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반도체 제조 공정에서 발생한 잔류 응력을 제거시킬 반도체 웨이퍼를 지지하는 스테이지; 상기 스테이지에 접근 및 이격가능하게 배치되어 IPL(Intense Pulsed Light)을 조사하여 상기 잔류 응력을 제거하는 IPL 조사 유닛; 및 상기 스테이지에 지지되어 있는 상기 반도체 웨이퍼와 상기 IPL 조사 유닛의 상대적인 위치를 조절하는 얼라인 유닛을 포함하는 반도체의 잔류 응력 제거장치
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제1항에 있어서,상기 IPL 조사 유닛은,상기 IPL을 조사하는 적어도 하나의 램프 모듈; 상기 램프 모듈과 상기 스테이지 사이에 마련되어 상기 램프 모듈에서 조사된 상기 IPL에서 미리 정해진 파장대의 빛을 선택적으로 걸러내는 광 파장 필터;상기 광 파장 필터와 상기 스테이지 사이에 마련되어 상기 광 파장 필터를 통과한 빛을 상기 반도체 웨이퍼 쪽으로 안내하는 빔 가이드; 및상기 램프 모듈과 연결되어 상기 램프 모듈의 IPL 발생을 제어하는 IPL 제어부를 포함하는 반도체의 잔류 응력 제거장치
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제2항에 있어서,상기 램프 모듈은,내부에 가스가 수용 가능한 형상을 갖는 램프 하우징;상기 램프 하우징의 양단부에 마련되는 전극; 및상기 램프 하우징의 외측에 마련되는 반사경을 포함하는 반도체의 잔류 응력 제거장치
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제3항에 있어서,상기 IPL 제어부는,상기 전극으로 전압을 인가하는 고전압 파워 발생기;전하를 저장하고 저장된 상기 전하를 상기 전극으로 인가하는 축전기; 및 상기 고전압 파워 발생기의 작동과 상기 축전기에 저장된 상기 전하를 상기 전극으로 인가하는 작동을 제어하는 트리거링/제어회로를 포함하는 반도체의 잔류 응력 제거장치
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제1항에 있어서,상기 IPL 조사 유닛에서 발생되는 열을 제거하는 냉각 유닛을 더 포함하며,상기 냉각 유닛은,공급되는 냉매가 유동 가능한 공간을 형성하며, 상기 냉매에 의하여 상기 IPL 조사 유닛을 냉각시키는 램프 냉각부; 및상기 램프 냉각부와 연결되어 상기 냉매가 순환하는 냉매유동관을 포함하는 반도체의 잔류 응력 제거장치
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제1항에 있어서,상기 얼라인 유닛은,상기 스테이지에 결합되어 상기 스테이지를 수평이동시키는 수평이동부; 및상기 IPL 조사 유닛에 결합되어 상기 스테이지와 상기 IPL 조사 유닛과의 상대적인 거리를 조절하는 거리조절부를 포함하는 반도체의 잔류 응력 제거장치
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반도체 제공 공정에서 발생한 잔류 응력을 제거시킬 반도체 웨이퍼의 위치를 설정하는 단계;IPL을 조사하여 상기 잔류 응력을 제거하는 IPL 조사 유닛의 IPL 조사 패턴을 설정하는 단계; 및상기 IPL 조사 유닛이 상기 IPL 조사 패턴에 따라 상기 IPL을 조사하는 단계를 포함하는 반도체의 잔류 응력 제거방법
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제7항에 있어서,상기 반도체 웨이퍼의 위치를 설정하는 단계는,상기 반도체 웨이퍼가 상기 IPL 조사 유닛의 정면에 위치하도록 상기 반도체 웨이퍼를 수평이동시키는 단계; 및상기 반도체 웨이퍼와 상기 IPL 조사 유닛 사이의 상대적인 거리를 조절하는 단계를 포함하는 반도체의 잔류 응력 제거방법
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제7항에 있어서,상기 IPL 조사 패턴 설정단계는,상기 IPL의 강도(Intensity)를 설정하는 단계;상기 IPL의 펄스 폭(Pulse Width)을 설정하는 단계;상기 IPL의 펄스 갭(Pulse Gap)을 설정하는 단계; 및상기 IPL의 펄스 수(Pulse Number)를 설정하는 단계를 포함하는 반도체의 잔류 응력 제거방법
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제9항에 있어서,상기 IPL의 강도를 설정 단계는,상기 IPL의 강도를 0
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