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(1) 유기 반도체 및 결정성 매트릭스를 혼합하여 기판상에서 공용해(co-melting) 공정을 수행하여 공융혼합물을 얻는 단계;(2) 상기 (1) 단계에서 얻은 공융혼합물을 냉각시켜 공융 응고(eutectic solidification) 공정을 수행하여 결정성 유기 반도체성 나노구조체를 얻는 단계; 및(3) 상기 (2) 단계에서 얻은 유기 반도체성 나노구조체에 포함되어 있는 결정성 매트릭스를 승화시켜 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정의 일차원 유기 반도체성 나노구조체의 결정 성장방법
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제1항에 있어서,상기 (1) 단계 공정을 수행하기 전에 (1-a) 유기 반도체 및 결정성 매트릭스를 혼합하고 분쇄한 후, 200-500 ℃ 온도에서 균일하게 혼합하여 예비-용융 공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정의 일차원 유기 반도체성 나노구조체의 결정 성장방법
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제1항에 있어서,상기 (1) 단계에서 상기 유기 반도체는 0
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제1항에 있어서,상기 (1) 단계에서 상기 유기 반도체는 캐리어 이동도가 10-5 (cm2/Vs)이상인 p형, N형 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정의 일차원 유기 반도체성 나노구조체의 결정 성장방법
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제1항에 있어서,상기 (1) 단계에서 상기 결정성 매트릭스는 벤조산, 살리실산, 나프탈렌, 1,3,5-트리클로로벤젠, 1,4-디브로모테트라플루오로벤젠, 2-브로모-1,3,4,5,6,7,8-헵타플루오로나프탈렌 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 단결정의 일차원 유기 반도체성 나노구조체의 결정 성장방법
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제1항에 있어서,상기 (1) 단계에서 상기 기판은 친수성 물질 또는 소수성 물질로 표면이 개질된 기판인 것을 특징으로 하는 단결정의 일차원 유기 반도체성 나노구조체의 결정 성장방법
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제6항에 있어서,상기 친수성 물질은 헥사메틸다이실라제인, 산소플라즈마 중에서 선택되는 1종 이상이고,상기 소수성 물질은 폴리다이메틸실록세인, 트라이클로로옥타데실실레인 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 단결정의 일차원 유기 반도체성 나노구조체의 결정 성장방법
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제1항에 있어서,상기 (1) 단계에서 상기 기판은 실리콘 웨이퍼, 유리판 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 단결정의 일차원 유기 반도체성 나노구조체의 결정 성장방법
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제1항에 있어서,상기 (1) 단계에서 상기 공용해 공정은 -200 내지 200 ℃ 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 단결정의 일차원 유기 반도체성 나노구조체의 결정 성장방법
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제1항에 있어서,상기 (1) 단계의 공융혼합물은 첨가제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정의 일차원 유기 반도체성 나노구조체의 결정 성장방법
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제10항에 있어서,상기 첨가제는 유기 반도체 및 결정성 매트릭스 혼합물에 대하여 0
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제10항에 있어서,상기 첨가제는 리니어 알킬벤젠 술폰산, 올레핀 술폰산, 소듐 알킬 에테르 설페이트, 소듐 알킬 설페이트, 암모늄 알킬 에테르 설페이트, 소듐 알킬 술포숙시네이트, 소듐 자일렌 술포네이트, 알킬 암모늄 할라이드 유도체, 벤잘코늄 할라이드 유도체, 에톡실레이티드 리니어 알코올, 폴리옥시에틸렌 계열의 비이온성 계면활성제, 리튬 할라이드 유도체, 유기 용매 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 단결정의 일차원 유기 반도체성 나노구조체의 결정 성장방법
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제1항에 있어서,상기 (2) 단계에서 상기 공융 응고 공정은 -2 내지 -15 ℃/min 속도로 냉각하는 것을 특징으로 하는 단결정의 일차원 유기 반도체성 나노구조체의 결정 성장방법
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제13항에 있어서,상기 냉각 시, 온도는 -2 내지 -15 ℃/min 범위 내에서 단일 혹은 다단계 혹은 연속적인 기울기를 갖는 것을 특징으로 하는 단결정의 일차원 유기 반도체성 나노구조체의 결정 성장방법
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제1항에 있어서,상기 (3) 단계에서 상기 결정성 매트릭스의 승화 온도는 40 내지 100 ℃이고, 증기압은 상온에서 10-6 mmHg 이상인 것을 특징으로 하는 단결정의 일차원 유기 반도체성 나노구조체의 결정 성장방법
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제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유기 반도체성 나노구조체는 나노와이어 형태, 나노로드 형태, 나노튜브 형태, 나노벨트 형태, 나노판상 형태, 나노구 형태, 나노 자이로이드 형태 중에서 선택되는 1종 이상의 모양으로 성장되는 것을 특징으로 하는 단결정의 일차원 유기 반도체성 나노구조체의 결정 성장방법
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