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소오스/드레인 영역과 채널 영역이 형성된 반도체 기판; 상기 채널 영역 상에 형성된 터널 절연막; 상기 터널 절연막 상에 산화 인듐 나노 입자로 형성된 부유 게이트;상기 부유 게이트 상에 형성된 컨트롤 절연막; 및 상기 컨트롤 절연막 상에 형성된 게이트 전극이 구비된 나노 부유 게이트형 비휘발성 반도체 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 반도체 기판은 Si 기판 또는 SOI(silicon on insulator) 기판 중에서 선택된 것인 나노 부유 게이트형 비휘발성 반도체 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 터널 절연막은 SiO2, HfO2, ZrO2, Al2O3, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종을 포함하는 것인 나노 부유 게이트형 비휘발성 반도체 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 터널 절연막은 두께가 3 내지 5 nm인 것인 나노 부유 게이트형 비휘발성 반도체 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 산화 인듐 나노 입자는 입자 크기가 5 내지 20 nm인 것인 나노 부유 게이트형 비휘발성 반도체 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 산화 인듐 나노 입자는 입자 크기가 7 내지 15 nm인 것인 나노 부유 게이트형 비휘발성 반도체 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 산화 인듐 나노 입자는 단위면적당(per ㎠) 1× 1011 내지 1× 1012개의 밀도를 가지는 것인 나노 부유 게이트형 비휘발성 반도체 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 컨트롤 절연막은 폴리이미드를 포함하는 것인 나노 부유 게이트형 비휘발성 반도체 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 컨트롤 절연막은 두께가 30 내지 50 nm인 것인 나노 부유 게이트형 비휘발성 반도체 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 게이트 전극은 Al, Au, Pt, Cu 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 1종을 포함하는 것인 나노 부유 게이트형 비휘발성 반도체 메모리 소자
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소오스/드레인 영역과 채널 영역이 마련된 반도체 기판을 준비하는 단계;상기 채널 영역 상에 터널 절연막을 형성하는 단계;상기 터널 절연막 상에 산화 인듐 나노 입자로 형성된 부유 게이트와 그 상부에 컨트롤 절연막을 동시에 형성하는 단계; 상기 컨트롤 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 및상기 부유 게이트, 컨트롤 절연막 및 게이트 전극을 식각하여 소오스/드레인을 노출하는 단계;를 포함하는 나노 부유 게이트형 비휘발성 반도체 메모리 소자의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 부유 게이트와 컨트롤 절연막은터널 절연막 상에 인듐층을 증착하고, 상기 인듐층 상부에 폴리이미드를 포함하는 조성물을 습식 코팅하고,열처리를 수행하여 제조되는 것인 나노 부유 게이트형 비휘발성 반도체 메모리 소자의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 인듐층의 증착은 진공증착(evaporation), 스퍼터링(sputtering), 이온 플레이팅(ion plating), 및 이온빔 증착법(ion beam deposition)으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 방법으로 수행하는 것인 나노 부유 게이트형 비휘발성 반도체 메모리 소자의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 인듐층은 2 내지 5 nm의 두께로 형성하는 것인 나노 부유 게이트형 비휘발성 반도체 메모리 소자의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 폴리이미드를 포함하는 조성물은 폴리이미드 및 용매를 포함하는 것인 나노 부유 게이트형 비휘발성 반도체 메모리 소자의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 폴리이미드는 BPDA-PDA(poly(p-phenylene biphenyl tetracarboximide)), PMDA-PDA(poly(p-phenylene pyromellitimide)), OPDA-PDA(poly(p-phenylene 3,3",4,4"-oxydiphthalimide)), 6FDA-PDA(poly(p-phenylene 4,4"-hexafluoro isopropylidene diphthalimide)) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것인 나노 부유 게이트형 비휘발성 반도체 메모리 소자의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 용매는 N-메틸-2-피롤리돈(NMP), 디메틸아세트아미드(DMAc), 디메틸포름아미드(DMF), 메타-크레졸, 메탄올, 테트라하이드로퓨란(THF) 및 이들의 혼합 용매인 것인 나노 부유 게이트형 비휘발성 반도체 메모리 소자의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 조성물의 습식 코팅은 스핀 코팅(spin coating), 스프레이 코팅(spray coating), 닥터 블레이드 코팅, 롤 코팅(roll-coating), 스크린 프린팅(screen printing), 선 패턴(line patterning), 및 잉크젯 프린팅(inkjet printing)으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 방법으로 수행하는 것인 나노 부유 게이트형 비휘발성 반도체 메모리 소자의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 열처리는 120 내지 150 ℃의 불활성 분위기 하에 1차 열처리를 수행하고, 400 내지 500 ℃에서 2차 열처리를 수행하는 것인 나노 부유 게이트형 비휘발성 반도체 메모리 소자의 제조방법
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