 플립칩 접합방법
22 22
제20항에 있어서,상기 열 압착은 200 ℃ 이하에서 수행하는 것인 플립칩 접합방법
23 23
제20항에 있어서,상기 열 압착은 80 내지 200 ℃에서 수행하는 것인 플립칩 접합방법
24 24
제20항에 있어서,상기 열 압착시 인가되는 압력은 20 내지 100 MPa인 것인 플립칩 접합방법
25 25
제20항에 있어서,상기 열 압착시 인가되는 압력은 30 내지 50 MPa인 것인 플립칩 접합방법
26 26
제20항에 있어서,상기 플립칩 접합 시 범프 당 받는 평균 접합 압력은 15 내지 100 mN/bump인 것인 플립칩 접합방법
27 27
삭제
28 28
삭제
29 29
제20항에 있어서,상기 Sn-금속 합금은 Au, Cu, Ni, Bi, In, Ag, Zn 및 이들의 합금 중에서 선택된 1종의 금속을 전체 범프 조성 내 5 중량% 이하로 포함하는 것인 플립칩 접합방법
30 30
제20항에 있어서,상기 버섯 범프는 기둥(column)과 머리(head)로 이루어지고, 상기 기둥과 머리가 서로 다른 재질로 이루어진 것인 플립칩 접합방법
31 31
제30항에 있어서,상기 버섯 범프의 기둥은 Sn 단독 또는 Sn-금속 합금을 포함하고, 상기 머리는 Sn-금속 합금 또는 Au, Cu, Ni, Bi, In, Ag, Zn 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 금속을 포함하는 것인 플립칩 접합방법
32 32
제30항에 있어서,상기 버섯 범프는 기둥, 머리 또는 기둥 및 머리에 기공을 포함하는 것인 플립칩 접합방법
33 33
제20항에 있어서,추가로 상기 리플로 구형 범프 및 버섯 범프는 표면에 산화 방지막을 더욱 포함하는 것인 플립칩 접합방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2007078148 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
2 WO2007078148 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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