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반도체 패키지용 방수 조성물 및 그 제조방법

기술번호 : KST2015141620
담당센터 : 서울서부기술혁신센터
전화번호 : 02-6124-6930

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 반도체 패키지용 방수 조성물 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 반도체 패키지용 방수 조성물은 반도체 패키지가 수분이나 습기에 노출되는 경우 방수하는 효과가 있고, 이를 통해 표면에 크랙이나 표면박리현상이 발생하는 것을 방지한다. 그러므로 본 발명에 따른 반도체 패키지용 방수 조성물 및 그 제조방법을 이용하여 반도체 패키지 및 반도체 제품을 생산하게 되면 수분이나 습기에 노출되어도 표면의 상태가 변하지 않는 반도체 패키지 및 반도체 제품의 제공이 가능하다. 또한 본 발명에 따른 반도체 패키지용 방수 조성물을 이용하게 되면 인장 강도 및 접착 강도 등이 향상되며, 방수 효과가 우수하기 때문에 반도체 패키지의 내구성 향상 및 수명 연장에 크게 기여할 수 있다.
Int. CL	H01L 23/29 (2006.01) C08K 3/34 (2006.01) C08L 101/00 (2006.01) C08L 63/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자	1020120143307 (2012.12.11)
출원인	한양대학교 산학협력단
등록번호/일자	10-1458761-0000 (2014.10.31)
공개번호/일자	10-2014-0075908 (2014.06.20) 문서열기
공고번호/일자	(20141113) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2012.12.11)
심사청구항수	10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한양대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 성동구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김학성	대한민국	서울 성동구
2	김도형	대한민국	서울 성동구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인충현	대한민국	서울특별시 서초구 동산로 *, 층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한양대학교 산학협력단		서울특별시 성동구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2012.12.11	수리 (Accepted)	1-1-2012-1027088-14
2	[출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment	2013.01.02	수리 (Accepted)	1-1-2013-0000892-30
3	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2013.07.02	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2013.08.09	수리 (Accepted)	9-1-2013-0065332-05
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2014.03.19	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0192550-14
6	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)	2014.05.16	수리 (Accepted)	1-1-2014-0459400-78
7	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.06.05	수리 (Accepted)	4-1-2014-5068294-39
8	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)	2014.06.18	수리 (Accepted)	1-1-2014-0567255-09
9	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2014.07.15	수리 (Accepted)	1-1-2014-0664759-06
10	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2014.07.15	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0664787-74
11	최후의견제출통지서 Notification of reason for final refusal	2014.10.07	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0688724-17
12	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2014.10.17	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2014-0989493-34
13	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2014.10.17	수리 (Accepted)	1-1-2014-0989486-14
14	등록결정서 Decision to grant	2014.10.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0741640-58
15	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.16	수리 (Accepted)	4-1-2015-5022074-70
16	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.08.05	수리 (Accepted)	4-1-2019-5155816-75
17	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.08.06	수리 (Accepted)	4-1-2019-5156285-09

