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기판;상기 기판 상에 형성된 p형 다결정 ZnO층;상기 p형 다결정 ZnO층 상에 형성된 폴리이미드층;상기 폴리이미드층 상에 형성된 n형 다결정 ZnO층; 및상기 n형 다결정 ZnO층 상에 형성된 전극을 포함하고,상기 폴리이미드층은 금속 산화물 양자점을 포함하는 중간밴드계 유기물 태양전지
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제1항에 있어서,상기 기판은 단결정 Si 기판, 다결정 Si 기판, ITO 기판, 사파이어 기판 또는 유리 기판인 중간밴드계 유기물 태양전지
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제1항에 있어서,상기 p형 다결정 ZnO층 또는 n형 다결정 ZnO층은 나노 로드 구조를 포함하는 중간밴드계 유기물 태양전지
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제1항에 있어서,상기 p형 다결정 ZnO층의 두께는 50nm 내지 300nm인 중간밴드계 유기물 태양전지
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제1항에 있어서,상기 폴리이미드층은 BPDA-PDA, PMDA-PDA, ODPA-PDA, 6FDA-PDA, BTDA-ODA, DMAc, BDSDA-ODA, DSDA, BPDA-Bz, TMA-PPD 또는 ODA-PI를 포함하는 중간밴드계 유기물 태양전지
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제1항에 있어서,상기 금속 산화물 양자점은 In2O3, CuO, Cu2O3, PbO, Bi12SiO20, ZnO2, SnO2, GaO, MgO, GeO, BaO, SrO, Bi12GeO20, Bi12SiO20, Cd2SnO4, CdSnO3 및 Li3CuO3 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 중간밴드계 유기물 태양전지
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7
제1항에 있어서,상기 금속 산화물 양자점의 지름은 1nm 내지 100nm인 중간밴드계 유기물 태양전지
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8
제1항에 있어서,상기 금속 산화물 양자점은 2층 이상의 다층으로 형성된 중간밴드계 유기물 태양전지
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제8항에 있어서,상기 금속 산화물 양자점은 이종 물질들이 적층된 탠덤구조인 중간밴드계 유기물 태양전지
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제1항에 있어서,상기 전극은 ITO 전극인 중간밴드계 유기물 태양전지
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기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 p형 다결정 ZnO층을 형성하는 단계;상기 p형 다결정 ZnO층 상에 금속 박막을 형성하는 단계;상기 금속 박막 상에 폴리이미드층을 형성하는 단계;상기 금속 박막 상에 형성된 폴리이미드층을 건조시켜서 상기 금속 박막을 녹이고 금속이온을 생성하는 단계;상기 폴리이미드층을 열처리하고 상기 생성된 금속이온과의 화학적 반응을 통하여 상기 폴리이미드층 내에 금속 산화물 양자점을 형성하는 단계;상기 금속 산화물 양자점이 포함된 폴리이미드층 상에 n형 다결정 ZnO층을 형성하는 단계; 및상기 n형 다결정 ZnO층 상에 전극을 형성하는 단계를 포함하는 중간밴드계 유기물 태양전지의 제조방법
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제11항에 있어서,n형 다결정 ZnO층을 형성하는 단계 이전에,상기 p형 다결정 ZnO층 상에 금속 박막을 형성하는 단계부터 상기 금속 산화물 양자점이 포함된 폴리이미드층을 형성하는 단계를 2회 이상 반복하는 것을 특징으로 하는 중간밴드계 유기물 태양전지의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 금속 박막은 Zn, In 또는 Cu인 중간밴드계 유기물 태양전지의 제조방법
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기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 p형 다결정 ZnO층을 형성하는 단계;상기 p형 다결정 ZnO층의 상부를 패터닝하여 상부가 패턴된 p형 다결정 ZnO층을 형성하는 단계;상기 상부가 패턴된 p형 다결정 ZnO층 상에 금속 박막을 형성하는 단계;상기 금속 박막 상에 폴리이미드층을 형성하는 단계;상기 금속 박막 상에 형성된 폴리이미드층을 건조시켜서 상기 금속 박막을 녹이고 금속이온을 생성하는 단계;상기 폴리이미드층을 열처리하고 상기 생성된 금속이온과의 화학적 반응을 통하여 상기 폴리이미드층 내에 금속 산화물 양자점을 형성하는 단계;상기 금속산화물 양자점을 포함하는 폴리이미드층 상에 n형 다결정 ZnO 박막을 형성하는 단계; 및상기 n형 다결정 ZnO 박막 상에 전극을 형성하는 단계를 포함하는 중간밴드계 유기물 태양전지의 제조방법
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