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기판 상에 매몰 절연층 및 제 1 실리콘층이 형성된 SOI 웨이퍼를 준비하는 단계;상기 SOI 웨이퍼 상에 SiGe층을 성장시키는 단계;상기 SiGe층 상에 제 2 실리콘층을 성장시키는 단계;소정 온도에서 가열하는 산화 공정을 통해 상기 매몰 절연층 상에 이완 SiGe층 및 산화막을 형성하는 단계;식각 공정을 통해 상기 산화막을 제거하는 단계; 및상기 산화막이 제거된 이완 SiGe층 상에 스트레인드 Si층을 성장시키는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 제조 방법
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기판 상에 매몰 절연층 및 제 1 실리콘층이 형성된 SOI 웨이퍼를 준비하는 단계;상기 SOI 웨이퍼 상에 SiGe층을 성장시키는 단계;소정 온도에서 가열하는 산화 공정을 통해 상기 매몰 절연층 상에 이완 SiGe층 및 산화막을 형성하는 단계;식각 공정을 통해 상기 산화막을 제거하는 단계; 및상기 산화막이 제거된 이완 SiGe층 상에 스트레인드 Si층을 성장시키는 단계; 를 포함하고,상기 산화 공정은 습식 산화 공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 제조 방법
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청구항 1 또는 청구항 4에 있어서,상기 산화 공정은 800 내지 1200℃의 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 제조 방법
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청구항 1 또는 청구항 4에 있어서,상기 산화막 두께에 따라 상기 이완 SiGe층의 두께 및 Ge 농도를 제어하는 것을 특징으로 반도체 기판의 제조 방법
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청구항 1 또는 청구항 4에 있어서,산화 공정 이전에 상기 제 1 실리콘층 및 SiGe층의 두께를 측정하는 단계; 및상기 측정한 두께를 이용하여 산화막 두께를 산정하는 단계를 더 포함하고,상기 산정한 산화막 두께가 형성되도록 산화 공정을 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 제조 방법
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청구항 1 또는 청구항 4에 있어서,상기 제 1 실리콘층의 두께는 5㎚ 내지 300㎚인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 제조 방법
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청구항 1 또는 청구항 4에 있어서,상기 SiGe층의 두께는 5 내지 100㎚이고, Ge 농도는 5 내지 20%인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 제조 방법
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청구항 1 또는 청구항 4에 있어서,상기 이완 SiGe층의 두께는 5 내지 100㎚이고, Ge 농도는 20 내지 70%인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 제조 방법
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청구항 1 또는 청구항 4에 있어서,상기 산화막의 두께는 30 내지 500㎚인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 제조 방법
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청구항 1 또는 청구항 4에 있어서,상기 성장시키는 단계는 유기금속 화학 기상 증착법(MOCVD), 화학 기상 증착법(CVD), 플라즈마 강화 화학 기상 증착법(PECVD), 분자선 성장법(MBE), 수소화물 기상 성장법(HVPE) 또는 초고진공 화학 기상 증착법(UHA-CVD)을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 제조 방법
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청구항 1 또는 청구항 4에 있어서,상기 스트레인드 Si층의 두께는 5 내지 50㎚인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 제조 방법
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기판;상기 기판 상에 형성된 매몰 절연층; 상기 매몰 절연층 상에 형성된 이완 SiGe층; 및상기 이완 SiGe층 상에 형성된 스트레인드 Si층을 포함하고,상기 이완 SiGe층은 상기 매몰 절연층 상에 성장시킨 Si층 및 SiGe층의 산화를 통해 형성되며, 상기 이완 SiGe층의 Ge 농도는 두께 방향을 따라 가우시안 분포를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 기판
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기판;상기 기판 상에 형성된 매몰 절연층; 상기 매몰 절연층 상에 형성된 이완 SiGe층; 및상기 이완 SiGe층 상에 형성된 스트레인드 Si층을 포함하고,상기 이완 SiGe층은 상기 매몰 절연층 상에 성장시킨 Si층 및 SiGe층의 산화를 통해 형성되며, 상기 이완 SiGe층의 Ge 농도는 두께 방향을 따라 일정한 분포를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 기판
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