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 반도체 패키지용 방수 조성물에 있어서,상기 반도체 패키지용 방수 조성물은 비스페놀 A형(Bisphenol-A), 비스페놀 F형, 노볼락 타입 에폭시(Novolac Type Epoxy), 난연성 에폭시(Brominated Epoxy), 사이클로알리퍼틱 에폭시(Cycloaliphatic Epoxy) 및 루버 모디파이드 에폭시(Rubber Epoxy)로 이루어지는 군 중에서 선택된 어느 하나 이상의 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 100~300nm 크기의 클레이 1-5 중량부가 포함되며,상기 반도체 패키지용 방수 조성물은 초음파로 처리되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 방수 조성물
2	2 삭제
3	3 삭제
4	4 제 1항에 있어서,상기 클레이가 포함되기 전의 반도체 패키지용 방수 조성물은 비스페놀 A형(Bisphenol-A), 비스페놀 F형, 노볼락 타입 에폭시(Novolac Type Epoxy), 난연성 에폭시(Brominated Epoxy), 사이클로알리퍼틱 에폭시(Cycloaliphatic Epoxy) 및 루버 모디파이드 에폭시(Rubber Epoxy)로 이루어지는 군 중에서 선택된 어느 하나 이상의 에폭시 수지가 20중량%이상으로 포함되어 이루어지는 반도체 패키지용 방수 조성물
5	5 제 1항에 있어서, 상기 방수 조성물은 반도체 패키지의 제조 과정에서 접착제(Adhesive), EMC(Epoxy molding compound), 언더필(Underfill) 및 흡착제로 이루어지는 군 중에서 선택된 어느 하나 이상의 용도로 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 방수 조성물
6	6 제 1항에 있어서,상기 클레이가 포함된 반도체 패키지용 방수 조성물은 클레이가 포함되기 전의 방수 조성물에 비해 수분 흡수율이 40%이상 감소된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 방수 조성물
7	7 제 1항에 있어서,상기 클레이가 포함된 반도체 패키지용 방수 조성물은 클레이가 포함되기 전의 방수 조성물에 비해 수분 또는 습기에 24시간 노출된 후의 접착 강도가 65%이상 증가된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 방수 조성물
8	8 제 1항에 따른 반도체 패키지용 방수 조성물을 포함하는 반도체 패키지
9	9 반도체 패키지용 방수 조성물의 제조방법에 있어서,1) 비스페놀 A형(Bisphenol-A), 비스페놀 F형, 노볼락 타입 에폭시(Novolac Type Epoxy), 난연성 에폭시(Brominated Epoxy), 사이클로알리퍼틱 에폭시(Cycloaliphatic Epoxy) 및 루버 모디파이드 에폭시(Rubber Epoxy)로 이루어지는 군 중에서 선택된 어느 하나 이상의 에폭시 수지를 포함하는 방수 조성물 100 중량부에 대하여 100~300nm 크기의 클레이 1-5 중량부를 혼합하는 단계; 및2) 상기 혼합 후 초음파 처리하는 단계;를 포함하는 반도체 패키지용 방수 조성물의 제조방법
10	10 삭제
11	11 삭제
12	12 제 9항에 있어서,상기 초음파 처리는 25분 내지 30분 동안 처리하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 방수 조성물의 제조방법
13	13 제 9항에 있어서,상기 클레이가 혼합되기 전의 반도체 패키지용 방수 조성물은 비스페놀 A형(Bisphenol-A), 비스페놀 F형, 노볼락 타입 에폭시(Novolac Type Epoxy), 난연성 에폭시(Brominated Epoxy), 사이클로알리퍼틱 에폭시(Cycloaliphatic Epoxy) 및 루버 모디파이드 에폭시(Rubber Epoxy)로 이루어지는 군 중에서 선택된 어느 하나 이상의 에폭시 수지가 20중량% 이상으로 포함되어 이루어지는 반도체 패키지용 방수 조성물의 제조방법
14	14 제 9항에 있어서,상기 방수 조성물은 반도체 패키지의 제조 과정에서 접착제(Adhesive), EMC(Epoxy molding compound), 언더필(Underfill) 및 흡착제로 이루어지는 군 중에서 선택된 어느 하나 이상의 용도로 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 방수 조성물의 제조방법

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	교육과학기술부	한양대학교 산학협력단	이공분야 대학 중점 연구소 지원사업	생체모방 나노센터 시스템 연구

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1458761-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20121211 출원 번호 : 1020120143307 공고 연월일 : 20141113 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20141029 청구범위의 항수 : 10 유별 : C08K 3/34 발명의 명칭 : 반도체 패키지용 방수 조성물 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20171101

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	217,500 원	2014년 11월 03일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2012.12.11	수리 (Accepted)	1-1-2012-1027088-14
2	[출원서등 보정]보정서	2013.01.02	수리 (Accepted)	1-1-2013-0000892-30
3	선행기술조사의뢰서	2013.07.02	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서	2013.08.09	수리 (Accepted)	9-1-2013-0065332-05
5	의견제출통지서	2014.03.19	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0192550-14
6	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서	2014.05.16	수리 (Accepted)	1-1-2014-0459400-78
7	출원인정보변경(경정)신고서	2014.06.05	수리 (Accepted)	4-1-2014-5068294-39
8	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서	2014.06.18	수리 (Accepted)	1-1-2014-0567255-09
9	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2014.07.15	수리 (Accepted)	1-1-2014-0664759-06
10	[명세서등 보정]보정서	2014.07.15	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0664787-74
11	최후의견제출통지서	2014.10.07	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0688724-17
12	[명세서등 보정]보정서	2014.10.17	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2014-0989493-34
13	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2014.10.17	수리 (Accepted)	1-1-2014-0989486-14
14	등록결정서	2014.10.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0741640-58
15	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.16	수리 (Accepted)	4-1-2015-5022074-70
16	출원인정보변경(경정)신고서	2019.08.05	수리 (Accepted)	4-1-2019-5155816-75
17	출원인정보변경(경정)신고서	2019.08.06	수리 (Accepted)	4-1-2019-5156285-09


과제고유번호	1345166948
세부과제번호	2010-0007120
연구과제명	극단파 광 소결법을 이용한 인쇄전자기술
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	한양대학교
성과제출연도	2012
연구기간	201005~201504
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

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