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Fe―Cr 다층 박막의 자화도를 예측하는 시뮬레이션 방법

  • 기술번호 : KST2015141259
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Fe-Cr 다층 박막의 자화도 제어방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 Fe-Cr 다층 박막의 층간 간의 계면에서 Cr 원자 위치의 변경에 의해 Fe-Cr 계면 구조를 변형하여 Fe-Cr 다층 박막의 자화도를 제어하는 방법에 관한 것으로, 이러한 다층 박막은 자성 랜덤 액세스 메모리에 바람직하게 응용된다.자화도, 자성 랜덤 액세스 메모리, 체심 입방 구조
Int. CL H01F 13/00 (2006.01.01) H01F 10/14 (2006.01.01)
CPC H01F 13/00(2013.01) H01F 13/00(2013.01) H01F 13/00(2013.01)
출원번호/일자 1020070098776 (2007.10.01)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0033640 (2009.04.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.10.01)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정용재 대한민국 서울 강남구
2 최희채 대한민국 서울 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장수영 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, *층(역삼동, 대아빌딩)(특허법인 신우)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.10.01 수리 (Accepted) 1-1-2007-0706567-79
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.06.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2008-0043592-81
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.09.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0394647-64
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2009-0703410-75
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.11.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0703409-28
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2010.03.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0103232-08
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.05.10 수리 (Accepted) 1-1-2010-0297655-09
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.05.10 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2010-0297660-27
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.09.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0401733-72
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Fe-Cr 다층 박막의 층간의 계면에서 Cr 원자의 위치 변경을 통해 Fe-Cr 다층 박막의 계면 구조를 변형하는 Fe-Cr 다층 박막의 자화도 제어방법
2 2
제1항에 있어서,상기 Cr 원자는 Fe(001) 표면의 할로우 사이트(hollow site)와 브릿지 사이트(bridge site) 사이에 위치하는 것인 Fe-Cr 다층 박막의 자화도 제어방법
3 3
제1항에 있어서,상기 Fe-Cr 다층 박막은 Cr 원자의 위치에 따라 -1
4 4
제3항에 있어서,상기 Cr 원자는 Fe(001) 표면의 할로우 사이트의 위치에 가까울수록 음의 자화도를 갖고, 브릿지 사이트의 위치에 가까울수록 양의 자화도를 갖는 것인 Fe-Cr 다층 박막의 자화도 제어방법
5 5
제1항에 있어서,상기 Fe-Cr 다층 박막은 분자 빔 적층 성장법(Molecular beam epitaxy)으로 형성하는 것인 Fe-Cr 다층 박막의 자화도 제어방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.